一種包含激光熔絲的集成電路及其制造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種包含激光熔絲的集成電路及其制造方法。
【背景技術】
[0002]熔絲是集成電路中的一個電阻型結構，其主要作用是通過熔斷熔絲，達到調整集成電路的功能或參數(shù)的目的。
[0003]按照熔絲的熔斷方法，可以把熔絲分為電熔絲(Electrical Fuse)和激光熔絲(Laser Fuse)。其中，激光熔絲通常是指對金屬進行熔斷處理，激光熔絲通常直接采用一定能量的激光束照射熔絲使得熔絲熔斷。
[0004]如圖1所示，為傳統(tǒng)的包含激光熔絲集成電路的制作方法，該方法包括:
[0005]步驟101:在襯底基板上形成介質層，在介質層上形成壓焊墊和激光熔絲；形成壓焊墊和激光熔絲后的集成電路半成品如圖2所示，其中201為襯底基板，202為介質層，203為壓焊墊，204為激光熔絲；
[0006]步驟102:在形成壓焊墊和激光熔絲后的集成電路半成品上先沉積一層氧化硅，再沉積一層氮化硅，形成鈍化層；如圖3所示為沉積鈍化層后的集成電路半成品，310為鈍化層，其中301為鈍化層中的氧化硅層，302為鈍化層中的氮化硅層；
[0007]步驟103:在形成鈍化層的集成電路半成品上涂覆一層光刻膠，并對涂覆光刻膠的集成電路半成品進行圖形化處理，形成所需光刻膠窗口圖形；如圖4所示為形成所需光刻膠窗口圖形后的集成電路半成品，其中401為光刻膠，402為光刻膠窗口圖形；
[0008]步驟104:對形成光刻膠窗口圖形的集成電路半成品進行刻蝕處理，去除光刻膠窗口圖形對應的鈍化層，形成鈍化層窗口 ；如圖5所示，為刻蝕處理后的集成電路半成品，其中501為壓焊墊對應的鈍化層窗口，502為激光熔絲對應的鈍化層窗口，圖6所示為鈍化層窗口的俯視圖，其中501為壓焊墊對應的鈍化層窗口，203為壓焊墊，502為激光熔絲對應的鈍化層窗口，204為激光熔絲；
[0009]步驟105:去除剩余的光刻膠，形成包含激光熔絲的集成電路；如圖7所示為包含激光熔絲的集成電路。
[0010]其中，壓焊墊和激光熔絲通常是由多層金屬疊加形成的，最上層金屬層通常為氮化鈦金屬層，氮化鈦易導致集成電路的“打線”工藝的合格率下降。因此步驟104中對形成光刻膠窗口圖形的集成電路半成品進行刻蝕處理時，不僅需要去除光刻膠窗口圖形中的鈍化層，而且需要將壓焊墊表面的氮化鈦金屬層刻蝕掉。故步驟104中需要對形成光刻膠窗口圖形的集成電路半成品進行過刻蝕處理。對激光熔絲對應的鈍化層窗口圖形進行過刻蝕處理后，對壓焊墊對應的鈍化層窗口圖形進行刻蝕處理時，不僅會去除激光熔絲最上層的氮化鈦金屬層，而且會將鈍化層窗口圖形中未被激光熔絲覆蓋的介質層刻蝕掉，從而使襯底基板裸露。如圖7所示，傳統(tǒng)的包含激光熔絲的集成電路，在激光修調時，被激光束熔斷的金屬熔絲會出現(xiàn)飛濺，一部分飛濺的金屬殘渣落在了集成電路的內部，一部分飛濺的金屬殘渣落在了激光熔絲的鈍化層窗口中的襯底表面，這將導致集成電路短路，使得修調之后集成電路的合格率下降。
[0011]因此，傳統(tǒng)方法制造的包含激光熔絲的集成電路進行修調處理后，由于飛濺的金屬殘渣落在了集成電路的內部，以及激光熔絲的鈍化層窗口中的襯底表面，導致修調處理之后集成電路合格率比較低。

【發(fā)明內容】

[0012]本發(fā)明實施例提供一種包含激光熔絲的集成電路及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術中包含激光熔絲的集成電路進行修調處理后，飛濺的金屬殘渣落在集成電路的內部，以及激光熔絲的鈍化層窗口中的襯底表面，導致修調處理之后集成電路合格率比較低的問題。
[0013]本發(fā)明實施例提供了一種包含激光熔絲的集成電路的制造方法，該方法包括:
[0014]在包含壓焊墊和激光熔絲的集成電路半成品上淀積鈍化層；
[0015]在所述鈍化層的表面涂覆光刻膠；
[0016]通過圖形化處理工藝去除第一預設區(qū)域的光刻膠，所述第一預設區(qū)域位于所述壓焊墊所在的區(qū)域；
[0017]通過刻蝕工藝去除第一預設區(qū)域的全部鈍化層，形成第一鈍化層窗口 ；
[0018]通過圖形化處理工藝去除第二預設區(qū)域的光刻膠，所述第二預設區(qū)域位于所述激光熔絲所在的區(qū)域；
[0019]通過刻蝕工藝去除第二預設區(qū)域的部分鈍化層，形成第二鈍化層窗口 ；
[0020]去除覆蓋在所述鈍化層表面上的剩余光刻膠，形成包含壓焊墊和激光熔絲的集成電路。
[0021]上述實施例中，由于對壓焊墊對應的鈍化層窗口以及激光熔絲對應的鈍化層窗口分別進行刻蝕，避免了對壓焊墊對應的鈍化層窗口進行過刻蝕時，造成激光熔絲對應的鈍化層窗口中的介質層被刻蝕掉，進而導致對集成電路進行修調時，飛濺的金屬殘渣落在集成電路裸露的襯底基板上的問題。并且上述實施例中刻蝕工藝去除了第二預設區(qū)域的部分鈍化層，激光熔絲被包覆在剩余的鈍化層中，當對集成電路進行激光修調時，由于熔絲被鈍化層包覆，減少了熔絲在被激光束熔斷時熔絲金屬的飛濺，提高了激光修調的合格率。
[0022]本發(fā)明實施例進一步包括，所述形成第一鈍化層窗口之后，通過圖形化處理工藝去除第二預設區(qū)域的光刻膠之前，包括:
[0023]去除形成第一鈍化層窗口之后的集成電路半成品上剩余的光刻膠；
[0024]在所述去除光刻膠之后的集成電路半成品上再次涂覆一層光刻膠。
[0025]所述通過圖形化處理工藝去除第二預設區(qū)域的光刻膠，包括:
[0026]通過圖形化處理工藝去除所述再次涂覆一層光刻膠的集成電路半成品的第二預設區(qū)域的光刻膠。
[0027]上述實施例中，由于在形成第一鈍化層窗口后去除集成電路半成品上剩余的光刻膠，再次涂覆一層光刻膠，在再次涂覆一層光刻膠的集成電路半成品上形成第二鈍化層窗口，由于制作第一鈍化層窗口時，第二鈍化層窗口位置被光刻膠覆蓋，因此第一鈍化層窗口進行過刻蝕時，不會對第二鈍化層窗口造成影響，反之亦然。
[0028]本發(fā)明實施例通過圖形化處理工藝去除第二預設區(qū)域的光刻膠包括:通過圖形化處理工藝去除形成第一鈍化層窗口之后的的集成電路半成品的第二預設區(qū)域的光刻膠。
[0029]上述實施例中，在形成第一鈍化層窗口后，直接對剩余的光刻膠進行圖形化處理，去除第二預設區(qū)域的光刻膠，通過刻蝕工藝形成第二鈍化層窗口，由于分別制作兩個鈍化層窗口，且對第二鈍化層窗口進行刻蝕處理時，不會對第一鈍化層窗口造成影響，形成本發(fā)明實施例中所需的包含激光熔絲的集成電路。
[0030]本發(fā)明實施例鈍化層進一步包括第一鈍化層和第二鈍化層，其中第一鈍化層覆蓋在第二鈍化層上；所述去除第二預設區(qū)域的部分鈍化層，包括:去除的第二預設區(qū)域的部分鈍化層的厚度不小于所述第一鈍化層的厚度。
[0031]上述實施例中，第一鈍化層窗口為壓焊墊對應的鈍化層窗口，第一鈍化層窗口的鈍化層已經被完全刻蝕掉，可滿足集成電路封裝打線的要求；第二鈍化層窗口為激光熔絲對應的鈍化層窗口，第一鈍化層已經被刻蝕掉，在集成電路上留下明顯的鈍化層窗口印記，只要用設定能量的激光束照射該鈍化層窗口印記位置的激光熔絲，就可以使得熔絲熔斷。
[0032]本發(fā)明實施例提供了一種包含激光熔絲的集成電路的制造方法，該方法包括:
[0033]在包含壓焊墊和激光熔絲的集成電路半成品上淀積鈍化層；
[0034]在所述鈍化層的表面涂覆光刻膠；
[0035]通過圖形化處理工藝去除第一預設區(qū)域的光刻膠，所述第一預設區(qū)域位于所述激光熔絲所在的區(qū)域；
[0036]通過刻蝕工藝去除第一預設區(qū)域的部分鈍化層，形成第一鈍化層窗口 ；
[0037]去除形成第一鈍化層窗口之后的集成電路半成品表面剩余的光刻膠，在形成所述第一鈍化層窗口之后的集成電路半成品表面再次涂覆光刻膠；
[0038]通過圖形化處理工藝去除再次涂覆光刻膠的集成電路半成品的第二預設區(qū)域的光刻膠，所述第二預設區(qū)域位于所述壓焊墊所在的區(qū)域；
[0039]通過刻蝕工藝去除第二預設區(qū)域的全部鈍化層，形成第二鈍化層窗口 ；
[0040]去除覆蓋在所述鈍化層表面上的剩余光刻膠，形成包含壓焊墊和激光熔絲的集成電路。
[0041]上述實施例中，由于對壓焊墊對應的鈍化層窗口以及激光熔絲對應的鈍化層窗口分別進行刻蝕，避免了對壓焊墊對應的鈍化層窗口進行過刻蝕時，造成激光熔絲對應的鈍化層窗口中的介質層被刻蝕掉，進而導致對集成電路進行修調時，飛濺的金屬殘渣落在集成電路裸露的襯底基板上的問題。并且上述實施例中刻蝕工藝去除了第二預設區(qū)域的部分鈍化層，激光熔絲被包覆在剩余的鈍化層中，當對集成電路進行激光修調時，由于熔絲被鈍化層包覆，減少了熔絲在被激光束熔斷時熔絲金屬的飛濺，提高了激光修調的合格率。
[0042]本發(fā)明實施例鈍化層包括第一鈍化層和第二鈍化層，其中第一鈍化層覆蓋在第二鈍化層上；所述去除第一預設區(qū)域的部分鈍化層，包括:去除的第一預設區(qū)域的部分鈍化層的厚度不小于所述第一鈍化層的厚度。
[0043]上述實施例中，第二鈍化層窗口為壓焊墊對應的鈍化層窗口，第二鈍化層窗口的鈍化層已經被完全刻蝕掉，可滿足集成電路封裝