勻性。
【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜的制備方法的流程示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實施例提供的形成氧化硅薄膜的圖形的流程示意圖；
[0035]圖3a至圖3j分別為采用具體實施例提供的制備方法執(zhí)行各步驟后的剖面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0036]下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜的制備方法、薄膜晶體管及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0037]其中，附圖中各膜層厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內容】
。
[0038]本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，如圖1所示，具體可以包括以下步驟:
[0039]SlOl、在襯底基板上形成非晶硅薄膜；
[0040]S102、形成覆蓋非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的圖形，其中，位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度大于除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度；
[0041]S103、采用準分子激光照射氧化硅薄膜，使非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜，其中，位于預設區(qū)域內的初始多晶硅薄膜為目標低溫多晶硅薄膜。
[0042]本發(fā)明實施例提供的上述低溫多晶硅薄膜的制備方法，由于非晶硅薄膜上覆蓋有氧化硅薄膜，且位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度大于除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度，這樣在采用準分子激光對多晶硅薄膜進行晶化處理時，利用氧化硅薄膜作為保溫層，使非晶硅薄膜的溫度可以得到保持，有利于非晶硅的晶化。由于預設區(qū)域是要形成低溫多晶硅薄膜的區(qū)域，因此位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度較厚，以較好的保持晶化處理時預設區(qū)域內的非晶薄膜的溫度，從而保證預設區(qū)域內形成的多晶硅的晶粒尺寸較大；并且，在除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度較薄，可以避免其它區(qū)域內的非晶硅薄膜的溫度的溫度急劇下降、造成預設區(qū)域邊界處晶化環(huán)境不穩(wěn)定，從而影響預設區(qū)域邊界處形成的多晶硅的晶粒尺寸的均勻性。因此，本發(fā)明實施例提供的上述方法，不僅可以保證形成的低溫多晶硅薄膜的晶粒尺寸較大，并且可以保證低溫多晶硅薄膜的均勻性。
[0043]需要說明的是，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，襯底基板可以僅是一塊基板，當然也可以是上面形成有其它膜層的基板，在此不作限定。
[0044]進一步地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，襯底基板可以指上面形成有緩沖層的基板，在此不作限定。
[0045]進一步地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，在步驟S103使非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜之后，還可以包括:
[0046]去除初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜；
[0047]對初始多晶硅薄膜進行氫化處理；
[0048]對經(jīng)過氫化處理后的初始多晶硅薄膜進行構圖，保留位于預設區(qū)域內的初始多晶硅薄膜，去除除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的初始多晶硅薄膜，得到目標低溫多晶硅薄膜。
[0049]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度控制在5nm?20nm之間效果最佳，當然也可以根據(jù)實際制備需要設置為其他數(shù)值，在此不作限定。
[0050]具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，位于除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度是位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度的1/4-3/4。較佳地，在具體實施是，位于除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度是位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度的1/2。
[0051]較佳地，為了保證后期制備的低溫多晶硅薄膜的表面光滑，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，在去除初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜之后，對經(jīng)過氫化處理后的初始多晶硅薄膜進行構圖之前，還可以包括:
[0052]對初始多晶硅薄膜表面進行光滑化處理。
[0053]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，氧化硅薄膜的材料為二氧化硅(S12)。
[0054]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，形成覆蓋非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的圖形，如圖2所示，具體可以包括以下步驟:
[0055]S201、在非晶硅薄膜上形成氧化硅薄膜；
[0056]S202、在氧化硅薄膜上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對光刻膠層進行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域，且光刻膠完全保留區(qū)域對應于預設區(qū)域；
[0057]S203、對光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域進行刻蝕，形成氧化硅薄膜的圖形。
[0058]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，為了保證低溫多晶硅薄膜的質量，在形成非晶硅薄膜之后，形成覆蓋非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的圖形之前，還可以包括:
[0059]對非晶硅薄膜的表面進行氫化處理和清洗處理。
[0060]下面通過一個具體的實施例說明本發(fā)明實施例提供的上述制備方法。具體地，可以包括以下步驟:
[0061](I)在襯底基板I上形成非晶硅薄膜01，如圖3a所示；
[0062](2)在非晶硅薄膜01上形成氧化硅薄膜02，如圖3b所示；
[0063]具體地，在具體實施時，可以采用沉積方法在非晶硅薄膜上形成氧化硅薄膜，在此不作限定。
[0064]進一步地，氧化娃薄膜的材料為二氧化娃(S12)，氧化娃薄膜的厚度控制在5nm?20nm之間。
[0065]較佳地，為了保證低溫多晶硅薄膜的質量，在步驟(I)之后，在步驟(2)之前，還應該對對非晶硅薄膜的表面進行氫化處理和清洗處理。
[0066](3)在氧化硅薄膜02上涂覆光刻膠層03，如圖3c所示；
[0067]具體地，在具體實施時，光刻膠層的材料可以為正性光刻膠，也可以為負性光刻膠，在此不作限定。
[0068](4)使用掩膜板對光刻膠層03進行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域A和光刻膠部分保留區(qū)域B，且光刻膠完全保留區(qū)域A對應于預設區(qū)域S，如圖3d所示；
[0069](5)對光刻膠完全保留區(qū)域A和光刻膠部分保留區(qū)域B進行等厚度刻蝕，直到光刻膠部分保留區(qū)域B內的氧化硅薄膜02的厚度為光刻膠完全保留區(qū)域A內的氧化硅薄膜02的厚度的1/2左右停止刻蝕，得到在光刻膠完全保留區(qū)域A仍然殘留有光刻膠層03的形成氧化硅薄膜02的圖形，如圖3e所示；
[0070](6)去除氧化硅薄膜02上殘留的光刻膠層03，得到氧化硅薄膜02的圖形，如圖3f所示；
[0071](7)采用準分子激光照射氧化硅薄膜02，使非晶硅薄膜01形成初始多晶硅薄膜04，如圖3g和圖3h所示；其中，圖3g為激光開始照射時的結構圖，圖3h為已經(jīng)形成初始多晶硅薄膜04的結構圖；
[0072](8)去除初始多晶硅薄膜04上方的氧化硅薄膜02，并對初始多晶硅薄膜進行氫化處理，如圖3i所示；
[0073](9)對經(jīng)過氫化處理后的初始多晶硅薄膜04進行構圖，保留位于預設區(qū)域S內的初始多晶硅薄膜04，去除除了預設區(qū)域S之外其它區(qū)域內的初始多晶硅薄膜04，得到目標低溫多晶硅薄膜05，如圖3j所示。
[0074]上述實施例通過上述步驟(I)至(9)，在預設的區(qū)域內制得目標低溫多晶硅薄膜。由于在制備過程中，在非晶硅薄膜上覆蓋有氧化硅薄膜，且位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度大于除了預設區(qū)域之外其它區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度，這樣在采用準分子激光對多晶硅薄膜進行晶化處理時，利用氧化硅薄膜作為保溫層，使非晶硅薄膜的溫度可以得到保持，有利于非晶硅的晶化。由于預設區(qū)域是要形成低溫多晶硅薄膜的區(qū)域，因此位于預設區(qū)域內的氧化硅薄膜的厚度較厚，以較好的保持晶化處理時預設區(qū)域內的