處理腔室及基板處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及處理腔室及基板處理裝置，更詳細地說涉及可提高基板處理能力的處理腔室，及利用所述處理腔室處理基板的基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]隨著半導體元件的規(guī)模逐漸縮小，對超薄膜的需求正在不斷增加，并且連接孔的大小縮小的同時對臺階覆蓋(step coverage)的問題也越來越嚴重。
[0003]一般地說，在半導體裝置的制造工序中為了均勻地沉積薄膜，適用濺射法(sputtering)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposit1n, CVD)、原子層沉積法(atomic layer deposit1n，ALD)。
[0004]其中，化學氣相沉積法(CVD)是最廣泛利用的沉積技術，其利用反應氣體與分解氣體將要求厚度的薄膜沉積在基板上，化學氣相沉積法(CVD)，首先將多樣的氣體注入到處理腔室，化學反應被如同熱、光、等離子的高能量誘導的氣體，進而將要求厚度的薄膜沉積在基板上。另外，在化學氣相沉積法中，通過以能量反應的程度施加的等離子或氣體的比例(rat1)及量(amount)來控制反應條件，進而增加沉積率，但是由于反應快，因此很難控制原子的熱力學(thermodynamic)穩(wěn)定性，且降低薄膜的物理性、化學性、電氣性特性。
[0005]另一方面，原子層沉積法(ALD)是交替供應原料氣體(反應氣體)與吹掃氣體來沉積原子層的方法，據(jù)此形成的薄膜持良好的涂覆特性適用于大口徑基板及超薄膜，且電氣性物理性特性優(yōu)秀。一般地說，原子層沉積法是首先供應第I原料氣體，在基板表面化學性吸附(chemical adsorpt1n) 一層第I原料，對于剩余物理性吸附的原料在流入吹掃氣體進行吹掃之后，在一層原料上供應第2原料氣體來化學反應一層的第I原料與第2原料氣體來沉積所需原子層薄膜，對于剩余反應氣體流入吹掃氣體進行吹掃，將這一過程為一周期(cycle)來沉積薄膜。如上所述，原子層沉積方法利用表面反應機制(surfacereact1n mechanism)，進而不僅可獲得穩(wěn)定的薄膜，還可獲得均勾的薄膜。另外，原子層沉積法相互分離原料氣體與反應氣體來依序注入及吹掃，因此相比于化學氣相沉積法可抑制因氣相反應(gas phase react1n)而生成的顆粒。
[0006]圖1是圖示噴頭方式的原子層薄膜沉積裝置構成的概略圖。
[0007]噴頭方式的原子層薄膜沉積裝置，包括:處理腔室2，其具有反應空間1，依序供應反應氣體與吹掃氣體，在基板3進行原子層沉積；基板支撐架4，其設置在所述處理腔室2下部來安裝基板3 ;噴頭5，其與所述基板架4相對將氣體噴射到反應空間I ;閥門6，其分別設置在供應到所述噴頭5的供應路徑來開關氣體供應。在這里，所述處理腔室2為了將供應于反應空間I的氣體排放到外部與抽氣手段連接。同樣地，現(xiàn)有的原子層薄膜沉積裝置，為了將反應氣體及吹掃氣體密度均勻地露在基板3上，且為了在反應路徑I快速供應及清除氣體，其構成小體積的處理腔室2。
[0008]另一方面，化學氣相沉積裝置(CVD)或原子層薄膜沉積裝置(ALD)的情況，存在處理基板的量產力小的問題，這是因為就算在基板支撐架的平面上放置多個基板進行化學氣相沉積或原子層薄膜沉積，也限制了在基板架上放置的基板個數(shù)，進而具有無法同時處理多個基板的限制。
[0009](現(xiàn)有文獻)韓國公開專利10-2005-0080433號

【發(fā)明內容】

[0010](要解決的問題)
[0011]本發(fā)明的技術課題在于，提供處理腔室及基板處理裝置，可執(zhí)行化學氣相沉積法、原子層沉積法等基板處理工序。另外，本發(fā)明的技術課題在于，提供提高基板處理能力的處理腔室及基板處理裝置。另外，本發(fā)明的技術課題在于，提供水平噴射型構造的工序氣體噴射手段，而不是現(xiàn)有技術的垂直噴射型構造的工序氣體噴射手段。
[0012](解決問題的手段)
[0013]本發(fā)明實施形態(tài)的處理腔室，包括:晶舟，其上下間隔層疊多個基板；腔室外殼，其上升所述晶舟來位于其內部空間，在側壁水平方向噴射工序氣體來流到間隔層疊的基板之間后排放到外部；晶舟升降手段，其將所述晶舟升降到所述腔室外殼的內部；基板移送閘門，其貫通所述腔室外殼的一側壁。
[0014]另外，腔室外殼，包括:下層腔室外殼，其具有作為其內部空間的第I內部空間；上層腔室外殼，其位于所述下層腔室外殼的上層，具有作為其內部空間的第2內部空間，且在側壁水平方向噴射工序氣體來流到間隔層疊的基板之間后排放到外部。
[0015]另外，晶舟包括上部面板、下部面板、多個支撐桿、多個基板安裝槽，其中多個支撐桿連接所述上部面板與下部面板，多個基板安裝槽形成在所述支撐桿的側壁。
[0016]另外，晶舟升降手段，包括:晶舟支撐架，其支撐所述下部面板；升降旋轉驅動軸，其貫通所述下層腔室外殼的底面，來上升及下降所述晶舟支撐架。另外所述升降旋轉驅動軸旋轉晶舟支撐架。
[0017]另外，上層腔室外殼，包括:上層腔室內部外殼，其收納通過開放的下側而上升的晶舟；上層腔室外部外殼，其間隔包裹所述上層腔室內部外殼的上面及側壁；工序氣體噴射手段，其在所述上層腔室內部外殼的一側內壁噴射工序氣體；工序氣體排放手段，其在所述上層腔室內部外殼的內部空間將已處理基板的工序氣體排放到外部。
[0018]另外，工序氣體噴射手段，包括:工序氣體流入空間體，其具有內部空間；多個氣體噴射孔，其形成在接觸于所述晶舟的工序氣體流入空間體的壁面；工序氣體供應管，其將工序氣體流入所述工序氣體流入空間體的內部空間。
[0019]另外，工序氣體排放手段，包括:工序氣體排放空間體，其具有內部空間；多個氣體排放孔，其形成在接觸于所述晶舟的工序氣體排放空間體的壁面；排放泵，其將在所述工序氣體排放空間體內部空間的工序氣體抽到外部；工序氣體排放管，其連接所述工序氣體排放空間體的內部空間與所述排放泵。
[0020]另外，工序氣體流入空間體及工序氣體排放空間體形成在所述上層腔室內部外殼的壁體，所述工序氣體流入空間體及工序氣體排放空間體形成在相互相對的位置。
[0021]另外，包括等離子生成手段，其將等離子電壓施加于所述上層腔室外殼，等離子生成手段位于所述上層腔室內部外殼與上層腔室外部外殼之間，所述等離子生成手段由U形狀的等離子天線實現(xiàn)。
[0022]另外，等離子天線，施加電壓的其一末端及接地連接點的另一端位于上層腔室外殼的上側，一末端與另一末端的連接線路以U形狀橫跨上層腔室內部外殼與上層腔室外部外殼之間。
[0023]另外，根據(jù)本發(fā)明實施形態(tài)的基板處理裝置，包括:處理腔室，其具有間隔層疊多個基板的晶舟，其旋轉的同時將工序氣體噴射到在晶舟內間隔層疊的基板之間之后排放到外部；負載鎖定腔室，其在真空狀態(tài)變化為大氣狀態(tài)，或在大氣狀態(tài)變化為真空狀態(tài)；移送腔室，其將在所述負載鎖定腔室內移送的基板移送到處理腔室，將從所述處理腔室移送的基板移送到負載鎖定腔室。
[0024]另外，基板處理裝置的上層腔室外殼，包括:上層腔室內部外殼，其收納通過開放的下側而上升的晶舟；上層腔室外部外殼，其間隔包裹所述上層腔室內部外殼的上側及側壁；工序氣體噴射手段，其在所述上層腔室內部外殼的一側內壁向另一側內壁流動工序氣體；工序氣體排放手段，其將到達所述另一側內壁的工序氣體排放到外部。
[0025](發(fā)明的效果)
[0026]根據(jù)本發(fā)明實施形態(tài)，旋轉上下方向間隔層疊的基板的同時在基板的側邊水平噴射工序氣體，進而可提高基板處理能力。另外，可執(zhí)行多樣的工序處理方式，例如可適用于CVD、ALD裝置等。另外，提供等離子生成手段，進而可提高基板處理能力的效率。另外，可防止現(xiàn)有技術的噴頭方式的降低膜質特性，可提