一種去除ic片料中氮化硅涂層的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路芯片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]IC片(集成電路芯片)的生產(chǎn)過程中，經(jīng)常遇到片料有氮化硅涂層需要做清除處理；現(xiàn)有的氮化硅腐蝕清除方法，主要有干法和濕法，干法腐蝕的偏差小，腐蝕的圖形可控，所用化學(xué)試劑的劑量也較小，但需購買專用設(shè)備操作，成本高、腐蝕速率較慢，通常用于對(duì)精度要求較高的刻蝕，不適用于大批量的IC片料清洗工作；濕法腐蝕即完全使用化學(xué)試劑進(jìn)行腐蝕，偏差稍大，應(yīng)用于大批量IC片料清洗工作時(shí)可以接受，但采用現(xiàn)有傳統(tǒng)配比的混酸溶液，腐蝕速率仍較慢，需反復(fù)多次酸洗才能清除氮化硅涂層，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，同樣不利于降低成本，且多次清洗的過程對(duì)環(huán)境保護(hù)的影響也較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的旨在提供一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，具有去除效率高，成本低，省時(shí)省力的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟:配制腐蝕液一清洗，
[0005]I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸9.5-10.5、70%濃度硝酸0.9-1.1、85%濃度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間l_2min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
[0006]本發(fā)明的一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)異效果O
[0007]采用本發(fā)明的去除IC片料中氮化硅涂層的方法，反應(yīng)速率快、時(shí)間短、效率高，可實(shí)現(xiàn)一次性清除IC片料中的氮化硅涂層，省時(shí)省力，降低了清洗成本，也避免了多次酸洗造成環(huán)境污染，經(jīng)清洗后的IC片料表面潤(rùn)亮，能夠滿足大批量的清洗要求。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面對(duì)本發(fā)明的一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0009]本發(fā)明的一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟:配制腐蝕液一清洗，
[0010]I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸9.5-10.5、70%濃度硝酸0.9-1.1、85%濃度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間l_2min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
[0011]實(shí)施例1:
[0012]一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟:
[0013]I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸9.5、70%濃度硝酸0.9、85%濃度磷酸1.8，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間lmin，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
[0014]實(shí)施例2:
[0015]一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟:
[0016]I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸10、70%濃度硝酸1、85%濃度磷酸2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間1.5min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
[0017]實(shí)施例3:
[0018]一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟:
[0019]I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸10.5、70%濃度硝酸1.1、85%濃度磷酸2.2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間2min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
[0020]以上實(shí)施例僅對(duì)本發(fā)明精神的舉例說明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的實(shí)施例做不同方式的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替換，但并非偏離本發(fā)明的精神所定義的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟:配制腐蝕液一清洗，其特征在于: (I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸9.5-10.5、70%濃度硝酸0.9-1.1、85%濃度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟(I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間l_2min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂層的方法，其特征在于: (I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸9.5、70%濃度硝酸0.9、85%濃度磷酸1.8，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟(I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間lmin，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂層的方法，其特征在于: (I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸10、70%濃度硝酸1、85%濃度磷酸2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟(I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間1.5min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂層的方法，其特征在于: (I)配制腐蝕液:取55%濃度氫氟酸10.5、70%濃度硝酸1.1、85%濃度磷酸2.2，置于清洗槽，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)清洗:將待去除氮化硅涂層的IC片料置于清洗槽內(nèi)的步驟(I)配制的腐蝕液中，反應(yīng)時(shí)間2min，IC片料表面呈灰暗色時(shí)，出料沖洗干凈，轉(zhuǎn)入下道氫氧化鈉堿洗工序。
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成電路芯片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種去除IC片料中氮化硅涂層的方法，包括以下步驟：配制腐蝕液→清洗，采用本發(fā)明的去除IC片料中氮化硅涂層的方法，反應(yīng)速率快、時(shí)間短、效率高，可實(shí)現(xiàn)一次性清除IC片料中的氮化硅涂層，省時(shí)省力，降低了清洗成本，也避免了多次酸洗造成環(huán)境污染，經(jīng)清洗后的IC片料表面潤(rùn)亮，能夠滿足大批量的清洗要求。
【IPC分類】H01L21-02
【公開號(hào)】CN104637786
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510043357
【發(fā)明人】梅川奇, 傅卓理, 何賢安
【申請(qǐng)人】江西久順科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年1月21日