0的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為1.5nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0054]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為140nm。蒸鍍在真空壓力為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0055]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡單；制備的有機電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0056]以下結(jié)合具體實施例對有機電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0057]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計測試電流密度和色度。
[0058]實施例1
[0059]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Alq3/Mo03:Zr02/AIq3/1T0/Mo03/NPB/AIq3/TAZ/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件，本實施例及以下實施例中“/”表示層，“:”表示摻雜。
[0060]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底上制備散射層，散射層由第一發(fā)光材料層、金屬氧化物摻雜層和第二發(fā)光材料層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備第一發(fā)光材料層，材料為Alq3，厚度為45nm,在第一發(fā)光材料層表面米用電子束蒸鍍制備金屬氧化物摻雜層，材料為MoO3 = ZrO2,MoO3與ZrO2的質(zhì)量比為12:1，厚度為200nm，在金屬氧化物摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備第二發(fā)光材料層，材料為Alq3,厚度為5nm。然后在散射層上制備ΙΤ0，厚度為lOOnm，采用磁控派射的方法制備；蒸鍍制備空穴注入層:材料為MoO3,厚度為40nm ;蒸鍍制備空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為40nm ;蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為1nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為10nm;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF，厚度為1.5nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為140nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0061]磁控濺射制備的工作壓強為8X 10_4Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.3nm/s，金屬的蒸鍍速率為2nm/s。磁控濺射的加速電壓:700V，磁場約:120G，功率密度:250W/cm2。
[0062]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為8X10_5Pa，工作電流為1.5A，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0063]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為8X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為40W/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0064]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Alq3/Mo03:Zr02/Alq3/IT0/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對比例制備有機電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實施例1均相同。
[0065]從圖上可以看到，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例1的流明效率為8.21m/W，而對比例的僅為5.71m/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，在陽極與高折射率玻璃基板之間制備的散射層，散射層由第一發(fā)光材料層、金屬氧化物摻雜層和第二發(fā)光材料層組成，第一發(fā)光材料層的發(fā)光材料為熒光發(fā)光材料，且與發(fā)光層的材料一致，可對發(fā)光光色進(jìn)行補充，提高光色純度，有效提高發(fā)光效率，使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，而金屬氧化物摻雜層由具有空穴注入能力的第一金屬氧化物和具有高折射率的第二金屬氧化物組成，可提高空穴注入效率，高折射率的第二金屬氧化物可降低散射層與陽極之間的折射率差，從而有效避免全反射的產(chǎn)生，提高出光效率，第二發(fā)光材料層可以阻擋金屬氧化物摻雜層中的金屬離子向有機材料處進(jìn)行擴散，避免發(fā)生淬滅，進(jìn)一步補充光色，提高發(fā)光效率，從而有機電致發(fā)光器件的壽命較長。
[0066]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0067]實施例2
[0068]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/DCJTB/W03: MgO/ADN/1Z0/Mo03/TCTA/ADN/Bphen/CsN3/A1的有機電致發(fā)光器件。
[0069]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由第一發(fā)光材料層、金屬氧化物摻雜層和第二發(fā)光材料層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備第一發(fā)光材料層，材料為DCJTB，厚度為20nm，在第一發(fā)光材料層表面采用電子束蒸鍍制備金屬氧化物摻雜層，材料為WO3 = MgO,WO3與MgO的質(zhì)量比為10:1，厚度為300nm，在金屬氧化物摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備第二發(fā)光材料層，材料為ADN，厚度為2nm。然后在散射層上制備ΙΖ0，厚度為80nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3,厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3，厚度為1nm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為80nm ；最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0070]磁控濺射制備的工作壓強為2X 10_3Pa，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lOnm/s。磁控濺射的加速電壓:300V，磁場約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0071]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X10_3Pa，工作電流為1A，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0072]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0073]實施例3
[0074]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/ADN/V205:Ca0/DCJTB/AZ0/W03/TAPC/DCJTB/TPBi/Cs2C03/Au的有機電致發(fā)光器件。
[0075]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上；在玻璃基底上制備散射層，散射層由第一發(fā)光材料層、金屬氧化物摻雜層和第二發(fā)光材料層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備第一發(fā)光材料層，材料為ADN，厚度為60nm,在第一發(fā)光材料層表面米用電子束蒸鍍制備金屬氧化物摻雜層,材料為V2O5 = CaO,V2O5與CaO的質(zhì)量比為15:1，厚度為lOOnm，在金屬氧化物摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備第二發(fā)光材料層，材料為DCJTB，厚度為10nm。然后在散射層上制備AZ0，厚度為300nm，采用磁控濺射的方法制備。蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為20nm;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsF，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
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