單元120的出光角度范圍。如此一來，本實施例的發(fā)光二極管結構10a可具有較大的出光角度與較佳的出光效率。
[0044]在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。
[0045]圖2為本發(fā)明的另一實施例的一種發(fā)光二極管結構的剖面示意圖。請參考圖2，本實施例的發(fā)光二極管結構10b與圖1的發(fā)光二極管結構10a相似，惟二者主要差異之處在于:本實施例的發(fā)光二極管結構10b可通過粗化處理來增加光取出率。詳細來說，本實施例的基板IlOb的導光部114b具有彼此相對的上表面111b、下表面113b以及連接上表面Illb與下表面113b的側表面115b，其中導光部114b的上表面Illb為粗糙表面，或是側表面115b為粗糙表面，也可導光部114b的上表面Illb與側表面115b皆為粗糙表面。此處，此粗糙表面的中心線平均粗糙度介于100納米至3000納米之間，較佳地，粗糙表面為周期性的圖案化表面，但并不以此為限。
[0046]由于本實施例的導光部114b的上表面11 Ib及側表面115b為粗糙表面，因此導光部114b除了具有導光的效果之外，其也具有散射的效果，可將發(fā)光單元120由突出部112b進入導光部114b內的光束散射出去,進而增大發(fā)光單兀120的出光角度范圍。如此一來，本實施例的發(fā)光二極管結構10b可具有較大的出光角度與較佳的出光效率。此外，由于導光部114b的上表面Illb及側表面115b相較于突出部112b較遠離發(fā)光單元120，因此對上表面Illb及側表面115b的粗化處理并不會影響到發(fā)光單元120的出光效率。
[0047]圖3為本發(fā)明的另一實施例的一種發(fā)光二極管結構的剖面示意圖。請參考圖3，本實施例的發(fā)光二極管結構10c與圖1的發(fā)光二極管結構10a相似，惟二者主要差異之處在于:本實施例的基板IlOc具有彼此相對的上表面111c、下表面113c以及連接上表面Illc與下表面113c的側表面115c,其中側表面115c與下表面113c的法線方向N之間具有夾角α，且夾角α介于10度至80度之間，可有效提高發(fā)光單元120的出光效率。此處，基板IlOc的突出部112c的外型輪廓具體化為矩形，而基板IlOc的導光部114c的外型輪廓具體化為梯形。
[0048]圖4為本發(fā)明的另一實施例的一種發(fā)光二極管結構的剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的發(fā)光二極管結構10d與圖1的發(fā)光二極管結構10a相似，惟二者主要差異之處在于:本實施例的基板IlOd具有彼此相對的上表面11 Id、下表面113d以及連接上表面Illd與下表面113d的側表面115d，其中側表面115d包括倒角面117d以及垂直面119d。倒角面117d連接上表面Illd與垂直面119d，而垂直面119d連接倒角面117d與下表面113d。需說明的是，基板IlOd的導光部114d的側表面115d的設計可以有效提高發(fā)光單元120的出光效率，并且可以改善基板IlOd邊緣的機械強度，以避免應力集中造成缺陷。此處，基板IlOd的突出部112d的外型輪廓具體化為矩形，而基板IlOd的導光部114d的外型輪廓具體化為具有倒角結構的矩形。
[0049]此外，在其他未示出的實施例中，為了更進一步增加出光角度與出光效率，也可選用于如前述實施例所提及的具有粗糙表面的導光部114b (請參考圖2)、具有斜面的導光部114c (請參考圖3)或具有倒角的導光部114d (請參考圖4)，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述構件，以達到所需的技術效果。
[0050]綜上所述，本發(fā)明的基板的突出部與導光部之間為無接縫連接，且突出部的水平投影面積小于導光部的水平投影面積，意即本發(fā)明基板可視為凸型基板。因此，發(fā)光單元所發(fā)出的光束的一部分可通過導光部的導光效果，而增大發(fā)光單元的出光角度范圍。如此一來，本發(fā)明的發(fā)光二極管結構可具有較大的出光角度與較佳的出光效率。
[0051]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。
【主權項】
1.一種發(fā)光二極管結構，其特征在于，包括: 基板，具有突出部以及導光部，其中該基板的該導光部具有與上表面彼此相對的下表面以及連接該上表面與該下表面的側表面，該突出部與該導光部之間為無接縫連接，且該突出部的水平投影面積小于該導光部的水平投影面積；以及發(fā)光單元，配置于該基板的該突出部上，且包括: 第一型半導體層，配置于該基板的該突出部上； 發(fā)光層，覆蓋部分該第一型半導體層；以及 第二型半導體層，配置于該發(fā)光層上，其中該發(fā)光單兀適于發(fā)出光束，該光束的一部分由該突出部進入該導光部，并自該導光部未被該突出部所遮蔽的該上表面射出。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，還包括: 第一電極，配置于未被該發(fā)光層所覆蓋的該第一型半導體層上；以及 第二電極，配置于該第二型半導體層上，其中該第一電極與該第二電極位于該基板的同一側。
3.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該基板的該突出部的厚度小于該導光部的厚度。
4.根據權利要求3所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該基板的該導光部的厚度為該突出部的厚度的100倍至200倍。
5.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該基板的該導光部的水平投影面積為該突出部的水平投影面積的1.1倍至10倍。
6.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該導光部的該上表面為粗糙表面。
7.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該導光部的該側表面為粗糙表面。
8.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該導光部的該上表面與該側表面皆為粗糙表面。
9.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該側表面與該下表面的法線方向之間具有夾角，且該夾角介于10度至80度之間。
10.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該側表面包括倒角面以及垂直面，該倒角面連接該上表面與該垂直面，而該垂直面連接該倒角面與該下表面。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結構，包括基板以及發(fā)光單元。基板具有突出部以及導光部。突出部與導光部之間為無接縫連接，且突出部的水平投影面積小于導光部的水平投影面積。發(fā)光單元配置于基板的突出部上。發(fā)光單元適于發(fā)出光束，且光束的一部分由突出部進入導光部，并自導光部未被突出部所遮蔽的上表面射出。
【IPC分類】H01L33-10, H01L33-22, H01L33-20
【公開號】CN104576866
【申請?zhí)枴緾N201410530766
【發(fā)明人】李允立, 黃靖恩, 丁紹瀅, 吳志凌, 黃逸儒, 羅玉云
【申請人】新世紀光電股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年10月10日
【公告號】US20150102379