鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0055]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為0.7nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0056]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為80nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0057]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0058]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試電流密度和色度。
[0060]實(shí)施例1
[0061]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/LiF:Mg/Alq3/Li20:MgF2/IT0/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件，本實(shí)施例及以下實(shí)施例中“/”表示層，“:”表示摻雜。
[0062]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃基底上制備散射層，散射層由鋰鹽摻雜層、發(fā)光材料層和鎂的化合物摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備鋰鹽摻雜層，材料為L(zhǎng)iF:Mg，LiF與Mg的質(zhì)量比為8:1，厚度為70nm，在鋰鹽摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備發(fā)光材料層，材料為Alq3,厚度為40nm,在發(fā)光材料層表面采用電子束蒸鍍制備鎂的化合物摻雜層，材料為L(zhǎng)i20:MgF2，Li2O與MgF2的質(zhì)量比為2:5，厚度120nm。然后在散射層上制備ΙΤ0，厚度為lOOnm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍制備空穴注入層:材料為MoO3,厚度為40nm ;蒸鍍制備空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為40nm ;蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為1nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為10nm;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF，厚度為1.5nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為140nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0063]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為8X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.3nm/s，金屬的蒸鍍速率為2nm/s。磁控濺射的加速電壓:700V，磁場(chǎng)約:120G，功率密度:250W/cm2。
[0064]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為8X10_5Pa，工作電流為2A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0065]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為8X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為50W/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0066]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/LiF:Mg/Alq3/Li20 = MgF2/ITO/M0O3/NPB/AIq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對(duì)比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0067]從圖上可以看到，實(shí)施例1的流明效率都比對(duì)比例的要大，實(shí)施例1的流明效率為6.0lm/W，而對(duì)比例的僅為4.51m/W，而且對(duì)比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，在陽極與高折射率玻璃基板之間制備的散射層，散射層由鋰鹽摻雜層、發(fā)光材料層和鎂的化合物摻雜層組成，鋰鹽摻雜層為鋰鹽材料和金屬材料組成，金屬材料為低功函數(shù)金屬，金屬可提供大量的自由電子，提高器件導(dǎo)電性，有利于空穴傳輸，發(fā)光材料層為熒光發(fā)光材料，且與發(fā)光層的材料一致，可對(duì)發(fā)光光色進(jìn)行補(bǔ)充，提高光色純度，有效提高發(fā)光效率，鎂的化合物摻雜層為鎂的化合物材料和鋰材料鹽組成，鎂的化合物材料的折射率比有機(jī)層高，可避免光從發(fā)光層到達(dá)陽極產(chǎn)生全反射，提高了出光效率，兩層鋰鹽材料由于有金屬離子的存在，鋰鹽材料的粒徑較大，可對(duì)光進(jìn)行散射，提高出光效率，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。
[0068]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0069]實(shí)施例2
[0070]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Li2O: Sr/DCJTB/LiF:MgO/1ZO/M0O3/TAPC/DCJTB/TPBi/Cs2C03/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0071]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由鋰鹽摻雜層、發(fā)光材料層和鎂的化合物摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備鋰鹽摻雜層，材料為L(zhǎng)i20:Sr，Li2O與Sr的質(zhì)量比為3:1，厚度為120nm，在鋰鹽摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備發(fā)光材料層，材料為DCJTB，厚度為10nm，在發(fā)光材料層表面采用電子束蒸鍍制備鎂的化合物摻雜層，材料為L(zhǎng)iF:MgO，LiF與MgO的質(zhì)量比為0.2:1，厚度150nm。然后在散射層上制備IZO，厚度為80nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為Snm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為Cs2CO3,厚度為1nm ；蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為SOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0072]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lOnm/s。磁控濺射的加速電壓:300V，磁場(chǎng)約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0073]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X10_3Pa，工作電流為1A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0074]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0075]實(shí)施例3
[0076]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/LiBr: Ca/ADN/LiCl: MgCl2/AZ0/W03/TCTA/ADN/TAZ/CsN3/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0077]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底上制備散射層，散射層由鋰鹽摻雜層、發(fā)光材料層和鎂的化合物摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備鋰鹽摻雜層，材料為L(zhǎng)iBr:Ca，LiBr與Ca的質(zhì)量比為12:1，厚度為50nm，在鋰鹽摻雜層表面采用熱阻蒸鍍制備發(fā)光材料層，材料為ADN，厚度為60nm，在發(fā)光材料層表面采用電子束蒸鍍制備鎂的化合物摻雜層，材料為L(zhǎng)iCliMgCl2, LiCl與MgCl2的質(zhì)量比為1:1，厚度8011111。然后在散射層上制備AZO，厚度為300nm，采用磁控濺射的方法制備。蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0078]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，