發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002] 覆晶式（Flip-Chip)發(fā)光二極管一般包括一平整的基板、間隔設(shè)置于基板上的第 一電極及第二電極以及設(shè)置在基板上且與所述第一電極及第二電極電性連接的發(fā)光芯片。
[0003] 所述發(fā)光芯片包括一第一電極接點以及與該第一電極接點間隔設(shè)置的第二電極 接點。所述第一電極接點及第二電極接點分別通過導(dǎo)電膠固定至所述第一電極及第二電 極。然而，所述發(fā)光芯片的第一電極接點與第二電極接點之間的間距較小，從而導(dǎo)致固定所 述第一電極接點的導(dǎo)電膠與固定所述第二電極接點的導(dǎo)電膠之間易于發(fā)生粘連，進而影響 其安全性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種安全性較高的發(fā)光二極管。
[0005] -種發(fā)光二極管，包括基板、設(shè)置在所述基板橫向相對兩側(cè)的第一電極及第二電 極、分別設(shè)置在第一電極及第二電極的第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠以及設(shè)置在第一導(dǎo)電膠及 第二導(dǎo)電膠上的發(fā)光芯片，所述基板的頂面凹陷形成有間隔設(shè)置的第一收容槽及第二收容 槽，所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠分別位于所述第一收容槽及第二收容槽的外側(cè)，以便所 述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠受到發(fā)光芯片的擠壓后分別流入第一收容槽及第二收容槽以 避免二者粘連。
[0006] 與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管的基板上設(shè)置有間隔設(shè)置的第一收容槽及 第二收容槽，所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠分別位于所述第一收容槽及第二收容槽的外 偵牝從而使得所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠在受到發(fā)光芯片的擠壓后分別流入所述第一收 容槽及第二收容槽以避免二者粘連，提高安全性。
【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的俯視圖。
[0008] 圖2為圖1中的發(fā)光二極管沿著II-II線的剖視圖。
[0009] 圖3-圖4為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管的剖視圖。
[0010] 圖5為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光二極管的剖視圖。
[0011] 主要元件符號說明
【主權(quán)項】
1. 一種發(fā)光二極管，包括基板、設(shè)置在所述基板橫向相對兩側(cè)的第一電極及第二電極、 分別設(shè)置在第一電極及第二電極的第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠W及設(shè)置在第一導(dǎo)電膠及第 二導(dǎo)電膠上的發(fā)光芯片，其特征在于：所述基板的頂面凹陷形成有間隔設(shè)置的第一收容槽 及第二收容槽，所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠分別位于所述第一收容槽及第二收容槽的外 偵UW便所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠受到發(fā)光芯片的擠壓后分別流入第一收容槽及第二 收容槽W避免二者粘連。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽分別 自所述基板的頂面中部內(nèi)凹形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽的深 度小于所述基板的整體厚度。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽的橫 截面為H角形，且所述第一收容槽及第二收容槽的寬度自上向下逐漸減小。
5. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一收容槽正對所述第一導(dǎo)電 膠的位置上形成朝向所述第一導(dǎo)電膠彎折的第一彎折槽，所述第二收容槽正對所述第二導(dǎo) 電膠的位置上形成朝向所述第二導(dǎo)電膠彎折的第二彎折槽。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一彎折槽包括自所述第一收 容槽朝向所述第一導(dǎo)電膠延伸的二間隔相對的第一水平槽W及連接所述二第一水平槽的 第一豎直槽，所述第二彎折槽包括自所述第二收容槽朝向所述第二導(dǎo)電膠延伸的二間隔相 對的第二水平槽W及連接所述二第二水平槽的第二豎直槽。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一豎直槽及所述第二豎直槽 分別自所述基板的頂面的相對兩側(cè)邊緣內(nèi)凹形成。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一豎直槽的長度大于所述第 一導(dǎo)電膠的最大寬度，所述第二豎直槽的長度大于所述第二導(dǎo)電膠的最大寬度。
9. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽分別 自所述基板頂面的相對兩側(cè)邊緣內(nèi)凹形成。
10. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一收容槽平行于所述第二收 容槽，所述第一收容槽及第二收容槽分別沿著所述基板的縱向延伸且分別貫穿所述基板的 縱向相對的兩端。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管，包括基板、設(shè)置在所述基板橫向相對兩側(cè)的第一電極及第二電極、分別設(shè)置在第一電極及第二電極的第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠以及設(shè)置在第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠上的發(fā)光芯片，所述基板的頂面凹陷形成有間隔設(shè)置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠分別位于所述第一收容槽及第二收容槽的外側(cè)，以便所述第一導(dǎo)電膠及第二導(dǎo)電膠受到發(fā)光芯片的擠壓后分別流入第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘連。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-62
【公開號】CN104659196
【申請?zhí)枴緾N201310583879
【發(fā)明人】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月20日