有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
【專利說(shuō)明】
[0001] 本申請(qǐng)要求2013年11月13日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2013-01347459的權(quán) 益，該專利申請(qǐng)?zhí)卮薟引用方式并入，好像完全在本文中闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明設(shè)及可通過(guò)使用散射層提高發(fā)光效率并延長(zhǎng)壽命的有機(jī)發(fā)光二極管顯示 裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 在屏幕上顯示各種信息的圖像顯示裝置是信息和通信的核屯、技術(shù)并且正逐漸變 薄、變輕、更便攜并且性能更高。為了追求延展性和便利，需要柔性顯示器，從而控制有機(jī)發(fā) 射層的發(fā)光量的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置近來(lái)備受關(guān)注。
[0004] 有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括；基板，薄膜晶體管（TFT)形成在其中；有機(jī)發(fā)光器 件，形成在基板上；包封層，其形成為使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置被包圍。薄膜晶體管形成在由 交叉形成在基板上的選通線和數(shù)據(jù)線限定的多個(gè)子像素區(qū)中的每個(gè)中。有機(jī)發(fā)光器件連接 到形成在各子像素區(qū)中的薄膜晶體管。
[0005] 該里，有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、第二電極W及形成在第一電極和第二電極之 間的有機(jī)發(fā)射層。通過(guò)向第一電極和第二電極添加電場(chǎng)從而注入和傳輸?shù)碾娮雍涂昭ㄔ谟?機(jī)發(fā)射層中復(fù)合，在有機(jī)發(fā)射層中形成對(duì)的電子和空穴發(fā)光，同時(shí)從激發(fā)態(tài)降低至基態(tài)。
[0006] 從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光中只有20%到達(dá)外部。因此，為了提高發(fā)光效率，采用散 射層。通常，通過(guò)將分散顆粒分散在溶劑中或者通過(guò)生長(zhǎng)納米線，形成散射層。然而，當(dāng)如 上所述形成散射層時(shí)，不可W連續(xù)地得到相同的散射效果。此外，散射層不適于進(jìn)行批量生 產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 因此，本發(fā)明致力于基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多 個(gè)問(wèn)題的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。
[000引本發(fā)明的目的是提供包括包含含氣材料的散射層的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及 其制造方法。
[0009] 本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在隨后的描述中部分闡述，對(duì)于閱讀了下文的 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言部分將變得清楚，或者可通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而獲知。將通過(guò)撰寫的 說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求書(shū)W及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu) 點(diǎn)。
[0010] 為了實(shí)現(xiàn)該些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中實(shí)施和廣義描述 的，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括；薄膜晶體管，其在基板上；涂敷層，其在所述基板 上，W覆蓋所述薄膜晶體管；散射層，其包括氣，并在所述涂敷層上；有機(jī)發(fā)光單元，其在所 述散射層上，并且包括順序地層疊的第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極，其中，從所述有機(jī) 發(fā)光單元發(fā)射的光穿過(guò)所述散射層并且通過(guò)所述基板發(fā)射。散射層的材料選自LiF、CsF和 BeFs。
[0011] 在本發(fā)明的另一方面，一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，所述方法包括 W下形成步驟；在基板上形成薄膜晶體管；在所述基板上形成涂敷層，W覆蓋所述薄膜晶 體管；在所述涂敷層上形成包括氣的散射層；形成有機(jī)發(fā)光單元，所述有機(jī)發(fā)光單元包括 順序地層疊在所述散射層上的第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極，其中，從所述有機(jī)發(fā)光單 元發(fā)射的光穿過(guò)所述散射層，然后通過(guò)所述基板發(fā)射?？蛇M(jìn)一步包括在形成散射層之后用 紫外線光照射散射層。
[0012] 另外，可進(jìn)一步包括在形成散射層之后形成光學(xué)補(bǔ)償層W使散射層的上表面平 整。在該種情況下，形成光學(xué)補(bǔ)償層的材料可使用折射率等于或大于第一電極的折射率的 有機(jī)材料。
[0013] 要理解，對(duì)本發(fā)明的W上的總體描述和W下的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的并 且旨在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0014] 附圖被包括W提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖 示出本發(fā)明的實(shí)施方式并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中：
[0015] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖；
[0016] 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的根據(jù)沉積速率的LiF的表面圖像的示例；
[0017] 圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在向LiF照射UV之前和之后的表面圖像的示 例；
[0018] 圖4是示出作為參考的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有 機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的效率的曲線圖；
[0019] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖；
[0020] 圖6A至圖6E是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方 法的過(guò)程的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 現(xiàn)在，將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中示出實(shí)施方式的示例。在任何可能 的地方，在附圖中將始終使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同或類似的部件。
[0022] 下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方 法。
[0023] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0024] 如圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括；基板100,薄膜晶體 管（TFT)形成在其中；涂敷層130,其被形成為覆蓋薄膜晶體管（TFT);光散射層135,其形 成在涂敷層130上；有機(jī)發(fā)光單元150,其形成在光散射層135上。該個(gè)實(shí)施方式和其它實(shí) 施方式中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的所有組件被可操作地連接和構(gòu)造。
[0025] 特別地，在基板100上形成薄膜晶體管（TFT)。在圖1中，示出使用非晶娃作為半 導(dǎo)體層115的非晶娃薄膜晶體管（非晶娃TFT)。然而，薄膜晶體管可選自使用諸如銅嫁鋒 氧化物（IGZO)、鋒氧化物狂nO)、鐵氧化物（TiO)等氧化物作為半導(dǎo)體層115的氧化物薄膜 晶體管（氧化物TFT)、使用有機(jī)材料作為半導(dǎo)體層115的有機(jī)薄膜晶體管（有機(jī)TFT)、使 用多晶娃作為半導(dǎo)體層115的多晶娃薄膜晶體管（多晶娃TFT)等。
[0026] 薄膜晶體管（TFT)包括柵極105、柵絕緣膜110、半導(dǎo)體層115、源極120a和漏極 120b。柵絕緣膜110設(shè)置在柵極105和半導(dǎo)體層115之間，半導(dǎo)體層115與柵極105交疊。 源極120a和漏極12化在半導(dǎo)體層115上彼此分隔開(kāi)。
[0027] 涂敷層130形成在基板100的整體表面上方，使得薄膜晶體管（TFT)被覆蓋。涂 敷層130被形成為使得薄膜晶體管（TFT)被完全覆蓋，從而使基板100的上表面平整。盡 管在圖中未示出，但可在涂敷層130和薄膜晶體管TFT之間進(jìn)一步形成無(wú)機(jī)保護(hù)膜。
[002引散射層135設(shè)置在涂敷層130上。散射層135被設(shè)置成通過(guò)散射從有機(jī)發(fā)光單元 150發(fā)射的光，提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的發(fā)光效率。如上所述，通過(guò)將分散顆粒分散 在溶劑中或者通過(guò)生長(zhǎng)納米線，形成傳統(tǒng)散射層。在該種情況下，不能得到相同的散射效 果，因此該種傳統(tǒng)散射層不適于進(jìn)行批量生產(chǎn)。
[0029] 因此，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置提供用諸如LiF、CsF、BeF2等包括氣 的材料形成的散射層135。當(dāng)通過(guò)熱沉積形成作為包括氣的材料的散射層135時(shí)，散射層 135的上表面具有不平坦形狀并且表面粗趟度根據(jù)沉積速率而變化。
[0030] 圖2示出根據(jù)沉積速率的LiF的表面圖像。LiF被形成為隨沉積速率而變化的 3000 A的厚度。圖3是向LiF照射UV之前和之后的表面圖像。
[003U 如圖2中所示，當(dāng)W2 A /s的速率熱沉積LiF時(shí)，表面粗趟度的均方根（RM巧值是 3. 104皿。然而，當(dāng)沉積速率升至6 A /s時(shí)，RMS值大大增至5. 054皿。由于穿過(guò)散射層的光 的散射程度隨MS值的增大而增大，因此根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝 置可提高發(fā)光效率，而功耗沒(méi)有額外增大。
[003引特別地，可通過(guò)紫外線扣V)照射增加表面粗趟度的MS值。如圖3中所示，通過(guò) 在散射層中照射波長(zhǎng)為265nm的UV五分鐘，RMS值從5. 054nm增大至6. 887nm。該現(xiàn)象是 由包括氣的材料彼此附聚（agglomerate)造成的，從而散射層135的顆粒尺寸增大。
[0033] 另外，散射層135的厚度優(yōu)選地在1000 A至4000 A的范圍內(nèi)。當(dāng)散射層135的厚 度太薄時(shí)，散射層135的表面不平坦處的高度太低，如此，散射層135沒(méi)有得到足夠的散射 效果。
[0034] 再參照?qǐng)D1，包括第一電極150a、有機(jī)發(fā)光層15化和第二電極150c的有機(jī)發(fā)光單 元150形成在散射層135上。特別地，第一電極150a電連接到通過(guò)接觸孔露出的漏極12化。 第一電極150a形成為陽(yáng)極，由諸如錫氧化物（TO)、銅錫氧化物（IT0)、銅鋒氧化物（IZ0)、銅 錫鋒氧化物（ITZ0)等透明導(dǎo)電材料形成。
[0035] 在第一電極150a上，形成具有堤孔的堤絕緣膜160,堤孔將第一電極150a的局部 區(qū)域露出。堤絕緣膜160防止除了發(fā)光區(qū)之外的區(qū)域中漏光。有機(jī)發(fā)光層15化形成在堤 孔中并且第二電極150c形成在有機(jī)發(fā)光層15化上。第二電極150c形成為陰極，由諸如侶 (A1)的反射性金屬材料形成，并且將有機(jī)發(fā)光層15化產(chǎn)生的光在基板100的方向上反射。
[0036] 在該種有機(jī)發(fā)光裝置中，當(dāng)在第一電極150a和第二電極150c之間施加電壓時(shí)，來(lái) 自第一電極150a的空穴和來(lái)自第二電極150c的電子被注入發(fā)光層19化中并且在發(fā)光層 19化中復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。另外，當(dāng)激子降低至基態(tài)時(shí)，發(fā)射的光在有機(jī)發(fā)光單元150的 下部中穿過(guò)散射層135,然后通過(guò)基板100發(fā)射到外部。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置用包括氣的材料形成散射層，如此，可提 高發(fā)光效率，而功耗沒(méi)有額外增大。尤其是，通過(guò)在形成散射層之后進(jìn)一步照射紫外線 扣V)，散射層的表面粗趟度MS值可進(jìn)一步增大。
[003引圖4是示出作為參考的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有 機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的效率的曲線圖。該里，作為參考的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置是不 包括散射層的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二