一種晶體硅mwt太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著傳統(tǒng)不可再生能源的不斷消耗，人類面臨的能源危機(jī)日趨嚴(yán)重，對太陽能等可再生能源的研發(fā)、利用已經(jīng)成為全球性的熱點研宄課題。太陽能電池結(jié)構(gòu)簡單，其原理是利用光生伏特效應(yīng)把太陽能轉(zhuǎn)換為電能。
[0003]金屬穿孔卷繞(metallizat1n wrap-through, MWT)娃太陽能電池是一種新型結(jié)構(gòu)的太陽能電池，是通過在硅片上打孔，將正面導(dǎo)電柵線的接觸電極穿過硅片基體引導(dǎo)至硅片背面，使正面收集的載流子通過孔內(nèi)電極轉(zhuǎn)移到背面的電極上，這樣可省去太陽能電池片正面的主柵線，大大降低電池片正表面的遮光面積，使電池片正面的活性發(fā)電面積增大，從而提高太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0004]現(xiàn)有的MWT太陽能電池的制作方法，是在制絨前進(jìn)行激光開孔，在擴(kuò)散工序后，對電池片作去邊緣PN結(jié)處理和去PSG處理是分步進(jìn)行的，需要先采用濕法刻蝕去PSG，然后采用激光進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理。由于所述制作方法中去邊緣PN結(jié)處理和去PSG處理是分步進(jìn)行的，且采用激光進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理，這導(dǎo)致MWT太陽能電池的制作工序繁瑣，降低了電池片生產(chǎn)效率。
[0005]因此，如何簡化MWT太陽能電池制作工序提高其生產(chǎn)效率是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法，能夠簡化現(xiàn)有的MWT太陽能電池的制作工序。
[0007]本發(fā)明提供一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法，包括以下步驟:
[0008]對娃片表面進(jìn)彳丁制域;
[0009]擴(kuò)散工序，在所述硅片正表面形成PN結(jié)；
[0010]采用濕法刻蝕對所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理；
[0011]在所述硅片正表面制備減反射膜；
[0012]采用激光在所述硅片上開過孔；
[0013]制備形成所述硅片的正電極、負(fù)電極及過孔電極。
[0014]可選地，所述硅片為P型硅片；所述擴(kuò)散工序為磷擴(kuò)散。
[0015]可選地，所述磷擴(kuò)散為采用液態(tài)三氯氧磷擴(kuò)散。
[0016]可選地，所述減反射膜的厚度為70-90nm。
[0017]可選地，所述減反射膜包括SiNx膜、Τ?02膜或MgF2膜。
[0018]可選地，所述過孔的孔徑為150-300 μ m。
[0019]可選地，所述采用激光在所述硅片上開過孔包括:所述激光的平均功率為8W-20W，波長為 300nm-600nm。
[0020]可選地，所述制備形成所述硅片的正電極、負(fù)電極及過孔電極包括:
[0021]分別制備所述硅片的所述正電極、所述負(fù)電極及所述過孔電極的導(dǎo)電金屬；
[0022]燒結(jié)形成所述導(dǎo)電金屬與所述硅片的歐姆接觸。
[0023]可選地，所述導(dǎo)電金屬的制備方法包括絲網(wǎng)印刷、電鍍或化學(xué)鍍。
[0024]可選地，所述燒結(jié)包括:經(jīng)200°C烘干后進(jìn)行900°C高溫?zé)Y(jié)。
[0025]本發(fā)明所提供的一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法，采用激光對硅片開過孔是在硅片表面制備減反射膜之后，而在制備減反射膜之前，已采用濕法刻蝕對經(jīng)過制絨及擴(kuò)散形成PN結(jié)的所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理，所述制作方法中去邊緣PN結(jié)處理與去PSG處理是通過濕法刻蝕一步進(jìn)行的，相比于現(xiàn)有的MWT太陽能電池制作方法，避免了單獨采用激光對電池片的去邊緣PN結(jié)處理，使MWT太陽能電池的制作工序大大簡化。因此，所述制作方法簡化了現(xiàn)有的MWT太陽能電池的制作工序。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法的流程圖；
[0027]圖2-1為采用本發(fā)明又一實施例提供的制作方法對硅片制絨后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2-2為采用本發(fā)明又一實施例提供的制作方法對硅片進(jìn)行擴(kuò)散工序后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2-3為采用本發(fā)明又一實施例提供的制作方法制備減反射膜后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2-4為采用本發(fā)明又一實施例提供的制作方法開過孔后硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2-5為采用本發(fā)明又一實施例提供的制作方法在硅片制備形成各電極后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0032]本發(fā)明提供一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法，能夠簡化現(xiàn)有的MWT太陽能電池的制作工序。
[0033]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0034]參見圖1，本發(fā)明實施例提供的一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法，包括以下步驟:
[0035]SlO:對硅片表面進(jìn)行制絨。
[0036]Sll:擴(kuò)散工序，在所述娃片正表面形成PN結(jié)。
[0037]S12:采用濕法刻蝕對所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理。
[0038]S13:在所述硅片正表面制備減反射膜。
[0039]S14:采用激光在所述硅片上開過孔。
[0040]S15:制備形成所述硅片的正電極、負(fù)電極及過孔電極。
[0041]本實施例所述的一種晶體硅MWT太陽能電池的制作方法，采用激光對硅片開過孔是在硅片表面制備減反射膜之后，而在制備減反射膜之前，已采用濕法刻蝕對經(jīng)過制絨及擴(kuò)散形成PN結(jié)的所述硅片進(jìn)行去邊緣PN結(jié)處理及去PSG處理，所述制作方法中去邊緣PN結(jié)處理與去PSG處理是通過濕法刻蝕一步進(jìn)行的，相比于現(xiàn)有的MWT太陽能電池制作方法，避免了單獨采用激光對電池片的去邊緣PN結(jié)處理，使MWT太陽能電池的制作工序大大簡化。因此，所述制作方法簡化了現(xiàn)有的MWT太陽能電池的制作工序。
[0042]下面以P型硅片襯底的晶體硅MWT太陽能電池的制作為例，具體說明本發(fā)明提供的晶體硅MWT太陽能電池的制作方法。參見圖2，包括以下步驟:
[0043]S20:對P型晶體硅片表面進(jìn)行制絨。對P型晶體硅片正表面進(jìn)行常規(guī)酸制絨，酸性腐蝕液為HF，圓03和H 20形成的混合液，使硅片表面形成角錐體