半導(dǎo)體封裝件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種具屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，大部份的電子產(chǎn)品均朝向小型化及高速化的目標(biāo)發(fā) 展，尤其是通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已普遍運(yùn)用整合于各類電子產(chǎn)品，例如移動(dòng)電話（Cell phone)、 膝上型電腦（laptop)等。然而，上述的電子產(chǎn)品需使用高頻的射頻芯片，且射頻芯片可能 相鄰設(shè)置數(shù)字集成電路、數(shù)字訊號(hào)處理器值SP, Digital Si即al Processor)或基頻芯片 炬B, Base Band),造成電磁干擾的現(xiàn)象，故需進(jìn)行電磁屏蔽巧lectroma即etic Siielding) 處理。
[0003] 如圖1所示，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1包括一基板10、設(shè)于該基板10上的多個(gè)芯片11、 包覆該些芯片11的封裝膠體12、及遮蓋該封裝膠體12的金屬層13。由于該些芯片11具 有高頻的特性，故利用金屬層13 W達(dá)到電磁屏蔽的效果。
[0004] 此外，如圖r所示，入射波W經(jīng)由該金屬層13后會(huì)形成電磁衰減的穿射波T，而屏 蔽效能（Shielding effectiveness, SE)為一外殼如何衰減電磁場(chǎng)的測(cè)量值，且理論上的均 質(zhì)材料的屏蔽效能可由下列公式計(jì)算：
[0005] SE=R+A+B N R+A
[0006] 其中，R為反射損失巧eflective loss)，A為吸收損失（油so;rption loss)，B為 二次反射損失(極小，可忽略)，且吸收損失的公式為：
[0007]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體封裝件，包括： 封裝結(jié)構(gòu)，其具有至少一半導(dǎo)體組件；W及 屏蔽結(jié)構(gòu)，其包含至少H屏蔽層，其相互堆找設(shè)于該封裝結(jié)構(gòu)上并覆蓋該半導(dǎo)體組件， 且于連續(xù)排設(shè)的任H該屏蔽層中，位于中間的該屏蔽層的導(dǎo)電率小于位于兩側(cè)的該屏蔽層 的導(dǎo)電率。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些屏蔽層的至少二層的材質(zhì) 為相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些屏蔽層的材質(zhì)互不相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該屏蔽層之中至少一層為導(dǎo)體 層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些屏蔽層為導(dǎo)體層或非導(dǎo)體 層，且該些屏蔽層之中為至少一層為導(dǎo)體層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)還具有包覆該半導(dǎo) 體組件的封裝膠體，令該屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)于該封裝膠體上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該屏蔽結(jié)構(gòu)具有H層屏蔽層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該屏蔽結(jié)構(gòu)具有四層屏蔽層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該屏蔽結(jié)構(gòu)具有五層屏蔽層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該屏蔽結(jié)構(gòu)具有六層屏蔽層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該屏蔽結(jié)構(gòu)具有走層屏蔽層。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件，包括：具有至少一半導(dǎo)體組件的封裝結(jié)構(gòu)、相互堆棧設(shè)于該封裝結(jié)構(gòu)上的至少三屏蔽層，且于連續(xù)排設(shè)的任三該屏蔽層中，位于中間的該屏蔽層的導(dǎo)電率小于位于兩側(cè)的該屏蔽層的導(dǎo)電率，以藉多個(gè)屏蔽層衰減電磁干擾，而增加屏蔽效能。
【IPC分類】H01L23-552
【公開號(hào)】CN104637923
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310571477
【發(fā)明人】邱志賢, 陳嘉揚(yáng), 蔡宗賢, 朱恒正, 江政育
【申請(qǐng)人】矽品精密工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2013年11月15日
【公告號(hào)】US20150123251