5nm?40nm,優(yōu)選為24nm。
[0028]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。電子傳輸層50的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層50的厚度為40nm?250nm,優(yōu)選為85nm。
[0029]如圖2所不，電子注入層60形成于電子傳輸層50表面。電子注入層60由二氧化鈦摻雜層601和金屬摻雜層602組成，所述二氧化鈦摻雜層601材料包括二氧化鈦和摻雜在所述二氧化鈦中的第一金屬材料，所述第一金屬材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV,所述金屬摻雜層602包括第二金屬材料組和摻雜在所述第二金屬材料中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述第二金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV,所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1，3，5_三嗪，2，6-二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3，，3，，- (4-(萘-1-基)-4!1-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(N，N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)及2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種。
[0030]所述二氧化鈦摻雜層601中所述二氧化鈦與所述第一金屬材料的質(zhì)量比為0.05:1?0.1:1，所述金屬摻雜層602中所述第二金屬材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為0.5:1?1:1。
[0031]所述二氧化鈦摻雜層601厚度為20nm?150nm，所述金屬摻雜層602厚度為1nm ?20nmo
[0032]所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種，所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
[0033]陰極70形成于電子注入層60表面。陰極層70材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選Ag,厚度為80nm?250nm,優(yōu)選厚度為132nm。
[0034]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100通過(guò)制備多層結(jié)構(gòu)的電子注入層結(jié)構(gòu)示意圖，該電子注入層結(jié)構(gòu)層由二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層組成，二氧化鈦摻雜層由二氧化鈦和低功函數(shù)的第一金屬組成，二氧化鈦的比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，低功函數(shù)的第一金屬可有效降低層間的電子注入勢(shì)壘，提高電子注入效率，同時(shí)，低功函數(shù)金屬載流子濃度較高，可提高器件的導(dǎo)電性，提高電子傳輸速率。金屬摻雜層由雙極性有機(jī)傳輸材料和高功函數(shù)第二金屬組成，雙極性有機(jī)傳輸材料具有傳輸空穴與傳輸電子的作用，可提高電子的傳輸速率降低與相鄰層之間的電子注入勢(shì)壘，提高其電子注入效率，具有較低的HOMO能級(jí)，可阻止空穴穿越到陰極而造成空穴淬滅，高功函數(shù)的第二金屬與陰極金屬的功函接近，可降低摻雜層與陰極之間的電子注入勢(shì)壘，提高電子注入效率，金屬有利于光的反射，可提聞出光效率從而提聞發(fā)光效率。
[0035]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0036]一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0037]步驟S110、在陽(yáng)極10表面依次形成空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50及電子注入層60。
[0038]陽(yáng)極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0，陽(yáng)極10的厚度為50nm?300nm，優(yōu)選為115nm。
[0039]本實(shí)施方式中，在陽(yáng)極10表面形成空穴注入層20之前先對(duì)陽(yáng)極10進(jìn)行前處理，前處理包括:將陽(yáng)極10進(jìn)行光刻處理，裁成所需要的大小，采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽(yáng)極10表面的有機(jī)污染物。采用磁控濺射的方式制備陽(yáng)極，工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/S，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場(chǎng)為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
[0040]空穴注入層20形成于陽(yáng)極10的表面?？昭ㄗ⑷雽?0由蒸鍍制備?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03。空穴注入層20的厚度為20nm?80nm，優(yōu)選為21nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 10_3?2X ICT4Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0041]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面。空穴緩沖層30由蒸鍍制備。空穴傳輸層30的材料選自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為25nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT3?2X ICT4Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0042]發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40由蒸鍍制備。發(fā)光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯(BCzVBi)及八羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層40的厚度為0.5nm?40nm,優(yōu)選為24nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s ?lnm/sο
[0043]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。電子傳輸層50的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層50的厚度為40nm?250nm,優(yōu)選為85nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT3?2X ICT4Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0044]步驟S120、電子注入層60形成于電子傳輸層50表面。電子注入層60由二氧化鈦摻雜層601和金屬摻雜層602組成,在電子傳輸層表面通過(guò)電子束蒸鍍的方法制備二氧化鈦摻雜層601，所述二氧化鈦摻雜層601材料包括二氧化鈦和摻雜在所述二氧化鈦中的第一金屬材料，所述第一金屬材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV,然后在所述二氧化鈦摻雜層601表面通過(guò)熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層602,所述金屬摻雜層602包括第二金屬材料組和摻雜在所述第二金屬材料中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述第二金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV,所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪(TRZ4)，2，6-二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2，6Dczppy)，3，，3，，- (4-(萘-1-基)-4Η-1，2，4-三唑-3，5- 二基)雙(N，N- 二 (聯(lián)苯基)_4_ 氨)(p-TPAm-NTAZ)及 2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)_9H_ 咔唑-3-基)苯基)_1，3，4-噁二唑(CzOXD)中至少一種。
[0045]所述二氧化鈦摻雜層601中所述二氧化鈦與所述第一金屬材料的質(zhì)量比為0.05:1?0.1:1，所述金屬摻雜層602中所述第二金屬材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為0.5:1?1:1。
[0046]所述二氧化鈦摻雜層601厚度為20nm?150nm,所述金屬摻雜層602厚度為1nm ?20nmo
[0047]所述第一金屬材料選自鎂(Mg)、銀(SrXI11KCa)及鐿(Yb)中至少一種,所述第二金屬材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中至少一種。
[0048]所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，電流為IA?5A,有機(jī)材料的蒸鍍速率