進(jìn)行熱噴涂才能保證抗蝕刻劑在硅片表面形成良好的覆蓋。優(yōu)選情況下，熱 噴涂抗蝕刻劑的溫度為85 ±5°C。
[0023] 本發(fā)明中，所述蝕刻液為現(xiàn)有技術(shù)中制備SE晶體硅太陽能電池常用的各種混酸 蝕刻液，本發(fā)明沒有特殊限定，此處不再贅述。
[0024] 如前所述，本發(fā)明提供的抗蝕刻劑，可采用堿性物質(zhì)清洗去除。對(duì)應(yīng)地，本發(fā)明中， 蝕刻完成后去除表面的抗蝕刻劑時(shí)采用的清洗劑可直接采用現(xiàn)有技術(shù)中各種堿性物質(zhì)。優(yōu) 選情況下，本發(fā)明中，清洗劑可采用K0H、丁基卡必醇、水的混合體系，但不局限于此。
[0025] 最后，本發(fā)明提供了一種SE晶體硅太陽能電池，所述SE晶體硅太陽能電池由本發(fā) 明提供的制備方法制備得到。
[0026] 如前所述，本發(fā)明提供的SE晶體硅太陽能電池，制備過程中采用的抗蝕刻劑能在 硅片表面形成均一穩(wěn)定的混合物，因此能有效地保護(hù)硅片表面的重?cái)U(kuò)散區(qū)域，形成選擇性 發(fā)射極，使得SE晶體硅太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0027] 為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合 實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋 本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0028] 實(shí)施例1 將65重量份的棕櫚酸加熱至85°C,棕櫚酸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài),然后依次加入30重量份的氫化 松香、4重量份的檸檬酸三丁酯和1重量份的氫化蓖麻油，充分?jǐn)嚢?0mins，待氫化松香和 檸檬酸三丁酯全部溶解、氫化蓖麻油充分分散后停止攪拌和加熱，得到本實(shí)施例的抗蝕刻 劑S1，其熔點(diǎn)為61°C，85°C下的粘度為10. lcps。
[0029] 實(shí)施例2 將60重量份的硬脂酸加熱至85°C，硬脂酸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，然后依次加入33重量份的松 香、5重量份的鄰苯二甲酸二甲酯和2重量份的蓖麻油，充分?jǐn)嚢?0mins，待松香和鄰苯二 甲酸二甲酯全部溶解、蓖麻油充分分散后停止攪拌和加熱，得到本實(shí)施例的抗蝕刻劑S2,其 熔點(diǎn)為63°C，85°C下的粘度為10. 9cps。
[0030] 實(shí)施例3 將67重量份的十四烷酸加熱至85°C，十四烷酸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，然后依次加入28重量份的 歧化松香、3. 5重量份的已二酸二辛酯和1. 5重量份的聚酰胺蠟，充分?jǐn)嚢?0mins，待聚合 松香和已二酸二辛酯全部溶解、聚酰胺蠟充分分散后停止攪拌和加熱，得到本實(shí)施例的抗 蝕刻劑S3,其熔點(diǎn)為59°C，85°C下的粘度為9. 5 cps。
[0031] 實(shí)施例4 將65重量份的十五烷酸加熱至85°C，十五烷酸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，然后依次加入30重量份 的氫化松香、4重量份的檸檬酸三丁酯和1重量份的改性聚醚類觸變劑NLS200,充分?jǐn)嚢?20mins，待氫化松香和檸檬酸三丁酯全部溶解、NLS200充分分散后停止攪拌和加熱，得到本 實(shí)施例的抗蝕刻劑S4,其熔點(diǎn)為60°C，85°C下的粘度為10.0 cps。。
[0032] 實(shí)施例5-8 多晶硅片規(guī)格：156X 156mm，厚度為200 μ m (腐蝕前)，印刷前厚度為180 μ m。對(duì)硅片 表面先進(jìn)行制絨、磷擴(kuò)散，然后在85°C下分別熱噴涂實(shí)施例1-4的抗蝕刻劑S4,然后浸入混 酸蝕刻液中進(jìn)行蝕刻，完成后放入清洗劑(質(zhì)量比KOH :丁基卡必醇=H2O=I :5 :50)去除抗蝕 亥Ij劑，然后去磷硅并鍍減反射膜，然后在硅片的向光面和背面依次涂覆電極漿料，最后涂覆 背場(chǎng)漿料，燒結(jié)后分別得到SE晶體硅太陽能電池，記為S10-S40。
[0033] 對(duì)比例1 多晶硅片規(guī)格：156X 156mm，厚度為200 μ m (腐蝕前)，印刷前厚度為180 μ m。對(duì)硅片 表面先進(jìn)行制絨、磷擴(kuò)散，然后去磷硅并鍍減反射膜，然后在硅片的向光面和背面依次涂覆 電極漿料，最后涂覆背場(chǎng)漿料，燒結(jié)后得到太陽能電池，記為DS10。
[0034] 對(duì)比例2 多晶硅片規(guī)格：156X 156mm，厚度為200 μ m (腐蝕前)，印刷前厚度為180 μ m。對(duì)硅 片表面先進(jìn)行制絨、磷擴(kuò)散，然后在85°C下熱噴涂商購(gòu)的抗蝕刻劑DSl (陶氏化學(xué)DOW XV120082-1)，然后浸入混酸蝕刻液中進(jìn)行蝕刻，完成后放入清洗劑(質(zhì)量比KOH :丁基卡必 醇=H2O=I :5 :50)去除抗蝕刻劑，然后去磷硅并鍍減反射膜，然后在硅片的向光面和背面依 次涂覆電極漿料，最后涂覆背場(chǎng)漿料，燒結(jié)后得到SE晶體硅太陽能電池，記為DS20。
[0035] 性能測(cè)試 1、抗蝕刻劑性能測(cè)試 測(cè)試各抗蝕刻劑S1-S4和DSl的熔點(diǎn)、85°C下的粘度、以及其耐酸時(shí)間（酸液組成為質(zhì) 量比氫氟酸：硝酸=H2O=I :9:15)。
[0036] 測(cè)試結(jié)果如表1所示。
[0037] 2、太陽能電池性能測(cè)試 觀察各SE晶體硅太陽能電池 S10-S40和DS10-DS20的外觀情況，外觀完好記為0K，否 則記為NG。
[0038] 采用單次閃光模擬測(cè)試儀器測(cè)試各SE晶體硅太陽能電池 S10-S40和DS10-DS20 光電轉(zhuǎn)化效率(簡(jiǎn)稱Eta)。測(cè)試條件為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件（STC):光強(qiáng)：1000W/m 2 ;光譜:AML 5 ; 溫度：25°C。
[0039] 測(cè)試結(jié)果如表2所示。 表1
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種抗蝕刻劑，其特征在于，所述抗蝕刻劑中含有粘結(jié)樹脂、溶劑、增塑劑和觸變劑； W 1重量份的粘結(jié)樹脂為基準(zhǔn)，所述抗蝕刻劑中溶劑的含量為1. 5-3重量份；所述溶劑為碳 原子數(shù)為14-18的飽和脂肪酸，所述粘結(jié)樹脂為松香及其衍生物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕刻劑，其特征在于，所述抗蝕刻劑中，增塑劑的含量為粘 結(jié)樹脂和溶劑總重量的2-7wt%，觸變劑的含量為粘結(jié)樹脂和溶劑總重量的0. 2-3. 5%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕刻劑，其特征在于，所述溶劑為蹤擱酸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕刻劑，其特征在于，所述粘結(jié)樹脂選自松香、氨化松香、 聚合松香、歧化松香、馬來松香中的一種或多種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗蝕刻劑，其特征在于，所述增塑劑選自鄰苯二甲酸二甲 醋、已二酸二辛醋、巧樣酸H下醋中的一種或多種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗蝕刻劑，其特征在于，所述觸變劑選自當(dāng)麻油、氨化當(dāng) 麻油、聚醜胺蠟、改性聚離類觸變劑、改性聚脈觸變劑中的一種或多種。
7. 權(quán)利要求1所述的抗蝕刻劑的制備方法，其特征在于，包括W下步驟：先將溶劑加熱 至烙融，然后加入粘結(jié)樹脂、增塑劑和觸變劑，混合均勻后冷卻，得到所述抗蝕刻劑。
8. -種SE晶體娃太陽能電池的制備方法，包括W下步驟；在經(jīng)過制絨、磯擴(kuò)散的娃片 表面熱噴涂抗蝕刻劑W保護(hù)娃片表面不需蝕刻區(qū)域，然后浸入蝕刻液中進(jìn)行蝕刻，蝕刻完 成后去除表面的抗蝕刻劑，去磯娃并鍛減反射膜，然后在娃片的向光面和背面制備正面電 極和背電場(chǎng)、背電極，得到所述SE晶體娃太陽能電池；其特征在于，所述抗蝕刻劑為權(quán)利要 求1-6任一項(xiàng)所述的抗蝕刻劑。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，熱噴涂抗蝕刻劑的溫度為85 + 5C。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述蝕刻液為氨氣酸和硝酸的混合 水溶液。
11. 一種SE晶體娃太陽能電池，其特征在于，所述SE晶體娃太陽能電池由權(quán)利要求 8-10任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種抗蝕刻劑及其制備方法，所述抗蝕刻劑中含有粘結(jié)樹脂、溶劑、增塑劑和觸變劑；以1重量份的粘結(jié)樹脂為基準(zhǔn)，所述抗蝕刻劑中溶劑的含量為1.5-3重量份；所述溶劑為碳原子數(shù)為14-18的飽和脂肪酸，所述粘結(jié)樹脂為松香及其衍生物。本發(fā)明還提供了采用所述抗蝕刻劑制備SE晶體硅太陽能電池的方法以及由該制備方法制得的SE晶體硅太陽能電池。本發(fā)明提供的抗蝕刻劑，具有良好的附著力和掩膜效果，便于熱噴涂，同時(shí)易于被清洗去除。采用該抗蝕刻劑制備得到的SE晶體硅太陽能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
【IPC分類】H01L31-0216, H01L31-18, H01L21-306
【公開號(hào)】CN104681641
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310631856
【發(fā)明人】秦世嶸, 左靜, 譚偉華
【申請(qǐng)人】比亞迪股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2013年11月29日