SiC襯底及Si襯底中的一種。在本實施例中，所述生長襯底10為藍寶石襯底，所述N型層201為N-GaN層，所述量子阱層202為InGaN/GaN量子阱層，所述P型層203為P-GaN層。
[0054]在本實施例中，采用金屬有機物化學氣相沉積法形成所述的N型層201、量子阱層202及P型層203。
[0055]如圖2所示，然后進行步驟2)，于所述發(fā)光外延結構20中定義出多個發(fā)光單元，采用光刻工藝于各該發(fā)光單元中同時刻蝕出N電極平臺205及多個孔洞204，且所述多個孔洞204位于N電極平臺205及P電極502之間。
[0056]作為示例，采用感應耦合等離子體刻蝕法刻蝕出所述N電極平臺205及多個孔洞204。
[0057]作為示例，所述孔洞204的截面形狀為圓形、六邊形、矩形及正方形中的一種。在本實施例中，所述孔洞204的截面形狀為圓形。所述多個孔洞204為呈矩形陣列或六方陣列周期性分布于N電極平臺205及P電極502之間。
[0058]接著進行步驟3)，依據各該發(fā)光單元對所述發(fā)光外延結構20進行切割形成多個切割溝槽；
[0059]作為示例，采用激光切割方法形成所述多個切割溝槽(未予圖示)。
[0060]如圖3?圖4所示，接著進行步驟4)，于所述發(fā)光外延結構20、N電極平臺205及各該孔洞204的底部及側壁沉積S12層30，并采用光刻工藝去除各該孔洞204內的S12層，露出各該孔洞204底部的N型層201。
[0061]作為示例，采用等離子體增強化學氣相沉積法形成所述S12層30。
[0062]如圖5所示，然后進行步驟5)，采用化學腐蝕法于各該孔洞204底部的N型層201表面腐蝕出多個位錯坑206，并同時去除各該切割溝槽內的殘留物。
[0063]作為示例，所述的化學腐蝕法為采用高溫化學腐蝕法，且腐蝕的溫度范圍為180?300°C。采用高溫化學腐蝕的方法可以于各該孔洞204底部的N型層201表面腐蝕出多個位錯坑206，并且可以快速的將上述激光切割后的留在所述切割溝槽內的殘留物去除。
[0064]作為示例，所述位錯坑206為周期性分布的錐形凹槽。
[0065]如圖6所示，接著進行步驟6)，再次于所述發(fā)光外延結構20、N電極平臺205及各該孔洞204的底部及側壁形成S12層。
[0066]作為示例，采用等離子體增強化學氣相沉積法形成所述S12層。
[0067]如圖7所示，然后進行步驟7)，去除部分的S12層以露出P型層203及N電極平臺205，保留各該孔洞204底部及側壁、以及位于P電極502下方的S12層。
[0068]作為示例，采用干法刻蝕或濕法腐蝕法去除部分的S12層以露出P型層203及N電極平臺205，保留各該孔洞204底部及側壁、以及位于P電極502下方的S12層，其中，位于P電極502下方的S12層需保留比P電極502更大的面積，用作電流阻擋層。
[0069]作為示例，所述P型層203表面保留的S12層的邊緣超出所述P電極502邊緣一預設寬度，所述預設寬度為2?10um。
[0070]如圖8所示，接著進行步驟8)，于P型層203表面及各該孔洞204內形成電流擴展層40。
[0071]作為示例，所述電流擴展層40為采用蒸鍍或濺射等方法制備ITO透明導電層。
[0072]如圖9所示，最后進行步驟9)，于與P型層203表面保留的S12層對應的電流擴展層40表面制備P電極502，于N電極平臺205表面制備N電極501。
[0073]如上所述，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制造方法，所述制造方法至少包括以下步驟:1)提供一生長襯底10，于所述生長襯底10表面形成包括N型層201、量子阱層202及P型層203的發(fā)光外延結構20 ;2)于所述發(fā)光外延結構20中定義出多個發(fā)光單元，采用光刻工藝于各該發(fā)光單元中同時刻蝕出N電極平臺205及多個孔洞204，且所述多個孔洞204位于N電極平臺205及P電極502之間；3)依據各該發(fā)光單元對所述發(fā)光外延結構20進行切割形成多個切割溝槽；4)于所述發(fā)光外延結構20、N電極平臺205及各該孔洞204的底部及側壁沉積S12層，并采用光刻工藝去除各該孔洞204內的S12層，露出各該孔洞204底部的N型層201 ; 5)采用化學腐蝕法于各該孔洞204底部的N型層201表面腐蝕出多個位錯坑206，并同時去除各該切割溝槽內的殘留物；6)再次于所述發(fā)光外延結構20、N電極平臺205及各該孔洞204的底部及側壁形成S12層；7)去除部分的S12層以露出P型層203及N電極平臺205，保留各該孔洞204底部及側壁、以及位于P電極502下方的S12層；8)于P型層203表面及各該孔洞204內形成電流擴展層40 ;9)于與P型層203表面保留的S12層對應的電流擴展層40表面制備P電極502，于N電極平臺205表面制備N電極501。本發(fā)明通過在P電極502與N電極501之間制作多個孔洞204，且于孔洞204底部形成位錯坑206，可以減少發(fā)光二極管的電流擁堵，提高電流分布均勻性，并提高發(fā)光二極管的出光效率。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產業(yè)利用價值。
[0074]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。
【主權項】
1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步驟: 1)提供一生長襯底，于所述生長襯底表面形成包括N型層、量子阱層及P型層的發(fā)光外延結構； 2)于所述發(fā)光外延結構中定義出多個發(fā)光單兀，米用光刻工藝于各該發(fā)光單兀中同時刻蝕出N電極平臺及多個孔洞，且所述多個孔洞位于N電極平臺及P電極之間； 3)依據各該發(fā)光單元對所述發(fā)光外延結構進行切割形成多個切割溝槽； 4)于所述發(fā)光外延結構、N電極平臺及各該孔洞的底部及側壁沉積S12層，并采用光刻工藝去除各該孔洞內的S12層，露出各該孔洞底部的N型層； 5)采用化學腐蝕法于各該孔洞底部的N型層表面腐蝕出多個位錯坑，并同時去除各該切割溝槽內的殘留物； 6)再次于所述發(fā)光外延結構、N電極平臺及各該孔洞的底部及側壁形成S12層； 7)去除部分的S12層以露出P型層及N電極平臺，保留各該孔洞底部及側壁、以及位于P電極下方的S12層； 8 )于P型層表面及各該孔洞內形成電流擴展層； 9)于與P型層表面保留的S12層對應的電流擴展層表面制備P電極，于N電極平臺表面制備N電極。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述生長襯底為藍寶石襯底、SiC襯底及Si襯底中的一種。
3.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:采用感應耦合等離子體刻蝕法刻蝕出所述N電極平臺及多個孔洞。
4.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述孔洞的截面形狀為圓形、六邊形、矩形及正方形中的一種。
5.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟3)采用激光切割方法形成所述多個切割溝槽。
6.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟4)及步驟6)中，采用等離子體增強化學氣相沉積法形成所述S12層。
7.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:步驟5)所述的化學腐蝕法為采用高溫化學腐蝕法，且腐蝕的溫度范圍為180?300°C。
8.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述位錯坑為周期性分布的錐形凹槽。
9.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述P型層表面保留的S12層的邊緣超出所述P電極邊緣一預設寬度，所述預設寬度為2?lOum。
10.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述電流擴展層為ITO透明導電層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制造方法，包括步驟：1）于生長襯底表面形成發(fā)光外延結構；2）于各該發(fā)光單元中同時刻蝕出N電極平臺及多個孔洞，且多個孔洞位于N電極平臺及P電極之間；3）正切形成多個切割溝槽；4）沉積SiO2層，并去除各該孔洞內的SiO2層；5）采用化學腐蝕法于各該孔洞底部腐蝕出多個位錯坑，并同時去除各該切割溝槽內的殘留物；6）再次形成SiO2層；7）去除部分的SiO2層，保留各該孔洞底部及側壁、以及位于P電極下方的SiO2層；8）形成電流擴展層；9）制備P電極及N電極。本發(fā)明通過在P電極與N電極之間制作多個孔洞，且于孔洞底部形成位錯坑，可以減少發(fā)光二極管的電流擁堵，提高電流分布均勻性，并提高發(fā)光二極管的出光效率。
【IPC分類】H01L33-00
【公開號】CN104681672
【申請?zhí)枴緾N201310642516
【發(fā)明人】朱廣敏, 郝茂盛
【申請人】上海藍光科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年12月3日