發(fā)光裝置的制造方法
【專利說明】發(fā)光裝置
[0001]本申請是申請日為2010年3月16日、申請?zhí)枮?010101318738、名稱為“發(fā)光裝置”的申請的分案申請。
技術領域
[0002]本發(fā)明涉及發(fā)光裝置。
【背景技術】
[0003]近年來，作為投影儀、顯示器等顯示裝置的光源用的發(fā)光裝置，正期待高亮度且色再現(xiàn)性優(yōu)良的激光裝置。然而，存在因屏幕面中的亂反射光相互干涉而產(chǎn)生的斑點噪聲
的問題。針對該問題，例如在下述專利文獻I中，提案了使屏幕搖動而對斑點圖案(只夂、y夕少圖案)變化，從而降低斑點噪聲的方法。
[0004]【專利文獻I】特開平11-64789號公報
[0005]然而，在上述專利文獻I所公開的方法中，存在如下情況:限定了屏幕、需要用于使屏幕移動的電機(?一夕一)等的構(gòu)件、來自電機等雜音等的新的問題。
[0006]另外，為了降低斑點噪聲，作為光源用的發(fā)光裝置，可以考慮通常的LED(LightEmitting D1de)。然而，在LED中，不能夠得到充分的光輸出。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的之一在于提供一種能夠降低斑點噪聲，且為高輸出的新穎的發(fā)光裝置。
[0008]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置，包括:第I包覆層；有源層，其形成在所述第I包覆層的上方；第2包覆層，其形成在所述有源層的上方，所述有源層具有:第I側(cè)面以及與所述第I側(cè)面平行的第2側(cè)面，所述有源層中的至少一部分，構(gòu)成第I增益區(qū)域和第2增益區(qū)域，在所述第I增益區(qū)域以及所述第2增益區(qū)域所產(chǎn)生的光的波長帶中，所述第2側(cè)面的反射率比所述第I側(cè)面的反射率高，所述第I增益區(qū)域的所述第2側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端面的一部分與所述第2增益區(qū)域的所述第2側(cè)面?zhèn)鹊牡?端面的一部分，在重疊面中重合，所述第I增益區(qū)域，從所述第I端面到所述第I側(cè)面?zhèn)鹊牡?端面，相對于所述第I側(cè)面的垂線傾斜而設置，所述第2增益區(qū)域，從所述第2端面到所述第I側(cè)面?zhèn)鹊牡?端面，相對于所述第I側(cè)面的垂線傾斜而設置，通過所述第I端面的中心和所述第3端面的中心的第I中心線，與通過所述第2端面的中心和所述第4端面的中心的第2中心線具有交點，所述重疊面相對于所述交點，位于從所述第2側(cè)面到所述第I側(cè)面的方向。
[0009]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，如后述那樣，能夠抑制或防止在增益區(qū)域產(chǎn)生的光的激光振蕩。因此，能夠降低斑點噪聲。此外，本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，增益區(qū)域中所產(chǎn)生的光，在該增益區(qū)域內(nèi)中接受增益的同時而行進，并能夠向外部出射。因此，能夠得到比以往通常的LED相比較高的輸出。如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，可以得到能夠降低斑點噪聲，且高輸出、新穎的發(fā)光裝置。
[0010]另外，在本發(fā)明所涉及的記載中，將稱作‘上方’的文言，用作例如，在“特定的物質(zhì)(以下稱作‘A’ )的‘上方’形成其它特定的物質(zhì)(以下稱作‘B’ ) ”等。在本發(fā)明所涉及的記載中，在該例那樣的情況下，作為包含在A上直接形成B的情況和在A上通過其它物質(zhì)形成B那樣的情況的情況下，使用稱作‘上方’的文言。
[0011]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，按照平面視，所述第I增益區(qū)域的所述第I端面的寬和所述第2增益區(qū)域的所述第2端面的寬相等，將所述交點和所述重疊面之間的距離設為L，將所述第I增益區(qū)域的所述第I端面的寬以及所述第2增益區(qū)域的所述第2端面中的寬設為W，所述L和所述W，下述式⑴:
[0012]O < L < W......(I) ο
[0013]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，所述L和所述W能夠滿足下述式(2)。
[0014](W/4)彡 L 彡(3W/4)......(2)
[0015]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，所述L和所述W滿足下述式(3)。
[0016]L= (W/2)......(3)
[0017]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，也可以，所述第I增益區(qū)域從所述第I端面到所述第3端面以一定的寬度設置，所述第2增益區(qū)域從所述第2端面到所述第4端面，以一定的寬度設置，所述第I增益區(qū)域的寬和所述第2增益區(qū)域的寬相等。
[0018]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，在所述第2側(cè)面能夠設置反射部。
[0019]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，也可以，所述第I增益區(qū)域的平面形狀和所述第2增益區(qū)域的平面形狀，相對于所述重疊面的垂線而線對稱。
[0020]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，也可以，所述第I增益區(qū)域在從所述第I端面到所述第3端面之間，具有對在所述第I增益區(qū)域內(nèi)行進的光進行反射的反射面，從所述第3端面出射的光和從所述第4端面出射的光，沿同一的方向行進。
[0021]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，也可以，從所述有源層的所述第I側(cè)面?zhèn)绕矫嬉?，所述第I增益區(qū)域的所述第I端面和所述第3端面不重合，所述第2增益區(qū)域的所述第2端面和所述第4端面不重合。
[0022]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，所述第I增益區(qū)域所產(chǎn)生的光的一部分，在所述重疊面中進行反射，從所述第2增益區(qū)域的所述第4端面出射，所述第2增益區(qū)域所產(chǎn)生的光的一部分，在所述重疊面中進行反射，從所述第I增益區(qū)域的所述第3端面出射。
[0023]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，可以包含:與所述第I包覆層電連接的第I電極，與所述第2包覆層電連接的第2電極。
[0024]另外，在本發(fā)明所涉及的記載中，將稱作‘電連接’的文言，用作例如“與特定的構(gòu)件(以下稱作‘C構(gòu)件’)電連接的其他的特定的構(gòu)件(以下稱作‘D構(gòu)件’)等。本發(fā)明所涉及的記載中，在該例那樣的情況下，作為包含C構(gòu)件和D構(gòu)件直接相接而電連接的情況以及C構(gòu)件和D構(gòu)件通過其他的構(gòu)件而電連接那樣的情況的情況，使用稱作“電連接”的文言。
[0025]本發(fā)明所涉及的發(fā)光裝置中，也可以，進一步包含形成在所述第2包覆層的上方，并與所述第2電極歐姆接觸的接觸層，至少所述接觸層和所述第2包覆層的一部分，構(gòu)成柱狀部，所述柱狀部，具有與所述第I增益區(qū)域以及所述第2增益區(qū)域相同的平面形狀。
【附圖說明】
[0026]圖1是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的體圖。
[0027]圖2是示意性地表示本實施方式涉及的發(fā)光裝置的俯視(平面)圖。
[0028]圖3是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的剖面圖。
[0029]圖4是從第I側(cè)面?zhèn)雀┮曈^察本實施方式所涉及的有源層的圖。
[0030]圖5是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造工序的剖面圖。
[0031]圖6是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造工序的剖面圖。
[0032]圖7是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造工序的剖面圖。
[0033]圖8是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造工序的俯視圖。
[0034]圖9是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的實驗例中所用的模型(?τ& )的俯視圖。
[0035]圖10是表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的實驗例的結(jié)果的曲線圖。
[0036]圖11是示意性地表示本實施方式的變形例所涉及的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0037]圖中:1-晶圓、3-刻度線(只夕X 7'、X V )、10-光、12-光、13-光、14-光、20-出射光、22-出射光、100-發(fā)光裝置、101-發(fā)光圖案、102-基板、104-第I包覆層、105-第I側(cè)面、106-有源層(活性層)、107-第2側(cè)面、108-第2包覆層、110-接觸層、111-柱狀部、112-第I電極、114-第2電極、116-絕緣部、130-反射部、160-第I增益(利得)區(qū)域、160a-第I中心線、162-第2增益區(qū)域、162a-第2中心線、170-第I端面、172-第2端面、174-第3端面、176-第4端面、178-重疊面、200-發(fā)光裝置、205-第3側(cè)面、210-光、261-反射面。
【具體實施方式】
[0038]以下，針對本發(fā)明的適當?shù)膶嵤┓绞絽⒄崭綀D進行說明。
[0039]1、發(fā)光裝置
[0040]首先，針對本實施方式所涉及的發(fā)光裝置，參照附圖進行說明。圖1是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置100的立體圖。圖2是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置100的俯視圖。圖3是示意性地表示本實施方式所涉及的發(fā)光裝置100的圖2的II1-1II線剖面圖。另外，在圖1以及圖2中，為了方便，省略第2電極114的圖示。另外，這里，對于發(fā)光裝置100是InGaAlP系(赤色)的半導體發(fā)光裝置的情況進行說明。
[0041]發(fā)光裝置100如圖1?圖3所示那樣，包含第I包覆層104、有源層106、以及第2包覆層108。發(fā)光裝置100，還可以包括:基板102、接觸層110、絕緣層116、第I電極112、以及第2電極114。
[0042]作為基板102，例如，能夠使用第I導電型(例如η型)的GaAs基板等。
[0043]第I包覆層104，形成于基板102上。作為第I包覆層104，例如，能夠使用η型的AlGaP層等。另外，雖然未圖示，但是也可以在第I基板102和第I包覆層104之間，形成緩沖層。作為緩沖層，例如，能夠使用η型的GaAs層、InGaP層等。
[0044]有源層106形成于第I包覆層104上。有源層106，例如具有將由InGaP勢阱(夕工少)層和InGaAlP勢皇(八'J 7 )層構(gòu)成的量子阱構(gòu)造3層重疊后的多重量子阱(MQW)構(gòu)造。
[0045]有源層106的一部分構(gòu)成多個增益區(qū)域。在圖示的例中，有源層106的一部分，構(gòu)成第I增益區(qū)域160和第2增益區(qū)域162。雖然未圖示，但是有源層106除了第I增益區(qū)域160以及第2增益區(qū)域162以外還具有增益