引線鍵合的屏蔽結構及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子封裝的技術領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種引線鍵合的屏蔽 結構及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 在現有技術中，大多數分斷層屏蔽結構是基于激光切割處理。并且在分斷層的上 表面和側表面鍍覆導電屏蔽層以形成分斷屏蔽層，而分斷屏蔽層之間填充由絕緣材料來維 持各模塊的壓力。如TW201414374A所示，這種屏蔽結構不僅鍍覆工藝復雜，尤其對于分斷 屏蔽層之間的深槽結構底部通過常規(guī)的PVD，例如濺鍍工藝難以形成均勻厚度的導電屏蔽 層，此外由于材料的異質性，屏蔽層之間的填充效果也不好，另外分斷層屏蔽結構與地線之 間的導電性不佳，從而導致屏蔽效果不佳。

【發(fā)明內容】

[0003] 為了解決現有技術中的上述技術問題，本發(fā)明的目的在于提供一種引線鍵合的屏 蔽結構及其制備方法。
[0004] 為了實現上述目的，本發(fā)明的第一方面涉及一種引線鍵合的屏蔽結構的制備方 法。
[0005] 所述制備方法包括以下步驟：
[0006] (1)提供一線路基板，所述線路基板的第一表面上電性連接有至少兩個電子元件； 并且所述第一表面下設置有至少一接地墊，所述接地墊位于所述至少兩個電子元件之間； 提供引線鍵并將其與所述接地墊電性連接；
[0007] (2)對所述線路基板上的所述至少兩個電子元件填充封裝材料進行封膠；
[0008] (3)對相鄰的電子元件之間形成的封膠進行激光切割并且使得引線鍵裸露出來形 成具有兩個側壁的溝槽，而溝槽的兩側形成至少兩個封裝層；
[0009] (4)在所述溝槽的兩個側壁之間的空間內填充滿導電填料，并將露出的引線鍵包 覆在所述導電填料內；
[0010] (5)在所述線路基板、封裝層和導電填料的外露表面上鍍覆連續(xù)的屏蔽涂層，所述 屏蔽涂層通過所述引線鍵與接地墊電性連接。
[0011] 其中，所述屏蔽涂層還通過基板側邊的對地端口（Groundvia)與地線連接。
[0012] 其中，所述接地墊位于所述溝槽的正下方。
[0013] 其中，所述切割為激光切割工藝。
[0014] 其中，所述引線鍵的形狀為環(huán)形線、直線、柱狀、螺旋狀，或其它可加工的形狀。
[0015] 其中，所述屏蔽涂層為鍍膜工藝制備的金屬涂層。
[0016] 本發(fā)明的第二方面還涉及一種引線鍵合的屏蔽結構。
[0017] 本發(fā)明所述引線鍵合的屏蔽結構，包括線路基板，所述線路基板具有第一表面，所 述第一表面下設置有至少一個接地墊；所述第一表面上設置有至少兩個電子元件和用于封 裝所述電子元件的至少兩個封裝層，所述至少兩個電子元件均電性連接至所述線路基板； 相鄰的封裝層之間存在溝槽；其特征在于：所述溝槽的底部設置有電連接至接地墊的接線 端子（finger)，所述接線端子上連接有引線鍵；所述溝槽的空間填充滿導電填料；而所述 封裝層和導電填料的外露表面上鍍覆形成有連續(xù)的屏蔽涂層，并且所述屏蔽涂層通過所述 引線鍵與接地墊電性連接。
[0018] 其中，所述屏蔽涂層還通過基板側邊的對地端口（Groundvia)與地線連接。
[0019] 其中，所述電子元件包括受保護的元件或者敏感型的電子元件。
[0020] 其中，所述引線鍵的材料為金、銀、銅、鋁或它們的合金。
[0021] 其中，所述屏蔽涂層為導電金屬涂層。
[0022] 與現有技術相比，本發(fā)明所述的引線鍵合的屏蔽結構具有以下有益效果：
[0023] 本發(fā)明所述的引線鍵合的屏蔽結構與分斷層屏蔽結構相比，從工藝上而言，避免 了大高寬比的溝槽側壁的鍍覆問題。從技術效果上說，直接通過填充導電填料也避免了金 屬與填充樹脂之間因冷熱循環(huán)而導致的密封性不佳，甚至引起屏蔽層接地導電性降低甚至 失效的問題，使得屏蔽涂層不僅成為一個連續(xù)的整體，而且與接地墊之間的導通性更佳，電 磁屏蔽效果也更加優(yōu)異。
【附圖說明】
[0024] 圖1為實施例1中的引線鍵合的屏蔽結構的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0025] 以下將結合具體實施例對本發(fā)明的引線鍵合的屏蔽結構及其制備方法做進一步 的闡述，以幫助本領域的技術人員對本發(fā)明的發(fā)明構思、技術方案有更完整、準確和深入的 理解。
[0026] 實施例1屏蔽結構
[0027] 如圖1所示，本發(fā)明所述引線鍵合的屏蔽結構，包括線路基板10,所述線路基板具 有第一表面，所述第一表面下設置有至少一個接地墊12 ;所述第一表面上設置有至少兩個 電子元件20和用于封裝所述電子元件的至少兩個封裝層30,所述至少兩個電子元件均電 性連接至所述線路基板10 ;而且所述電子元件包括受保護的元件或者敏感型的電子元件。 相鄰的封裝層之間存在溝槽40 ;所述溝槽40的底部設置有電連接至接地墊的接線端子14， 所述接線端子14上連接有引線鍵50,圖1中所述引線鍵的形狀為直線，但其實際可以為任 意形狀，例如環(huán)形線、柱狀、螺旋狀，或其它可加工的形狀，并且所述引線鍵由導電性好的材 料制成，例如金、銀、銅、鋁或它們的合金。所述溝槽40的空間填充滿導電填料60 ;而所述 線路基板、封裝層和導電填料的外露表面上鍍覆形成有連續(xù)的屏蔽涂層70,并且所述屏蔽 涂層通過所述引線鍵50與接地墊12電性連接，而且屏蔽涂層70通過基板側邊的對地端口 16與地線連接。所述導電填料為環(huán)氧導電膠、導電型的金屬材料及其合金材料。而所述屏 蔽涂層為鍍膜工藝例如濺鍍制備的金屬涂層。
[0028] 上述屏蔽結構可以通過以下工藝制備得到：（1)提供一線路基板，所述線路基板 的第一表面上電性連接有至少兩個電子元件；并且所述第一表面下設置有至少一接地墊， 所述接地墊位于所述至少兩個電子元件之間；提供引線鍵并將其與所述接地墊電性連接； (2)對所述線路基板上的所述至少兩個電子元件填充封裝樹脂進行封膠；（3)對相鄰的電 子元件之間形成的封膠進行激光切割并且使得引線鍵裸露出來形成具有兩個側壁的溝槽， 而溝槽的兩側形成至少兩個封裝層；(4)在所述溝槽的兩個側壁之間的空間內填充滿導電 填料，并將露出的引線鍵包覆在所述導電填料內；（5)在封裝層和導電填料的外露表面上 鍍覆連續(xù)的屏蔽涂層，所述屏蔽涂層通過所述引線鍵與接地墊電性連接，也通過基板側邊 的對地端口（Groundvia)與地線連接。
[0029] 實施例2電磁屏蔽層
[0030] 在本實施例中，所述金屬涂層為Cu-Co-Si金屬涂層，并且所述Cu-Co-Si電磁屏蔽 層的厚度為2~10ym，優(yōu)選為2~5ym。所述Cu-Co-Si電磁屏蔽層通過磁控派射鍍膜得 到，其中，濺射靶材為Cu-Co-Si復合靶材，并且所述復合靶材中鈷的質量百分含量為32~ 35wt%，硅的質量百分含量為3~6wt%，余量為銅；濺射工藝為：以氬氣為工作氣體，并且 其流量為100~120sccm;濺射功率為18~20kW，鍍膜溫度為50~60°C。關于電磁屏蔽 層的效果可參見表1，為了便于比較金屬涂層的厚度均為2ym。所述的名義組成是依據復 合革G材的組成確定。
[0031] 表 1
【主權項】
1. 一種引線鍵合的屏蔽結構的制備方法，其特征在于包括w下步驟： (1) 提供一線路基板，所述線路基板的第一表面上電性連接有至少兩個電子元件；并 且所述第一表面下設置有至少一接地墊，所述接地墊位于所述至少兩個電子元件之間；提 供引線鍵并將其與所述接地墊電性連接； (2) 對所述線路基板上的所述至少兩個電子元件填充封裝材料進行封膠； (3) 對相鄰的電子元件之間形成的封膠進行激光切割并且使得引線鍵裸露出來形成具 有兩個側壁的溝槽，而溝槽的兩側形成至少兩個封裝層； (4) 在所述溝槽的兩個側壁之間的空間內填充滿導電填料，并將露出的引線鍵包覆在 所述導電填料內； (5) 在所述線路基板、封裝層和導電填料的外露表面上鍛覆連續(xù)的屏蔽涂層，所述屏蔽 涂層通過所述引線鍵與接地墊電性連接。
2. 根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于；所述屏蔽涂層還通過基板側邊的對 地端口（Ground via)與地線連接。
3. 根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述接地墊位于所述溝槽的正下方。
4. 根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于；所述引線鍵的形狀為環(huán)形線、直線、 柱狀或螺旋狀。
5. 根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于；所述屏蔽涂層為鍛膜工藝制備的金 屬涂層。
6. -種引線鍵合的屏蔽結構，包括線路基板，所述線路基板具有第一表面，所述第一 表面下設置有至少一個接地墊；所述第一表面上設置有至少兩個電子元件和用于封裝所 述電子元件的至少兩個封裝層，所述至少兩個電子元件均電性連接至所述線路基板；相鄰 的封裝層之間存在溝槽；其特征在于；所述溝槽的底部設置有電連接至接地墊的接線端子 (finger),所述接線端子上連接有引線鍵；所述溝槽兩側的空間填充滿導電填料；而所述 封裝層和導電填料的外露表面上鍛覆形成有連續(xù)的屏蔽涂層，并且所述屏蔽涂層通過所述 引線鍵與接地墊電性連接。
7. 根據權利要求6所述的引線鍵合的屏蔽結構，其特征在于：所述屏蔽涂層還通過基 板側邊的對地端口（Ground via)與地線連接。
8. 根據權利要求6所述的引線鍵合的屏蔽結構，其特征在于：所述電子元件包括受保 護的元件或者敏感型的電子元件。
9. 根據權利要求6所述的引線鍵合的屏蔽結構，其特征在于：所述引線鍵的材料為金、 銀、銅、侶或它們的合金。
10. 根據權利要求6所述的引線鍵合的屏蔽結構，其特征在于：所述屏蔽涂層為導電金 屬涂層。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種引線鍵合的屏蔽結構及其制備方法，屬于電子封裝的技術領域。所述屏蔽結構包括線路基板；所述線路基板具有第一表面，所述第一表面下設置有至少一個接地墊；所述第一表面上設置有至少兩個電子元件和至少兩個封裝層，所述至少兩個電子元件均電性連接至所述線路基板；相鄰的封裝層之間存在溝槽；所述溝槽的底部設置有電連接至接地墊的接線端子，所述接線端子上連接有引線鍵；所述溝槽兩側的空間填充滿導電填料；而所述線路基板、封裝層和導電填料的外露表面上鍍覆形成有連續(xù)的屏蔽涂層。本發(fā)明所述的引線鍵合的屏蔽結構不僅制備工藝更加簡單，而且通過填充導電填料使得屏蔽涂層與接地墊之間的導電性能更好更牢靠，屏蔽效果也更加優(yōu)異。
【IPC分類】H01L23-552
【公開號】CN104659022
【申請?zhí)枴緾N201510073298
【發(fā)明人】丁兆明, 李榮哲, 郭桂冠
【申請人】蘇州日月新半導體有限公司, 日月光半導體制造股份有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年2月12日