相同的元件以相同的標(biāo)號(hào)表示。半導(dǎo)體發(fā)光兀件100B與半導(dǎo)體發(fā)光兀件100A的差異在于:第二電極154與發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110之間可不配置第二透明介電圖案134A。進(jìn)一步而言，第二電極154可與第二半導(dǎo)體層114接觸。半導(dǎo)體發(fā)光兀件100B與半導(dǎo)體發(fā)光兀件100A相同處可參照對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光兀件100A的說(shuō)明，在此便不再重述。此外，半導(dǎo)體發(fā)光元件100B具有半導(dǎo)體發(fā)光元件100A類似的優(yōu)點(diǎn)及功效，這也不再重述。
[0052]圖5為本發(fā)明再一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。圖5的半導(dǎo)體發(fā)光元件100C與圖1F的半導(dǎo)體發(fā)光元件100類似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號(hào)表示。半導(dǎo)體發(fā)光元件100C與半導(dǎo)體發(fā)光元件100的差異在于:第一透明介電圖案132C與發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110之間可不具有空穴，而第二透明介電圖案134與發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110之間可具有空穴120’。半導(dǎo)體發(fā)光元件100C與半導(dǎo)體發(fā)光元件100相同處可參照對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光元件100的說(shuō)明，在此便不再重述。此外，半導(dǎo)體發(fā)光元件100C具有半導(dǎo)體發(fā)光元件100類似的優(yōu)點(diǎn)及功效，這也不再重述。
[0053]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。圖6的半導(dǎo)體發(fā)光元件100D與圖5的半導(dǎo)體發(fā)光元件100C類似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號(hào)表示。半導(dǎo)體發(fā)光兀件100D與半導(dǎo)體發(fā)光兀件100C的差異在于:第一電極152與發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110之間可不配置第一透明介電圖案132C。半導(dǎo)體發(fā)光兀件100D與半導(dǎo)體發(fā)光兀件100C相同處可參照對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光元件100C的說(shuō)明，在此便不再重述。此外，半導(dǎo)體發(fā)光元件100D具有半導(dǎo)體發(fā)光元件100C類似的優(yōu)點(diǎn)及功效，這也不再重述。
[0054]綜上所述，本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件利用透明介電圖案與發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)間的空穴，可使發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)發(fā)出的光束在空穴邊界處發(fā)生反射及折射至少其中之一，而使光束偏離電極圖案。如此一來(lái)，光束被電極圖案吸收的機(jī)率便可降低，從而半導(dǎo)體發(fā)光元件的外部取光效率可明顯提升。
[0055]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0056]上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括: 發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括: 第一半導(dǎo)體層； 第二半導(dǎo)體層，相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體層；以及 發(fā)光層，位于所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間； 透明介電圖案，位于所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方；以及電極圖案，位于所述透明介電圖案上方，其中所述透明介電圖案以及所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間具有至少一個(gè)空穴，且所述空穴與所述電極圖案相對(duì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴的邊墻包括所述透明介電圖案所形成的頂蓋部與側(cè)壁部，且所述側(cè)壁部位于所述頂蓋部與所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間并暴露部分的所述頂蓋部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴具有開口，而所述開口的開口方向與垂直于所述發(fā)光層的方向交錯(cuò)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴的橫向剖面寬度不小于所述電極圖案對(duì)應(yīng)的橫向剖面寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴為二個(gè)以上，并至少一部分為等距間隔排列或非等距排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件還包括:透明導(dǎo)電層，設(shè)置于所述透明介電圖案與所述電極圖案之間，其中所述透明導(dǎo)電層覆蓋所述透明介電圖案、所述空穴以及至少部分的所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
7.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括: 發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括: 第一半導(dǎo)體層； 第二半導(dǎo)體層，相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體層；以及 發(fā)光層，位于所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間； 第一透明介電圖案，配置于所述第一半導(dǎo)體層上方； 第二透明介電圖案，配置于所述第二半導(dǎo)體層上方； 第一電極，配置于所述第一透明介電圖案上方；以及 第二電極，配置于所述第二透明介電圖案上方且與所述第一電極分離，其中所述第一透明介電圖案與所述第二透明介電圖案至少其中之一與所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)間具有至少一個(gè)空穴，且所述至少一個(gè)空穴與所述第一電極、所述第二電極至少其中之一相對(duì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件還包括:透明導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第一透明介電圖案與所述第一電極之間，且覆蓋所述第一透明介電圖案以及至少部分的所述第一半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述至少一個(gè)空穴為多個(gè)空穴，這些空穴包括至少一個(gè)第一空穴以及至少一個(gè)第二空穴，所述第一透明介電圖案與所述第一半導(dǎo)體層間具有所述至少一個(gè)第一空穴，而所述第二透明介電圖案與所述第二半導(dǎo)體層間具有所述至少一個(gè)第二空穴。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述至少一個(gè)空穴為至少一個(gè)第一空穴，所述第一透明介電圖案與所述第一半導(dǎo)體層間具有所述至少一個(gè)第一空穴，且所述至少一個(gè)第一空穴的開口方向與所述第一電極的延伸切線方向垂直。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述至少一個(gè)空穴為至少一個(gè)第二空穴，所述第二透明介電圖案與所述第二半導(dǎo)體層間具有所述至少一個(gè)第二空穴，且所述至少一個(gè)第二空穴的開口方向與所述第二電極的延伸切線方向平行。
12.—種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包括: 提供發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)； 形成透明介電圖案于所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方； 形成空穴于所述透明介電圖案與所述發(fā)光半導(dǎo)體層之間；以及 形成電極圖案于所述透明介電圖案上方。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述形成空穴的步驟為:形成定義圖案于發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方，然后形成透明介電圖案于定義圖案上方且暴露定義圖案的至少一個(gè)側(cè)壁，再令蝕刻液與所述定義圖案的所述至少一個(gè)側(cè)壁接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻液能蝕刻所述定義圖案而不能蝕刻所述透明介電圖案。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，其中半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：第一半導(dǎo)體層；第二半導(dǎo)體層，相對(duì)于所述第一半導(dǎo)體層；以及發(fā)光層，位于所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間；透明介電圖案，位于所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分的上方；以及電極圖案，位于所述透明介電圖案上方，其中所述透明介電圖案以及所述發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間具有至少一個(gè)空穴，且所述空穴與所述電極圖案相對(duì)。本發(fā)明中，光束被電極圖案吸收的機(jī)率可以降低，從而半導(dǎo)體發(fā)光元件的外部取光效率明顯提升。
【IPC分類】H01L33-10, H01L33-40, H01L33-00
【公開號(hào)】CN104576841
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410335371
【發(fā)明人】曾嘉裕, 劉宇軒
【申請(qǐng)人】璨圓光電股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年7月15日
【公告號(hào)】US20150108532