的薄膜晶體管中，其中的有源層、源電極、漏電極、像素電極設 置在同一層，柵極絕緣層位于有源層上，柵極位于柵極絕緣層上，簡化了現(xiàn)有技術的陣列基 板的結(jié)構(gòu)，方便了有源層、源電極、漏電極、像素電極、柵極絕緣層和柵極通過一次構(gòu)圖工藝 形成，且有源層、源電極、漏電極、像素電極、柵極絕緣層和柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成，減 少了薄膜晶體管制作工藝中的掩膜次數(shù)，縮短了薄膜晶體管的制作時間，提高了薄膜晶體 管的制作效率，降低了薄膜晶體管的生產(chǎn)成本。
[0124] 本發(fā)明另一實施例中提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：
[0125] 在基板上依次層疊制作半導體金屬氧化物薄膜、柵極絕緣薄膜、柵極薄膜；
[0126] 通過一次構(gòu)圖工藝，將所述半導體金屬氧化物薄膜形成包含有源層以及位于源電 極區(qū)域、漏電極區(qū)域的圖形，將所述柵極絕緣薄膜形成包含柵極絕緣層的圖形，將所述柵極 薄膜形成包含柵極的圖形；所述源電極通過所述有源層與所述漏電極連接；
[0127] 將所述位于源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的圖形進行導體化，形成源電極和漏電極。
[0128] 本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，其通過層疊成膜和一次構(gòu)圖工藝 及導體化步驟，制得的有源層、源電極、漏電極在同一層，柵極絕緣層位于有源層上，柵極位 于柵極絕緣層上，該方法減少了薄膜晶體管制作工藝中的掩膜次數(shù)，縮短了薄膜晶體管的 制作時間，提高了薄膜晶體管的制作效率，降低了薄膜晶體管的生產(chǎn)成本。
[0129] 本發(fā)明另一實施例中提供一種包含上述任一方案所述的陣列基板的顯示裝置。
[0130] 本發(fā)明實施例提供的顯示裝置中，其中的有源層、源電極、漏電極、像素電極設置 在同一層，柵極絕緣層位于有源層上，柵極位于柵極絕緣層上，簡化了現(xiàn)有技術的顯示裝置 的結(jié)構(gòu)，方便了有源層、源電極、漏電極、像素電極、柵極絕緣層和柵極通過一次構(gòu)圖工藝形 成，且有源層、源電極、漏電極、像素電極、柵極絕緣層和柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成，減少 了顯示裝置制作工藝中的掩膜次數(shù)，縮短了顯示裝置的制作時間，提高了顯示裝置的制作 效率，降低了顯示裝置的生產(chǎn)成本。
[0131] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以權利要求所述的保護范圍為準。
【主權項】
1. 一種陣列基板，包括基板，其特征在于，還包括： 在所述基板上同層設置的有源層、源電極、漏電極、像素電極； 位于所述有源層上的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層上的柵極； 所述有源層、源電極、漏電極、像素電極、柵極絕緣層和柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成，所 述源電極通過所述有源層與所述漏電極連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括： 位于所述像素電極、源電極、漏電極、柵極上的層間介質(zhì)，所述層間介質(zhì)包括對應所述 源電極的過孔； 位于所述層間介質(zhì)上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過所述過孔與所述源電極連接。
3. 根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括： 位于所述數(shù)據(jù)線和所述層間介質(zhì)上的純化層； 位于所述純化層上的公共電極。
4. 根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括；位于所述純化層上的有機樹 脂層，所述公共電極位于所述有機樹脂層上。
5. -種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括W下步驟： 在基板上依次層疊制作半導體金屬氧化物薄膜、柵極絕緣薄膜、柵極薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝，將所述半導體金屬氧化物薄膜形成包含有源層W及位于像素電極 區(qū)域、源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域的圖形，將所述柵極絕緣薄膜形成包含柵極絕緣層的圖形， 將所述柵極薄膜形成包含柵極的圖形；所述源電極通過所述有源層與所述漏電極連接； 將所述位于像素電極區(qū)域、源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的圖形進行導體化，形成像素電 極、源電極和漏電極。
6. 根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成像素電極、源電 極和漏電極之后還包括： 制作覆蓋所述像素電極、源電極、漏電極、柵極的層間介質(zhì)薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝將 所述層間介質(zhì)薄膜形成包含過孔的層間介質(zhì)，所述過孔對應所述源電極； 制作覆蓋所述過孔的數(shù)據(jù)線薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝將所述數(shù)據(jù)線薄膜形成包含數(shù)據(jù) 線的圖形，所述數(shù)據(jù)線通過所述過孔與所述源電極連接。
7. 根據(jù)權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝 將所述數(shù)據(jù)線薄膜形成包含數(shù)據(jù)線的圖形之后還包括： 制作覆蓋所述數(shù)據(jù)線和所述層間介質(zhì)的純化層薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝將所述純化層 薄膜形成純化層； 在所述純化層上制作公共電極薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝將所述公共電極薄膜形成包含 公共電極的圖形。
8. 根據(jù)權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝 將所述純化層薄膜形成純化層包括： 制作覆蓋所述純化層薄膜的有機樹脂薄膜； 將所述有機樹脂薄膜在純化層區(qū)域的有機樹脂保留，其他區(qū)域的有機樹脂去除，形成 有機樹脂層； 將暴露出的純化層薄膜去除，形成純化層； 所述在所述純化層上制作公共電極薄膜具體為；在所述有機樹脂層上制作公共電極薄 膜。
9. 根據(jù)權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述通過一次構(gòu)圖工 藝將所述公共電極薄膜形成包含公共電極的圖形之后，對陣列基板進行退火處理，所述退 火溫度為200°C -250°C。
10. 根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述通過一次構(gòu)圖工藝，將所述半導體金屬氧化物薄膜形成包含有源層W及位于像素 電極區(qū)域、源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域的圖形，將所述柵極絕緣薄膜形成包含柵極絕緣層的圖 形，將所述柵極薄膜形成包含柵極的圖形，包括W下步驟： 在所述柵極薄膜上涂覆光刻膠；通過半色調(diào)掩膜板對光刻膠進行一次曝光、顯影，使得 光刻膠形成半保留光刻膠區(qū)域、全保留光刻膠區(qū)域和全去除光刻膠區(qū)域，所述半保留光刻 膠區(qū)域包括源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域和像素電極區(qū)域，所述全保留光刻膠區(qū)域包括柵極區(qū) 域，除半保留光刻膠區(qū)域、全保留光刻膠區(qū)域之外的區(qū)域為全去除光刻膠區(qū)域； 刻蝕掉全去除光刻膠區(qū)域?qū)臇艠O薄膜、柵極絕緣薄膜和半導體金屬氧化物薄膜； 通過第一次灰化工藝，去除半保留光刻膠區(qū)域的光刻膠，且去除全保留光刻膠區(qū)域的 部分光刻膠； 刻蝕掉所述半保留光刻膠區(qū)域?qū)臇艠O薄膜和柵極絕緣薄膜，W便由所述柵極薄膜 形成包含柵極的圖形，由所述柵極絕緣薄膜形成包含柵極絕緣層的圖形； 通過光刻膠剝離工藝，去除所述全保留光刻膠區(qū)域的光刻膠。
11. 根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述半導體金屬氧化物 薄膜是IGZO薄膜。
12. 根據(jù)權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)薄膜的材 料包含Si化。
13. -種薄膜晶體管，包括基板，其特征在于，還包括： 在所述基板上同層設置的有源層、源電極、漏電極； 位于所述有源層上的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層上的柵極； 所述有源層、源電極、漏電極、柵極絕緣層和柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成，所述源電極 通過所述有源層與所述漏電極連接。
14. 一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括W下步驟： 在基板上依次層疊制作半導體金屬氧化物薄膜、柵極絕緣薄膜、柵極薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝，將所述半導體金屬氧化物薄膜形成包含有源層W及位于源電極區(qū) 域、漏電極區(qū)域的圖形，將所述柵極絕緣薄膜形成包含柵極絕緣層的圖形，將所述柵極薄膜 形成包含柵極的圖形；所述源電極通過所述有源層與所述漏電極連接； 將所述位于源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的圖形進行導體化，形成源電極和漏電極。
15. -種包含權利要求1-4任一項所述的陣列基板的顯示裝置。
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、薄膜晶體管及制作方法、顯示裝置。所述陣列基板包括基板(1)，在基板(1)上同層設置的有源層(2)、源電極(3)、漏電極(4)、像素電極(5)；位于有源層(2)上的柵極絕緣層(6)；位于柵極絕緣層(6)上的柵極(7)；有源層(2)、源電極(3)、漏電極(4)、像素電極(5)、柵極絕緣層(6)和柵極(7)通過一次構(gòu)圖工藝形成，源電極(3)通過有源層(2)與漏電極(4)連接。本發(fā)明的陣列基板解決了現(xiàn)有技術陣列基板的結(jié)構(gòu)較為復雜、制作工藝較多、生產(chǎn)效率低、成本較高等技術問題，可代替現(xiàn)有的陣列基板，應用于顯示技術領域中。
【IPC分類】H01L27-02, H01L29-786, H01L21-77, H01L29-06, H01L21-28
【公開號】CN104681627
【申請?zhí)枴緾N201510105369
【發(fā)明人】王珂
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年3月10日