有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求2013年11月11日提交的韓國專利申請第10_2013_0136465號的權益，通過引用將其如在本文中完全闡述的那樣并入本文。
技術領域
[0002]本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法，更具體地涉及設置有防反射層的OLED裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0003]有機發(fā)光顯示(OLED)裝置包括設置在用于注入電子的負極和用于注入空穴的正極之間的發(fā)光層。當在負極中生成的電子和在正極中生成的空穴被注入到發(fā)光層的內部時，通過電子和空穴的復合產生激子。然后，當激子從激發(fā)態(tài)降至較低能態(tài)時，OLED裝置發(fā)光。
[0004]在下文中，將參照附圖描述根據相關技術的OLED裝置。
[0005]圖1為示出根據相關技術的OLED裝置的截面圖。
[0006]如圖1所示，根據相關技術的OLED裝置可以包括基板10、薄膜晶體管20、鈍化膜30、濾色層40、偏振層50、第一電極60、堤壩層65、發(fā)光層70、第二電極80以及防反射層90。
[0007]薄膜晶體管20設置在基板10的上表面上。薄膜晶體管20可以包括:在基板10上被圖案化的柵電極21 ;半導體層22，該半導體層22借助介于柵電極21與半導體層22之間的柵極絕緣膜15而絕緣于柵電極21 ;以及設置在半導體層22上并且設置為彼此隔開固定間隔的源電極23和漏電極24。
[0008]鈍化膜30設置在薄膜晶體管20上。
[0009]濾色層40在鈍化膜30上被圖案化。
[0010]偏振層50設置在濾色層40上。在鈍化膜30和偏振層50的預定區(qū)中形成有接觸孔，借以經由接觸孔使薄膜晶體管20的漏電極24露出。
[0011]第一電極60在偏振層50上被圖案化。第一電極60經由接觸孔與漏電極24接觸。
[0012]堤壩層65設置在偏振層50上。堤壩層65設置在薄膜晶體管(TFT)區(qū)上，以由此限定顯示區(qū)。
[0013]發(fā)光層70設置在第一電極60上，并且在由堤壩層65限定的顯示區(qū)上被圖案化。從發(fā)光層70發(fā)射的光穿過濾色層40、繼而穿過基板10，以由此顯示圖像。
[0014]第二電極80設置在發(fā)光層70上。
[0015]防反射層90設置在基板10的下表面上，以由此防止外部光在基板10的下表面上被反射。如上所述，薄膜晶體管20形成在TFT區(qū)中。因而，外部光由于用于形成薄膜晶體管20的多個信號線而被反射。就此，在基板10的下表面上設置防反射層90以減小或防止外部光的反射。
[0016]然而，在根據相關技術的OLED裝置中，在TET區(qū)和顯示區(qū)兩者中形成有通常以膜型方式設置的防反射層90，這降低了顯示區(qū)的透光率和OLED裝置的亮度。也就是說，在從發(fā)光層70發(fā)射的光穿過基板10、繼而穿過防反射層90的情況下，相當量的光在防反射層90中被吸收，由此引起光損失。
【發(fā)明內容】
[0017]因此，本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法，其基本上消除了由于相關技術的局限性和缺點而引起的一個或更多個問題。
[0018]本發(fā)明的優(yōu)點是提供了適用于通過減小或防止外部光的反射來提高亮度的OLED
目.ο
[0019]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在下面的描述闡述，并且本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點根據對如下內容的考察對于本領域技術人員將是明顯或者可以根據本發(fā)明的實踐而學到。通過在書面說明書及其權利要求書以及附圖中特別指出的結構可以實現并獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點。
[0020]如在本文中所實施和寬泛描述的那樣，為了實現這些和其他優(yōu)點并且根據本發(fā)明的目的，提供了有機發(fā)光顯示(OLED)裝置，可以包括例如:在基板上的第一像素和第二像素，第一像素和第二像素均包括TFT區(qū)和顯示區(qū)，第一像素和第二像素中的每一者的顯示區(qū)包括第一電極、發(fā)光層和第二電極；在第二像素的顯示區(qū)中的濾色層；和在第一像素和第二像素中但基本上排除第二像素的顯示區(qū)的防反射層。
[0021]在本發(fā)明的實施方案的另一方面，提供了制造有機發(fā)光顯示(OLED)裝置的方法，該OLED裝置包括在基板上的第一像素和第二像素，第一像素和第二像素均包括TFT區(qū)和顯示區(qū)，第一像素和第二像素中的每一者的顯示區(qū)包括第一電極、發(fā)光層和第二電極，該方法包括:在第二像素的顯示區(qū)中形成濾色層；和在第一像素和第二像素中但基本上排除第二像素的顯示區(qū)形成防反射層。
[0022]應該理解的是，本發(fā)明的前述一般性描述和以下詳細描述是示例性和說明性的。并且旨在提供對所要求保護的發(fā)明的進一步解釋。
【附圖說明】
[0023]被包括來提供對本發(fā)明的進一步理解并且被并入在本申請中并構成本申請的一部分的附圖示出本發(fā)明的實施方案并且同時與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0024]圖1為示出根據相關技術的有機發(fā)光顯示(OLED)裝置的截面圖；
[0025]圖2A和圖2B為示出根據本發(fā)明的實施方案的OLED裝置的平面圖和截面圖；
[0026]圖3為示出根據本發(fā)明的實施方案的防反射層的截面圖；
[0027]圖4為示出根據本發(fā)明的實施方案的防反射層的功能的概念圖；
[0028]圖5A至圖5E為示出根據本發(fā)明的實施方案的形成防反射層的制造工序的圖；
[0029]圖6A至圖6D為示出根據本發(fā)明的實施方案的形成防反射層的制造工序的圖；
[0030]圖7示出根據本發(fā)明的實施方案的OLED裝置；
[0031]圖8為示出根據本發(fā)明的實施方案的防反射層的截面圖；
[0032]圖9示出根據本發(fā)明的實施方案的OLED裝置；
[0033]圖1OA和圖1OB為示出根據本發(fā)明的實施方案的OLED裝置的截面圖；以及
[0034]圖11為示出根據本發(fā)明的實施方案的OLED裝置的截面圖。
【具體實施方式】
[0035]現在將詳細參考本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，本發(fā)明的優(yōu)選實施方案的實施例在附圖中示出。只要可能，貫穿附圖將使用相同的附圖標記來標記相同或相似的部分。
[0036]在下面的描述中，在第一元件被定位在第二元件“上”或“之上”的情況下，第一元件和第二元件可以彼此接觸，或者在第一元件和第二元件之間可以介入一個或更多個第三元件。另外，在表述例如“第一”或“第二”用于指代元件的情況下，上述術語可以用于將任何一個元件與其他元件進行區(qū)分，但不必限定相應元件的次序。
[0037]在下文中，將參照附圖詳細描述根據本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法。
[0038]圖2A和圖2B分別為示出根據本發(fā)明的實施方案的OLED裝置的平面圖和截面圖。
[0039]如圖2A所示，OLED裝置可以包括在基板100上的紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍色⑶像素和白色(W)像素。紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍色⑶像素和白色(W)像素的布置可以變化，并且例如不限于上述四種像素。
[0040]紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍色⑶像素和白色(W)像素中的每一者可以包括薄膜晶體管(TFT)區(qū)和顯示區(qū)。在TFT區(qū)中形成有多個薄膜(TFT)和電容器，并且在顯示區(qū)中形成有發(fā)光層。因而，圖像在顯示區(qū)中顯示。
[0041]如圖2B所示，OLED裝置可以包括基板100、薄膜晶體管200、鈍化膜300、濾色層400、偏振層500、第一電極600、發(fā)光層700、第二電極800以及防反射層900。
[0042]薄膜晶體管200設置在基板100的上表面上。具體地，薄膜晶體管200在紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍色⑶像素和白色(W)像素中的每一者的TFT區(qū)中被圖案化。
[0043]鈍化膜300設置在包括薄膜晶體管200的基板100的整個區(qū)域上。
[0044]濾色層400在紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍色⑶像素和白色(W)像素中的每一者的顯示區(qū)中被圖案化。也就是說，紅色(R)濾色層400形成在紅色(R)像素的顯示區(qū)中；綠色(G)濾色層400形成在綠色(G)像素的顯示區(qū)中；以及藍色(B)濾色層400形成在藍色(B)像素的顯示區(qū)中。
[0045]在白色(W)像素的顯示區(qū)中可以不形成濾色層400。在白色(W)像素的情況下，從發(fā)光層700發(fā)射的白色光原樣地穿過白色(W)像素發(fā)射。因而，在白色(W)像素中不需要另外的濾色層。同時，在紅色(R)像素、綠色(G)像素和藍色(B)像素的情況下，在從發(fā)光層700發(fā)射的白色光穿過各濾色層400的情況下，白色光變成具有相應像素的顏色的光。
[0046]偏振層500設置在包括濾色層400的基板100的整個區(qū)域上。
[0047]第一電極600在偏振層500上被圖案化。第一電極600由透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)形成。
[0048]發(fā)光層700在第一電極600上被圖案化。發(fā)光層700發(fā)射白色光。因而，發(fā)光層700可以由紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍色發(fā)光層的組合形成，或者可以由黃色發(fā)光層和藍色發(fā)光層的組合形成。發(fā)光層700可以以對于本領域技術人員普遍公知的各種類型形成。
[0049]第二電極800設置在