一種托盤支撐裝置及等離子體加工設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種托盤支撐裝置及等離子體加工設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1為現(xiàn)有的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。請參看圖1，磁控濺射設(shè)備包括反應(yīng)腔室1，反應(yīng)腔室I包括靜電卡盤2、靶材3和磁控管4 ;其中，靜電卡盤2設(shè)于反應(yīng)腔室I的底部，其用于承載被加工工件；祀材3設(shè)于反應(yīng)腔室I的頂部；磁控管4設(shè)于靶材3的上方。在實(shí)際使用中，通常使用上述磁控濺射設(shè)備在被加工工件表面沉積薄膜；具體地，在工藝過程中，向反應(yīng)腔室I內(nèi)通入工藝氣體，并將其激發(fā)為等離子體；同時，向靶材3上加載負(fù)偏壓，可以吸引上述等離子體中的粒子轟擊靶材3，使靶材3表面的靶材3原子或分子從靶材3表面上脫離，并沉積至被加工工件表面。
[0003]在上述過程中，為使沉積在被加工工件表面上的薄膜中的雜質(zhì)盡可能地少，靶材3需要具有很高的純度；但這樣會導(dǎo)致靶材3，尤其是在向被加工工件表面沉積金屬薄膜的工藝過程中需要使用的金屬靶材3在不進(jìn)行濺射工藝時被氧化，在其表面形成金屬氧化物。在實(shí)際應(yīng)用中，一般通過濺射的方法去除靶材3表面的氧化物，即通過粒子轟擊靶材3，使靶材3表面的金屬氧化物從靶材3上脫離；同時，為避免上述過程中從靶材3上脫離的金屬氧化物沉積至位于靶材3下方的靜電卡盤2上，導(dǎo)致靜電卡盤2無法使用，需要在去除靶材3表面的金屬氧化物之前，將托盤5傳輸至靜電卡盤2上方，并由托盤支撐裝置將其支撐于該位置，從而使上述托盤5可以在去除靶材3表面的金屬氧化物的過程中遮擋靜電卡盤2，使從靶材3上脫離的金屬氧化物無法沉積在靜電卡盤2上。
[0004]但在上述去除靶材3表面的金屬氧化物的過程中，不可避免地存在下述問題，即:現(xiàn)有托盤支撐裝置無法對托盤5相對于靜電卡盤2的位置進(jìn)行檢測，從而在托盤5偏離靜電卡盤2上方的位置，或者托盤5未被傳輸至靜電卡盤2上方的位置時，托盤5無法有效地遮擋靜電卡盤2，從而在通過濺射去除靶材3表面的金屬氧化物時，從靶材3上脫離的金屬氧化物容易沉積在靜電卡盤2上，導(dǎo)致靜電卡盤2無法使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種托盤支撐裝置及等離子體加工設(shè)備，其可以在支撐托盤的過程中檢測托盤相對于托盤支撐裝置是否處于正常位置。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種托盤支撐裝置，其包括托盤、支撐件、電源和第一檢測裝置，其中，所述托盤采用導(dǎo)電材料制成，用于承載被加工工件；所述支撐件采用導(dǎo)電材料制作，用于支撐所述托盤，所述支撐件包括第一支撐件和第二支撐件，所述第一支撐件與電源電連接，所述第二支撐件的數(shù)量為一個或多個；所述第一檢測裝置的數(shù)量與所述第二支撐件的數(shù)量相對應(yīng)，且與其一一對應(yīng)地電連接，所述第一檢測裝置用于檢測與之電連接的第二支撐件是否與所述托盤相接觸；并且連接所述第一支撐件與所述電源的電路和連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間不導(dǎo)通，且在所述第二支撐件的數(shù)量為多個時，各個連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間不導(dǎo)通；或者，連接所述第一支撐件與所述電源的電路和連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間導(dǎo)通，且在所述第二支撐件的數(shù)量為多個時，各個連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間相互并聯(lián)。
[0007]其中，連接所述第一支撐件與所述電源的電路和連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間不導(dǎo)通，且在所述第二支撐件的數(shù)量為多個時，各個連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間不導(dǎo)通；并且所述第一檢測裝置通過檢測連接其與相應(yīng)的第二支撐件的電路上電壓或電平的變化，而確定該第二支撐件與所述托盤是否相接觸。
[0008]其中，連接所述第一支撐件與所述電源的電路和連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間導(dǎo)通，且在所述第二支撐件的數(shù)量為多個時，各個連接所述第二支撐件與相應(yīng)的第一檢測裝置的電路之間相互并聯(lián)；并且所述第一檢測裝置通過檢測連接其與相應(yīng)的第二支撐件之間的電路的電流，而確定該第二支撐件與所述托盤是否相接觸。
[0009]其中，還包括第二檢測裝置，所述第一支撐件與所述第二檢測裝置連接，所述第二檢測裝置用于檢測所述第一支撐件與所述托盤是否相接觸。
[0010]其中，在連接所述第一支撐件與所述電源的電路，以及連接所述第二支撐件與相對應(yīng)的第一檢測裝置的電路上均設(shè)置有通斷開關(guān)，用以接通或斷開其所在電路。
[0011]其中，所述第一支撐件和第二支撐件的側(cè)表面包覆有絕緣套。
[0012]其中，在所述托盤的下表面上設(shè)有環(huán)形絕緣件和圓形絕緣件，其中所述圓形絕緣件的中心與所述托盤的中心重合；所述環(huán)形絕緣件環(huán)繞在所述圓形絕緣件的外圍，所述環(huán)形絕緣件、圓形絕緣件和所述托盤下表面的位于二者之間的部分形成環(huán)形凹槽；并且所述托盤上與所述第一支撐件和第二支撐件相對應(yīng)的位置位于所述環(huán)形凹槽內(nèi)。
[0013]其中，所述第一檢測裝置包括PLC或板卡。
[0014]其中，所述支撐件包括頂針或機(jī)械爪。
[0015]作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，其包括托盤支撐裝置，所述托盤支撐裝置采用本發(fā)明提供的上述托盤支撐裝置。
[0016]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0017]本發(fā)明提供的托盤支撐裝置，在其支撐托盤，且托盤相對于托盤支撐裝置處于正常位置時，其每個支撐件均與托盤相接觸，使第一支撐件和第二支撐件之間通過托盤相導(dǎo)通，并且，與第一支撐件連接的電源使第一支撐件所在電路和第二支撐件所在電路上產(chǎn)生電壓或電平的變化，或者在第一支撐件所在電路和第二支撐件所在電路上產(chǎn)生電流；從而，通過每個第二支撐件所對應(yīng)的第一檢測裝置是否可以在第二支撐件所在電路上檢測到電壓或電平的變化，或者檢測到電流，本實(shí)施例提供的托盤支撐裝置可以確定第二支撐件與第一支撐件之間是否相導(dǎo)通，以及每個支撐件與托盤是否相接觸，進(jìn)而可以確定托盤相對于托盤支撐裝置是否處于正常位置。
[0018]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明提供的上述托盤支撐裝置，可以確定每個支撐件與托盤是否相接觸，并進(jìn)而確定托盤相對于托盤支撐裝置是否處于正常位置；從而在托盤偏離正常位置時，可以對其位置及時進(jìn)行校正。
【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的托盤支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為圖2所示托盤支撐裝置中支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為圖2所示托盤支撐裝置中托盤的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0023]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的托盤支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的托盤支撐裝置及等離子體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0025]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的托盤支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。請參看圖2，托盤支撐裝置包括托盤10、支撐件20、電源30和第一檢測裝置40。其中，托盤10采用導(dǎo)電材料制成，用于承載被加工工件；支撐件20采用導(dǎo)電材料制作，用于支撐托盤10，具體地，支撐件20包括第一支撐件21和第二支撐件22，第一支撐件21的數(shù)量為一個，且其與電源30電連接，第二支撐件22的數(shù)量為多個，在本實(shí)施例中優(yōu)選為