的中心部朝向外周部移動，一邊自噴嘴41d向SiN晶圓W’上的外涂層膜供給HDIW和非活性氣體的混合流體。另外，HDIW掃描處理為這樣的處理:一邊使噴嘴41d自SiN晶圓W’的中心部朝向外周部移動，一邊自噴嘴41d向SiN晶圓W’上的外涂層膜僅供給HDIW。
[0187]雙流體掃描處理給SiN晶圓W’上的外涂層膜帶來的沖擊比較強烈，因此可能會發(fā)生圖案毀壞。因此，在第2變形例的剝離處理液供給處理中，在進行了短時間的雙流體掃描處理之后，進行HDIW掃描處理。由此，能夠防止圖案毀壞并提高外涂層膜的剝離性。其中，雙流體掃描處理的處理時間被設定為短于HDIW掃描處理的處理時間。并且為HDIW充分進入外涂層膜但膜自身還沒開始剝離的程度的時間。
[0188]如此，液供給部40D (相當于“剝離處理液供給部”的一例)包括作為雙流體噴嘴的噴嘴41d。并且，液供給部40D在自噴嘴41d向外涂層膜供給混合流體之后，自噴嘴41d向外涂層膜供給HDIW。由此，能夠提高外涂層膜的剝離性。
[0189]另外，也可以是，僅對殘留區(qū)域201進行雙流體掃描處理和HDIW掃描處理。另外，也可以是，僅對殘留區(qū)域201進行雙流體掃描處理，對殘留區(qū)域201和剝離區(qū)域202這兩區(qū)域進行HDIW掃描處理。另外，也可以與此相反地，對殘留區(qū)域201和剝離區(qū)域202這兩區(qū)域進行雙流體掃描處理，僅對殘留區(qū)域201進行HDIW掃描處理。
[0190]另外，也可以是，為了抑制雙流體掃描處理帶來的沖擊，而使雙流體掃描處理中的噴嘴41d與SiN晶圓Ψ之間的間隔大于HDIW掃描處理中的噴嘴41d與SiN晶圓Ψ之間的間隔。
[0191 ] 另外，在此，示出了噴嘴41d噴出HDIW和非活性氣體的混合流體的情況的例子，自噴嘴41d噴出的混合流體也可以是除HDIW以外的液體和除非活性氣體以外的氣體的混合流體。
[0192]在第4實施方式中，作為處理對象的晶圓，列舉SiN晶圓W’為例進行了說明，但在將除SiN晶圓r以外的晶圓作為處理對象的情況下，也能夠通過將被加熱了的純水用作剝離處理液來提高剝離性。
[0193](其他實施方式)
[0194]在所述的第I實施方式?第4實施方式中，成膜處理液供給處理和溶解處理液供給處理在同一腔室內(nèi)進行，但也可以是，成膜處理液供給處理和溶解處理液供給處理在不同的腔室內(nèi)進行。在該情況下，例如只要將用于進行圖4所示的步驟SlOl (基板輸入處理)?S104(干燥處理)的第I基板清洗裝置和用于進行圖4所示的步驟S105(剝離處理液供給處理)?S109 (基板輸出處理)的第2基板清洗裝置配置在圖2所示的處理站3即可。另外，剝離處理液供給處理和溶解處理液供給處理也可以在不同的腔室內(nèi)進行。另外，也可以是，將第I基板清洗裝置設在其他的處理站，將實施了成膜處理液供給處理后的晶圓W置于承載件載置部11，在處理站3的第2基板清洗裝置中進行溶解處理液供給處理。
[0195]另外，在所述的第I實施方式和第3實施方式中，說明了將液體狀的DIW用作剝離處理液的情況的例子，但剝離處理液也可以為霧狀的DIW。
[0196]另外，在所述的各實施方式中，說明了使用噴嘴直接向外涂層膜供給DIW的情況的例子，但例如也可以是，使用加濕裝置等來提高腔室內(nèi)的濕度，由此間接地向外涂層膜供給 DIffo
[0197]另外，在所述的各實施方式中，說明了將外涂層液用作成膜處理液并將DIW或低濃度的堿顯影液用作剝離處理液的情況的例子。然而，只要是能夠執(zhí)行使形成在晶圓W上的處理膜不溶解地(或者，在溶解之前)剝離這樣的工藝的組合，則成膜處理液和剝離處理液的組合可以任意。例如，剝離處理液只要含有0)2水(混合有CO 2氣體的DIW)、酸性或堿性水溶液、添加有表面活性劑的水溶液、HFE(氫氟醚)等氟類溶劑、稀釋IPA(用純水稀釋的IPA:異丙醇)中的至少一者即可。
[0198]另外，在基板清洗裝置中，在將外涂層液用作成膜處理液的情況下，也可以在進行成膜處理液供給處理之前，向晶圓W供給例如MIBC(4-甲基-2-戊醇)來作為與外涂層液具有親和性的溶劑。在外涂層液中含有MIBC，MIBC與外涂層液具有親和性。另外，作為除MIBC以外的與外涂層液具有親和性的溶劑，也可以使用例如PGME (丙二醇單甲基醚)、PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯)等。
[0199]如此，事先在晶圓W上涂敷開與外涂層液具有親和性的MIBC，由此在后述的成膜處理液供給處理中，外涂層液容易在晶圓W的上表面擴散開，并且也容易進入圖案的間隙。因而，能夠削減外涂層液的使用量，并且能夠可靠地去除已進入圖案的間隙內(nèi)的微粒P。并且，也能夠謀求縮短成膜處理液供給處理的處理時間。
[0200]另外，在所述的各實施方式中，說明了將堿顯影液用作溶解處理液的情況的例子，但溶解處理液也可以是向堿顯影液內(nèi)加入過氧化氫水而得到的液體。如此，通過向堿顯影液內(nèi)加入過氧化氫水，能夠抑制晶圓表面因堿顯影液造成的表面粗糙。
[0201]另外，溶解處理液可以為MIBC(4_甲基-2-戊醇)、稀釋劑、甲苯、醋酸乙酯類、乙醇類、乙二醇類(丙二醇單甲醚)等有機溶劑，也可以為醋酸、蟻酸、乙醇酸等酸性顯影液。
[0202]此外，溶解處理液還可以含有表面活性劑。表面活性劑具有減弱表面張力的作用，因此能夠抑制微粒P再次向晶圓W等附著。另外，作為去除對象的異物并不限定于微粒，例如也可以是在干蝕刻后或灰化后殘留在基板上的聚合物等其他物質(zhì)。
[0203]本領域的技術(shù)人員能夠容易地得出進一步的效果、變形例。因此，本發(fā)明的更廣泛的形態(tài)并不限定于如以上那樣表述和記述的特定的詳細內(nèi)容以及代表性的實施方式。因而，本發(fā)明能夠在不脫離附帶的權(quán)利要求書和其同等范圍所限定的概括性的發(fā)明的概念的精神或范圍內(nèi)進行各種變更。
[0204]附圖標記說曰月
[0205]W、晶圓；P、微粒；1、基板清洗系統(tǒng)；2、輸入輸出站；3、處理站；4、控制裝置；14、基板清洗裝置；20、腔室；21、FFU ;30、基板保持機構(gòu)；40、液供給部；45a、臭氧水供給源；45b、外涂層液供給源；45c、DIW供給源；45d、堿顯影液供給源；45e、第I堿顯影液供給源；45f、第2堿顯影液供給源；45g、第3堿顯影液供給源；45h、第4堿顯影液供給源；50、回收杯。
【主權(quán)項】
1.一種基板清洗方法，其特征在于， 該基板清洗方法包括: 成膜處理液供給工序，在該成膜處理液供給工序中，向所述基板供給含有揮發(fā)成分并用于在基板上形成膜的成膜處理液； 剝離處理液供給工序，在該剝離處理液供給工序中，向處理膜供給用于使該處理膜自所述基板剝離的剝離處理液，該處理膜是所述成膜處理液因所述揮發(fā)成分揮發(fā)而在所述基板上固化或硬化而成的，以及 溶解處理液供給工序，在所述剝離處理液供給工序后，向所述處理膜供給用于使該處理膜溶解的溶解處理液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于， 在所述成膜處理液供給工序中，所述成膜處理液被以與所述基板之間未隔有抗蝕劑的狀態(tài)供給到所述基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于， 在所述成膜處理液供給工序中，向所述基板中的形成有圖案的面供給所述成膜處理液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任意一項所述的基板清洗方法，其特征在于， 所述剝離處理液為純水。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板清洗方法，其特征在于， 所述純水為被加熱了的純水。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板清洗方法，其特征在于， 所述基板是在表面形成有氮化硅膜的基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任意一項所述的基板清洗方法，其特征在于， 在所述剝離處理液供給工序中，向所述處理膜供給濃度比在所述溶解處理液供給工序中供給的溶解處理液的濃度低的低濃度的溶解處理液來作為所述剝離處理液。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板清洗方法，其特征在于， 在所述剝離處理液供給工序中，使所述低濃度的溶解處理液在濃度不大于在所述溶解處理液供給工序中供給的溶解處理液的濃度的范圍內(nèi)自低濃度向高濃度變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1?8中的任意一項所述的基板清洗方法，其特征在于， 在所述溶解處理液供給工序中，使所述溶解處理液的濃度自低濃度向高濃度變化。
10.一種基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 該基板清洗系統(tǒng)包括: 剝離處理液供給部，其用于向處理膜供給用于使該處理膜自基板剝離的剝離處理液，該處理膜是在供給有含有揮發(fā)成分的成膜處理液的所述基板上、所述成膜處理液因所述揮發(fā)成分揮發(fā)而在所述基板上固化或硬化而成的；以及 溶解處理液供給部，其用于向所述處理膜供給用于使該處理膜溶解的溶解處理液。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 該基板清洗系統(tǒng)還包括成膜處理液供給部，該成膜處理液供給部用于向所述基板供給含有所述揮發(fā)成分并用于在基板上形成膜的成膜處理液。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 所述剝離處理液供給部供給被加熱了的純水來作為所述剝離處理液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 所述基板是在表面形成有氮化硅膜的基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 所述剝離處理液供給部包括: 噴嘴，其用于供給所述被加熱了的純水；以及 移動機構(gòu)，其用于使所述噴嘴移動， 一邊利用所述移動機構(gòu)使所述噴嘴移動，一邊自所述噴嘴向所述處理膜供給所述被加熱了的純水。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 所述剝離處理液供給部包括噴嘴，該噴嘴具有沿著所述基板的徑向隔有規(guī)定間隔地排列配置的多個噴出口， 和從所述多個噴出口中與所述基板的包括外周部分在內(nèi)的區(qū)域相對的噴出口噴出的所述被加熱了的純水的流速相比較，從所述多個噴出口中與所述基板的包括中央部分在內(nèi)的區(qū)域相對的噴出口噴出的所述被加熱了的純水的流速較高。
16.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的基板清洗系統(tǒng)，其特征在于， 所述剝離處理液供給部包括雙流體噴嘴， 在從所述雙流體噴嘴向所述處理膜供給了混合流體之后，從所述雙流體噴嘴向所述處理膜供給所述被加熱了的純水。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板清洗方法、基板清洗系統(tǒng)。不給基板的表面帶來影響就能夠去除已附著于基板的粒徑較小的異物。實施方式的基板清洗方法包括成膜處理液供給工序、剝離處理液供給工序和溶解處理液供給工序。在成膜處理液供給工序中，將含有揮發(fā)成分并用于在基板上形成膜的成膜處理液向基板供給。在剝離處理液供給工序中，向處理膜供給用于使處理膜自基板剝離的剝離處理液，該處理膜是成膜處理液因揮發(fā)成分揮發(fā)而在基板上固化或硬化而成的。溶解處理液供給工序在剝離處理液供給工序后，在溶解處理液供給工序中，向處理膜供給用于使處理膜溶解的溶解處理液。
【IPC分類】H01L21-02, H01L21-67
【公開號】CN104637784
【申請?zhí)枴緾N201410641257
【發(fā)明人】相原明德, 田中曉, 金子都, 田內(nèi)啟士, 折居武彥, 菅野至
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2014年11月13日
【公告號】US20150128994