/或掩模板對位標記320’。在另一些實施例中，刻蝕阻擋層90可以還可以對應覆蓋外圍區(qū)300的其他部分。此處“對應覆蓋”包含直接接觸，或非直接接觸時上下對應關系。
[0083]開口 71與掩模板對位標記320和/或掩模板對位標記320’相匹配。在一實施例中，僅使用一個掩模板對位標記進行對位，則開口 71僅與一個掩模板對位標記匹配。在另一實施例中，同時使用兩個掩模板對位標記進行對位，則第二保護層70在外圍區(qū)300具有兩個開口 71，分別與兩個掩模板對位標記匹配。
[0084]具體而言，開口 71具有匹配圖案72，意即，在開口 71內(nèi)并未被刻蝕的圖案。開口71與掩模板對位標記320和/或掩模板對位標記320’相匹配，例如，匹配圖案72與掩模板對位標記的對位標記位置對應、圖案互補或相同。下面參考圖9，以掩模板對位標記320’為例，說明匹配圖案72與掩模板對位標記320’的開口圖案(對位標記圖案)322’的互補的情況。開口圖案322’為在限定區(qū)域321’內(nèi)的兩橫兩豎，匹配圖案72為開口圖案322’兩橫之間中心位置的一橫，以及開口圖案322’兩豎之間中心位置的一豎。換言之，開口圖案322’與匹配圖案72共同構成一個三橫三豎的圖案，該三橫以相同的間隔平行排列，該三豎以相同的間隔垂直排列。開口圖案322’與匹配圖案72分別為該三橫三豎的圖案的一部分，并共同構成該三橫三豎的圖案，由此可見，開口圖案322’與匹配圖案72互補。在另一些實施例中，開口圖案322’及匹配圖案72共同構成一個其他的圖案，并不以此為限。在又一實施例中，開口圖案322’與匹配圖案72相同，例如都是兩橫兩豎的圖案，或者都是三橫三豎的圖案，或者其他圖案。在掩模板對位時，匹配圖案與對位標記圖案位置對應。以開口圖案與匹配圖案相同為例，當進行對位時，匹配圖案與對位標記圖案位置對應是指匹配圖案在平板圖像傳感器上的投影與對位標記重合。本領域技術人員可以實現(xiàn)各種不同匹配圖案與對位標記圖案位置對應、圖案相同或互補的實施例，并不以此為限。
[0085]參考圖10和圖11，對本發(fā)明具有測試區(qū)的平板圖像傳感器進行描述。本發(fā)明第二實施例的平板圖像傳感器與第一實施例中的平板圖像傳感器不同的是，外圍區(qū)300還包括多個測試區(qū)。本領域技術人員可以理解，在平板圖像傳感器的制程中，尤其是第二保護層70的刻蝕制程中，還需要對傳感元件的電性能以及第二保護層70的工藝參數(shù)進行測試，因此，第二實施例的外圍區(qū)300還包括多個測試區(qū)，其需要在第二保護層70形成開口或過孔。為了防止第二保護層70測試區(qū)的開口或過孔使其鄰近的像素受到溫濕度的影響，本實施例提供的平板圖像傳感器的刻蝕阻擋層90還對應覆蓋測試區(qū)。
[0086]在一實施例中，外圍區(qū)300的測試區(qū)可以是傳感器元件的電性能測試區(qū)，其用于測試傳感元件中各電極的電性能。電性能測試區(qū)優(yōu)選地，設置有引線端子340。引線端子340連接待測試電極，待測試電極可以是TFT元件的柵極電極211、源極電極213、漏極電極
214、光電二極管的第一端電極221或者第二端電極223或者上電極層80。第二保護層70具有對應于引線端子340的過孔74。本實施例的待測試電極為TFT元件的源電極213。源電極213延伸至外圍區(qū)形成引線端子340。第二保護層70、第一保護層60以及第一絕緣層50被刻蝕以形成對應引線端子340的過孔74，其中，刻蝕阻擋層90與引線端子340連接。測試時，通過該過孔電性連接刻蝕阻擋層90進而電性連接引線端子340，來對該引線端子340對應的電極進行測試。若待測試電極是上電極層80，則刻蝕阻擋層90可作為上電極層80的引線端子，第二保護層70被刻蝕以形成暴露刻蝕阻擋層90的過孔，其結構與圖11相同。
[0087]在另一實施例中，如圖11所示，第二保護層包括與測試區(qū)330對應設置的開口 73，至少用于測試第二保護層70的線寬和/或?qū)ξ黄?。例如，使用外部設備對在開口 73內(nèi)對第二保護層70的各項工藝參數(shù)進行測量。
[0088]外圍區(qū)300可以包括測試多個不同電極的電性能測試區(qū)以及測試第二保護層70的工藝參數(shù)的測試區(qū)330，本領域技術人員可以實現(xiàn)各種不同的組合，在此不予贅述。
[0089]由于外圍區(qū)300的刻蝕阻擋層90對應覆蓋上述測試區(qū)，因此，第二保護層70的作為測試區(qū)的開口 73或過孔74刻蝕至刻蝕阻擋層90上，并暴露刻蝕阻擋層90?？涛g阻擋層90之下的第一保護層60、第一絕緣層50和/或柵絕緣層40并不會被刻蝕掉，進而保護了開口 73或過孔74附近的像素中傳感元件不受開口 73或過孔74處的溫濕度的影響。
[0090]本發(fā)明提供的平板圖像傳感器的制造方法參見圖12，其包括如下步驟:
[0091]步驟S101，提供一襯底100，襯底100包括像素區(qū)200和外圍區(qū)300。
[0092]步驟S102，在像素區(qū)200形成傳感元件，在外圍區(qū)300形成至少一掩模板對位標記。
[0093]具體而言，傳感元件包括TFT元件以及光電二極管。形成傳感元件的步驟包括:依次在襯底100上形成TFT元件的柵極電極211、TFT元件的柵絕緣層40、TFT元件的半導體層212、TFT元件的源極電極213、TFT元件的漏極電極214、光電二極管的第一端電極221、光電二極管的功能結構層222以及光電二極管的第二端電極223，其中，光電二極管的第一端電極221是與源極電極213、漏極電極214同時形成的同一層。;掩模板對位標記320、320’可以是與柵極電極211或者源極電極213、漏極電極214同步形成的同一層。第一絕緣層50延伸至外圍區(qū)300的掩模板對位標記320和/或掩模板對位標記320’上。
[0094]步驟S104，在外圍區(qū)300的至少一個掩模板對位標記之上和像素區(qū)200的源極、漏極電極上形成第一絕緣層50，并刻蝕第一絕緣層50形成暴露第一端電極221的開口，功能結構層222通過第一絕緣層50的開口與第一端電極221連接。
[0095]步驟S104，在傳感元件上形成第一保護層60。在本實施例中，在第二端電極223上形成第一保護層60，并刻蝕第一保護層60形成暴露第二端電極223的開口。第一保護層延伸至外圍區(qū)300。
[0096]步驟S105，形成上電極層80和刻蝕阻擋層90。其中，上電極層80位于像素區(qū)200內(nèi)的第一保護層60之上，上電極層80通過第一保護層60上的開口與光電二極管電的第二端電極223連接。刻蝕阻擋層90位于外圍區(qū)300內(nèi)的第一保護層60之上。
[0097]優(yōu)選地，刻蝕阻擋層90與上電極層80是同步形成的同一層。具體而言，刻蝕阻擋層90與上電極層80通過如下方式形成，在第一保護層60上形成透明導電層，并在透明導電層上涂布光刻膠，使用一掩模板對透明導電層進行光刻。該掩模板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域。若涂布的光刻膠為正性光刻膠，則其不透光區(qū)域與上電極層80和刻蝕阻擋層90的圖案相同，其不透光區(qū)域至少對應覆蓋掩模板對位標記。若涂布的光刻膠為負性光刻膠，則其透光區(qū)域與上電極層80和刻蝕阻擋層90的圖案相同，其透光區(qū)域至少對應覆蓋掩模板對位標記。在另一實施例中，刻蝕阻擋層90與上電極層80可使用不同的材料分別形成。
[0098]步驟S106，形成第二保護層70。第二保護層70覆蓋上電極層80和刻蝕阻擋層90?？涛g第二保護層70以在外圍區(qū)300中形成開口 71，開口 71暴露出刻蝕阻擋層90，開口 71與掩模板對位標記320和/或掩模板對位標記320’匹配。
[0099]具體而言，刻蝕第二保護層70的步驟包括:
[0100]在第二保護層70上涂布光刻膠，并使用另一掩模板對第二保護層70進行光刻。第二保護層70的掩模板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，該掩模板具有對位圖案，對位圖案使第二保護層70形成開口 71，并與掩模板對位標記320和/或掩模板對位標記320’匹配。當使用正性光刻膠時，對位圖案的透光區(qū)域與開口 71圖案相同。當使用負性光刻膠時，對位圖案的不透光區(qū)域與開口 71圖案相同。優(yōu)選地，第二保護層70上涂布的光刻膠與透明導電層上涂布的光刻膠是相同的。
[0101 ] 在上述實施例的一個變化例中，平板圖像傳感器的制造方法還包括在外圍區(qū)300形成多個測試區(qū)。多個測試區(qū)可用于傳感元件電極的電性能測試，也可以用于第二保護層70的工藝參數(shù)測試。
[0102]在外圍區(qū)300形成傳感元件電極的電性能測試區(qū)的步驟包括:
[0103]在外圍區(qū)300形成引線端子340，引線端子340連接待測試電極并與待測試電極同步形成。該待測試電極可以是柵極電極211、源極電極213、漏極電極214、第一端電極221和/或第二端電極223和/或所述上電極層80?？涛g第二保護層70和引線端子340上的保護層和/或絕緣層以形成對應于引線端子的過孔74。例如，待測試電極為第二端電極223，引線端子與第二端電極223同步形成并連接第二端電極223。刻蝕第二保護層和第一保護層60以形成對應于引線端子340的過孔74。又例如，待測試電極為源極電極213、漏極電極214，引線端子與源極電極213、漏極電極