傳感器400并且旋轉(zhuǎn)軸被指定 為z軸的情況下，科里奧利力在與速度方向正交的方向被施加到兩個(gè)臂120和130的每一 個(gè)，并且激勵(lì)以面外振動(dòng)模式發(fā)生。面外振動(dòng)模式是指其中兩個(gè)臂120和130在正交于這 兩個(gè)臂120和130的主面的方向被激發(fā)的振動(dòng)模式。例如，當(dāng)施加到一個(gè)臂120的科里奧 利力F在-Y方向時(shí)，施加到另一個(gè)臂130的科里奧利力F2在+Y方向。
[0064] 科里奧利Fl和F2的大小與角速度《成正比，并且因此，角速度《可以通過(guò)由壓 電層30將臂120和130由于科里奧利力Fl和F2的機(jī)械應(yīng)變轉(zhuǎn)換為電信號(hào)（檢測(cè)信號(hào)） 并從檢測(cè)電極層36c和36d取得而確定。
[0065] 通過(guò)使用本發(fā)明的顯示出小的泄漏電流和大的位移的壓電層來(lái)作為壓電層，能夠 獲得耐高壓性和足夠的檢測(cè)靈敏度。
[0066] 圖7C是作為包括上述壓電元件的壓電傳感器的第二示例的壓力傳感器的結(jié)構(gòu) 圖。
[0067] 壓力傳感器500具有空腔45以響應(yīng)壓力的施加，并且另外，由支撐構(gòu)件44形成以 支撐壓電元件40、電流放大器46和電壓測(cè)量?jī)x器47。壓電元件40包括以此順序在支撐構(gòu) 件44上層疊的共用電極層41、壓電層42和單獨(dú)電極層43。在這里，當(dāng)施加外力時(shí)，壓電元 件40被彎曲，并且電壓由電壓測(cè)量?jī)x器47檢測(cè)。
[0068] 通過(guò)使用本發(fā)明的顯示出小的泄漏電流和大的位移的壓電層來(lái)作為壓電層，能夠 獲得耐高壓性和足夠的檢測(cè)靈敏度。
[0069] 圖7D是作為包括上述壓電元件的壓電傳感器的第三示例的脈沖波傳感器的結(jié)構(gòu) 圖。
[0070] 脈沖波傳感器600經(jīng)配置在襯底51上配備有發(fā)送壓電元件和接收壓電元件。在 這里，在發(fā)送壓電元件中，電極層54a和55a被設(shè)置在厚度方向上的發(fā)送壓電層52的兩個(gè) 表面上，并且在接收壓電元件中，電極層54b和55b也被設(shè)置在厚度方向上的接收壓電層53 的兩個(gè)表面上。另外，電極56和上表面電極57被設(shè)置在襯底51上，其中電極層54b和55b 分別由布線電連接到上表面電極57。
[0071] 為檢測(cè)活體的脈沖，首先，使脈沖波傳感器600的襯底背面（不配備壓電元件的表 面）與活體接觸。然后，當(dāng)檢測(cè)到脈沖時(shí)，一個(gè)特定的驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)被輸出到發(fā)送壓電元件 的兩個(gè)電極層54a和55a。發(fā)送壓電兀件根據(jù)輸入到這兩個(gè)電極層54a和55a的驅(qū)動(dòng)電壓 信號(hào)被激勵(lì)，以便產(chǎn)生超聲波并將超聲波發(fā)射到活體內(nèi)。發(fā)送到活體的超聲波被血流反射 并且由接收壓電元件接收。接收壓電元件將接收到的超聲波轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)并從兩個(gè)電極 層54b和55b輸出。
[0072] 通過(guò)使用本發(fā)明的顯示出小的泄漏電流和大的位移的壓電層作為來(lái)這兩個(gè)壓電 層，能夠獲得耐高壓性和足夠的檢測(cè)靈敏度。
[0073](硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器）
[0074] 圖8是配備有在圖6A中所示的磁頭組件的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)圖。
[0075] 硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器700具有用作記錄介質(zhì)和磁頭組合件62以將磁信息記錄于其上并在 機(jī)殼60中重新生成的硬盤(pán)61。硬盤(pán)61由馬達(dá)旋轉(zhuǎn)，盡管在圖中未示出。
[0076] 在磁頭組合件62中，通過(guò)由音圈馬達(dá)63以諸如圍繞連接到該致動(dòng)器臂64的主軸 和磁頭組件65自由旋轉(zhuǎn)的方式支撐的致動(dòng)器臂64形成的多個(gè)組件在附圖中在深度方向 被層疊。磁頭滑動(dòng)器19以諸如相對(duì)硬盤(pán)61的方式被附接到磁頭組件65的端部（參考圖 6A) 〇
[0077] 至于磁頭組件65,其中在兩個(gè)步驟中上下移動(dòng)的磁頭元件19a(參考圖6A)的形 式被采用。磁頭元件19a的相對(duì)大的運(yùn)動(dòng)通過(guò)基于音圈馬達(dá)63的磁頭組件65和致動(dòng)器臂 64的完全驅(qū)動(dòng)來(lái)控制，并且精細(xì)運(yùn)動(dòng)通過(guò)由磁頭組件65的端部驅(qū)動(dòng)磁頭滑動(dòng)器19控制。
[0078] 通過(guò)使用本發(fā)明的顯示出小的泄漏電流和大的位移的壓電層來(lái)作為用于該磁頭 組件65的壓電元件中的壓電層，能夠獲得耐高壓性和足夠的可達(dá)性（accessibility)。
[0079](噴墨打印機(jī)裝置）
[0080] 圖9是配備有在圖6B中所示的噴墨打印機(jī)噴頭的噴墨打印機(jī)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0081] 噴墨打印裝置800被配置為主要包括噴墨打印機(jī)噴頭70、主體71、托盤(pán)72和噴頭 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)73。
[0082] 噴墨打印裝置800總計(jì)具有四種顏色黃色、品紅、青色和黑色的墨盒，并且經(jīng)配置 能夠執(zhí)行全彩色打印。另外，該噴墨打印機(jī)裝置800在內(nèi)側(cè)具有專(zhuān)用控制器板等，并且噴墨 打印機(jī)噴頭70的噴墨定時(shí)和噴頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)73的掃描被控制。與此同時(shí)，主體71上在背面 具有托盤(pán)72,并在內(nèi)側(cè)具有自動(dòng)供紙器（自動(dòng)連續(xù)進(jìn)紙機(jī)構(gòu)）76,以便自動(dòng)發(fā)送記錄紙75 并且從前置遞送端口 74遞送記錄紙75。
[0083] 通過(guò)使用本發(fā)明的顯示出小的泄漏電流和大的位移的壓電層，來(lái)作為用于噴墨打 印機(jī)噴頭70的壓電致動(dòng)器的壓電元件中的壓電層，能夠提供具有耐高壓性和高安全性的 噴墨打印裝置。
[0084] 實(shí)施例
[0085] 在下文中基于實(shí)施例和比較例進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí) 施例。
[0086](實(shí)施例1)
[0087] 圖3是示出實(shí)施例1的薄膜壓電元件100的配置圖。
[0088]具有（100)取向和400ym的厚度的硅襯底7被加熱到400°C，并且Pt通過(guò)濺射法 在具有娃襯底7的取向的外延生長(zhǎng)下在娃襯底7上沉積至200nm，形成第一電極層5。在這 種情況下，沉積速率為〇? 2nm/sec〇
[0089]然后，硅襯底7被加熱到550°C，并且鈮酸鉀鈉（KNN)通過(guò)濺射法使用在0. 2Pa的 氣壓下具有5 %的氧（O2)含量的氬-氧混合（Ar+02)氣體外延生長(zhǎng)至lOOOnm，形成壓電薄 膜3的第一層31。高頻電源被用作施加電源，并且施加到直徑150mm的目標(biāo)的輸出值線性 地從沉積開(kāi)始的800W變到沉積結(jié)束的1200W。然后，鈮酸鉀鈉（KNN)通過(guò)濺射法使用如上 所述的相同的氣壓下的相同的氣體外延生長(zhǎng)至l〇〇〇nm，形成第二層32。所施加的輸出值線 性地從沉積開(kāi)始的1200W變到沉積結(jié)束的800W。
[0090] 接下來(lái)，Pt通過(guò)濺射法在常溫下沉積至200nm以形成第二電極層1。在這種情況 下，沉積速率為〇? 2nm/sec〇
[0091] 在第二電極層1形成后，壓電薄膜3、第一電極層5和第二電極層1通過(guò)光刻和干 法蝕刻或濕法蝕刻進(jìn)行圖案化，并且進(jìn)一步地硅襯底7被切割以形成具有1_X2mm的可動(dòng) 部分的尺寸的實(shí)施例1的薄膜壓電元件100。
[0092](實(shí)施例2)
[0093] 具有（100)取向的硅襯底7被加熱到400°C，并且Pt通過(guò)濺射法在具有硅襯底7 的取向的外延生長(zhǎng)下在硅襯底7上沉積至200nm，形成第一電極層5。在這種情況下，沉積 速率為 0. 2nm/sec。
[0094]然后，硅襯底7被加熱到550°C，并且鈮酸鉀鈉（KNN)通過(guò)濺射法使用在0. 2Pa的 氣壓下具有5%的氧（O2)含量的氬-氧混合（Ar+02)氣體外延生長(zhǎng)至1500nm，形成壓電薄 膜3的第一層31。高頻電源被用作施加電源，并且施加到直徑150mm的目標(biāo)的輸出值線性 地從沉積開(kāi)始的800W變到沉積結(jié)束的1200W。然后，鈮酸鉀鈉（KNN)通過(guò)濺射法使用如上 所述的相同的氣壓下的相同的氣體外延生長(zhǎng)至500nm，形成第二層32。所施加的輸出值線 性地從沉積開(kāi)始的1200W變到沉積結(jié)束的1000W。
[0095] 接下來(lái)，Pt通過(guò)濺射法在常溫下沉積至200nm以形成第二電極層1。在這種情況 下，沉積速率為〇? 2nm/sec〇
[0096] 在第二電極層1形成后，壓電薄膜3、第一電極層5和第二電極層1通過(guò)光刻和干 法蝕刻或濕法蝕刻進(jìn)行圖案化，并且進(jìn)一步地，硅襯底7被切割以形成具有l(wèi)_X2mm的可 動(dòng)部分的尺寸的實(shí)施例2的薄膜壓電元件100。
[0097](實(shí)施例3)
[0098] 在實(shí)施例3中，在圖3中示出的壓電薄膜3包括一層。具有（100)取向的硅襯底 7被加熱到400 °C，并且Pt通過(guò)濺射法在具有硅襯底7的取向的外延生長(zhǎng)下在硅襯底7上 沉積至200nm，形成第一電極層5。在這