一種倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝方法，適用于倒裝焊封裝工藝過(guò)程。
【背景技術(shù)】
[0002]倒裝焊工藝是一種芯片正面向下的直接互連工藝，首先在芯片的金屬焊盤(pán)上制作金屬凸點(diǎn)，然后將芯片的有源面朝下，使芯片上的凸點(diǎn)與基板上的金屬焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)加熱或加壓使芯片和基板形成穩(wěn)定可靠的機(jī)械連接和電氣連接。采用倒裝焊工藝可以使二維互連密度達(dá)到最大，同時(shí)，由于金屬焊盤(pán)可以放置在芯片的整個(gè)表面，因此在同樣面積的芯片上，與常規(guī)引線鍵合工藝相比，金屬焊盤(pán)的密度和數(shù)量可以得到極大的提高，并且由于大大縮短了信號(hào)傳輸路徑，使得倒裝焊具有優(yōu)良的電性能和可靠性。
[0003]傳統(tǒng)倒裝焊封裝采用非氣密性封裝結(jié)構(gòu)，使倒裝焊芯片暴露在空氣中，并且倒裝焊的底部填充材料是一種環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)材料，在長(zhǎng)期存放過(guò)程中，空氣中的水分子具有很強(qiáng)的滲透能力，其能通過(guò)高分子間隙滲入到封裝體內(nèi)部。通過(guò)不同材料的界面上聚集有水分子，會(huì)引起界面分層。另外，如果水分子聚集到倒裝焊點(diǎn)處，會(huì)引起化學(xué)腐蝕和短路問(wèn)題，無(wú)法滿足倒裝焊電路長(zhǎng)期防潮、耐腐蝕的要求。如圖2所示，現(xiàn)有的倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)包括芯片I以及與該芯片I連接的基板2。芯片I具有上表面和與上表面相對(duì)的下表面。芯片I的下表面與基板2的上表面通過(guò)焊點(diǎn)3連接。該倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)還包括覆蓋于芯片I下表面、焊點(diǎn)3表面以及基板2上表面的填充膠4，該填充膠采用環(huán)氧樹(shù)脂材料。
[0004]但上述倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)在外部環(huán)境處于高濕的情形下，水汽易從填充膠4處滲入內(nèi)部，引起倒裝焊焊點(diǎn)腐蝕，最終影響電路性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的技術(shù)解決問(wèn)題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝方法，以提高倒裝焊電路的防潮、防腐蝕能力。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:
[0007]一種倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝方法，包括以下步驟:
[0008](I)將經(jīng)倒裝焊處理后的電路烘干；
[0009](2)將經(jīng)步驟(I)處理后的倒裝焊電路放入真空涂覆機(jī)中進(jìn)行抽真空處理，使得真空涂覆機(jī)的真空室內(nèi)的真空度為15±2mTorr ；
[0010](3)將涂覆材料裝入真空涂覆機(jī)的裂解室內(nèi)，對(duì)涂覆材料進(jìn)行加熱，使其溫度達(dá)到該涂覆材料的裂解溫度；
[0011](4)打開(kāi)裂解室的閥門(mén)，使經(jīng)步驟(3)處理后的涂覆材料進(jìn)入真空腔，并沉積在倒裝焊電路表面，在沉積過(guò)程中，真空室內(nèi)的真空度應(yīng)控制在50 土 2mTorr，真空室內(nèi)的溫度應(yīng)為30±5°C ;當(dāng)真空室內(nèi)的真空度降至15±2mTorr時(shí)，關(guān)閉裂解室的閥門(mén)；
[0012](5)對(duì)經(jīng)上述步驟處理后的倒裝焊電路進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂的填充，實(shí)現(xiàn)防護(hù)層隔離環(huán)氧樹(shù)脂的目的。
[0013]優(yōu)選地，所述涂覆材料采用全氟代聚對(duì)二甲苯，所述步驟(3)中對(duì)涂覆材料進(jìn)行加熱，使其溫度達(dá)到670°C。
[0014]優(yōu)選地，在執(zhí)行步驟(5)之前，對(duì)經(jīng)步驟(4)完成涂覆的倒裝焊電路的涂覆層厚度進(jìn)行測(cè)試，如果經(jīng)測(cè)試，最厚涂覆層與最薄涂覆層的厚度差值在±1微米范圍內(nèi)，則認(rèn)為涂覆合格；否則，調(diào)整真空腔室內(nèi)的真空度，直到涂覆層厚度差滿足要求為止。
[0015]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下有益效果:
[0016](I)本發(fā)明針對(duì)傳統(tǒng)非氣密性倒裝焊電路耐潮濕防護(hù)能力不足進(jìn)行改進(jìn)，通過(guò)對(duì)倒裝焊電路進(jìn)行防護(hù)處理，提高了電路耐潮、耐腐蝕的能力；
[0017](2)本發(fā)明通過(guò)對(duì)倒裝焊電路進(jìn)行防護(hù)處理，在芯片下表面、基板上表面、焊點(diǎn)表面增加一層薄膜，可以有效提高焊點(diǎn)的強(qiáng)度；
[0018](3)本發(fā)明通過(guò)對(duì)倒裝焊電路進(jìn)行防護(hù)處理，可以提高非氣密性倒裝焊電路的耐潮濕能力；
[0019](4)本發(fā)明適用于非氣密性倒裝焊封裝工藝。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖；
[0021]圖2為實(shí)施本發(fā)明的倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝前的倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為實(shí)施完本發(fā)明的倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝后的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)根據(jù)本發(fā)明的倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝方法做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0024]圖2示出了實(shí)施本發(fā)明的方法之前的倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)的狀態(tài)，該圖也示出了現(xiàn)有的倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)。如圖所示，經(jīng)過(guò)此種封裝處理之后，在芯片I的下表面、焊點(diǎn)3表面以及基板2上表面都填充有填充膠4。如果處于高濕的環(huán)境下，水汽易從填充膠4處滲入內(nèi)部，引起倒裝焊焊點(diǎn)腐蝕，最終影響電路性能。本發(fā)明即針對(duì)此種倒裝焊電路耐潮濕防護(hù)能力不足進(jìn)行改進(jìn)，通過(guò)對(duì)倒裝焊電路進(jìn)行防護(hù)處理，提高電路的耐潮、耐腐蝕的能力。
[0025]具體地，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的方法包括以下步驟:
[0026](I)將經(jīng)倒裝焊處理后的電路烘干；
[0027](2)將經(jīng)步驟(I)處理后的倒裝焊電路放入真空涂覆機(jī)中進(jìn)行抽真空處理，使得真空涂覆機(jī)的真空室內(nèi)的真空度為15±2mTorr ；
[0028](3)將涂覆材料裝入真空涂覆機(jī)的裂解室內(nèi)，對(duì)涂覆材料進(jìn)行加熱，使其溫度達(dá)到該涂覆材料的裂解溫度；
[0029](4)打開(kāi)裂解室的閥門(mén)，使經(jīng)步驟(3)處理后的涂覆材料進(jìn)入真空腔，并沉積在倒裝焊電路表面，在沉積過(guò)程中，真空室內(nèi)的真空度應(yīng)控制在50 土 2mTorr，真空室內(nèi)的溫度應(yīng)為30±5°C ;當(dāng)真空室內(nèi)的真空度降至15±2mTorr時(shí)，關(guān)閉裂解室的閥門(mén)；
[0030](5)對(duì)經(jīng)上述步驟處理后的倒裝焊電路進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂的填充，實(shí)現(xiàn)防護(hù)層隔離環(huán)氧樹(shù)脂的目的。
[0031]本發(fā)明的倒裝焊耐潮濕防護(hù)工藝方法，通過(guò)將圖2所示的倒裝焊封裝形式的電路進(jìn)行烘干，然后將電路放置于真空涂覆機(jī)中，抽真空，真空度達(dá)到15±2mT0rr ;將涂覆材料裝入真空涂覆機(jī)的裂解室內(nèi)，對(duì)涂覆材料進(jìn)行加熱，使其溫度達(dá)到該涂覆材料的裂解溫度；打開(kāi)裂解室內(nèi)的閥門(mén)，使涂覆材料進(jìn)入真空腔室，沉積在置物架上的倒裝焊電路表面，沉積過(guò)程中將真空腔室內(nèi)的真空度控制在50m±2Torr內(nèi)，真空腔室內(nèi)的溫度為30±5°C ;當(dāng)真空腔室內(nèi)的真空度降至15 土 2mTorr時(shí)，關(guān)閉裂解室的閥門(mén)，完成涂覆。最后，對(duì)完成防護(hù)的