一種用于多晶硅片擴(kuò)散前去除金屬雜質(zhì)清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及晶娃太陽(yáng)能電池片制造領(lǐng)域，具體地涉及一種用于多晶娃片擴(kuò)散前去 除金屬雜質(zhì)清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在晶娃太陽(yáng)能電池片的制備工藝流程中，首先是通過(guò)在娃片表面制備絨面來(lái)降低 表面反射率、增加光的吸收。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)制絨后的娃片裸露在空氣中沒(méi) 有及時(shí)進(jìn)入擴(kuò)散工藝，導(dǎo)致娃片表面氧化和沾污現(xiàn)象。另外，裸娃片自身攜帶的惰性金屬離 子在清洗制絨工藝中沒(méi)有完全清洗干凈現(xiàn)象。上述現(xiàn)象均會(huì)影響多晶娃太陽(yáng)能電池片的電 性能參數(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的是提供一種用于多晶娃片擴(kuò)散前去除金屬雜質(zhì)清洗方法，達(dá)到能夠 穩(wěn)定可持續(xù)量產(chǎn)、提高短路電流和光電轉(zhuǎn)換效率的目的。
[0004] 為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)解決方案是提供一種用于多晶娃片擴(kuò)散前 去除金屬雜質(zhì)清洗方法，在清洗制絨至擴(kuò)散兩道工藝間增加一道槽式清洗工藝，具體工藝 流程如下： (1) 將制絨后未能及時(shí)進(jìn)入擴(kuò)散工序的娃片置于純水中進(jìn)行初步清洗； (2) 將初步清洗后的娃片置于體積分?jǐn)?shù)為1-5%的肥1溶液中清洗； (3) 然后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗； (4) 將經(jīng)過(guò)純水清洗的娃片置于體積分?jǐn)?shù)為1-3%的HF溶液中清洗； (5) 最后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗，進(jìn)入擴(kuò)散工序。
[0005] 本發(fā)明的有益效果是通過(guò)采用上述技術(shù)方案，多晶娃太陽(yáng)能電池片的電性能參數(shù) 中短路電流有20-40毫安的增益，光電轉(zhuǎn)換效率有0. 05-0. 1%的增益。
【附圖說(shuō)明】
[0006] 圖1本發(fā)明提供的用于多晶娃片擴(kuò)散前去除金屬雜質(zhì)清洗方法的具體工藝流程。
【具體實(shí)施方式】
[0007] 下面根據(jù)本發(fā)明提供的用于多晶娃片擴(kuò)散前去除金屬雜質(zhì)清洗方法的技術(shù)解決 方案，采用下面的具體實(shí)施方案作進(jìn)一步說(shuō)明。本實(shí)施方案是在制絨、擴(kuò)散、刻蝕、PECVD、絲 網(wǎng)印刷各道工序的工藝與原工藝相同的條件下進(jìn)行的，其中A代表原工藝方案，B代表本發(fā) 明提供的技術(shù)方案?！揪唧w實(shí)施方式】如下： (1) 將制絨后未能及時(shí)進(jìn)入擴(kuò)散工序的娃片置于純水中進(jìn)行初步清洗； (2) 將初步清洗后的娃片置于體積分?jǐn)?shù)為2%的肥1溶液中清洗，反應(yīng)溫度為常溫； (3) 然后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗； (4) 將經(jīng)過(guò)純水清洗的娃片置于體積分?jǐn)?shù)為2. 5%的HF溶液中清洗，反應(yīng)溫度為常溫； (5) 最后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗，依次進(jìn)入擴(kuò)散、刻蝕、PECVD、絲網(wǎng)印刷工序。
[000引采用本實(shí)施方式制備的多晶娃太陽(yáng)能電池片的電性能參數(shù)如下表所示：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于多晶娃片擴(kuò)散前去除金屬雜質(zhì)清洗方法，在清洗制絨至擴(kuò)散兩道工藝間增 加一道槽式清洗工藝，具體工藝流程如下： (1) 將制絨后未能及時(shí)進(jìn)入擴(kuò)散工序的娃片置于純水中進(jìn)行初步清洗； (2) 將初步清洗后的娃片置于體積分?jǐn)?shù)為1-5%的肥1溶液中清洗； (3) 然后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗； (4) 將經(jīng)過(guò)純水清洗的娃片置于體積分?jǐn)?shù)為1-3%的HF溶液中清洗； (5) 最后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗，進(jìn)入擴(kuò)散工序。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多晶硅片擴(kuò)散前去除金屬雜質(zhì)清洗方法，在清洗制絨至擴(kuò)散兩道工藝間增加一道槽式清洗工藝，具體工藝流程：首先將制絨后未能及時(shí)進(jìn)入擴(kuò)散工序的硅片置于純水中進(jìn)行初步清洗；將初步清洗后的硅片置于體積分?jǐn)?shù)為1-5%的HCl溶液中清洗；然后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗；將經(jīng)過(guò)純水清洗的硅片置于體積分?jǐn)?shù)為1-3%的HF溶液中清洗；最后連續(xù)兩次經(jīng)過(guò)純水清洗，進(jìn)入擴(kuò)散工序。本發(fā)明的有益效果是通過(guò)采用上述技術(shù)方案，多晶硅太陽(yáng)能電池片的電性能參數(shù)中短路電流有20-40毫安的增益，光電轉(zhuǎn)換效率有0.05-0.1%的增益。
【IPC分類(lèi)】H01L31-18
【公開(kāi)號(hào)】CN104638056
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310569505
【發(fā)明人】王建樹(shù), 王慶錢(qián), 時(shí)利
【申請(qǐng)人】浙江鴻禧能源股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2013年11月13日