形成補(bǔ)償磁阻；
[0039]S400:刻蝕位于所述基片上的補(bǔ)償磁阻，保留位于所述溝槽側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻。
[0040]具體的，請(qǐng)參考圖3，在步驟SlOO中，提出的基片100的材質(zhì)為硅，通過(guò)刻蝕，在基片100中形成溝槽110，接著在所述溝槽110的側(cè)壁上形成側(cè)壁磁阻220，在所述基片100的部分表面形成有表面磁阻210，所述側(cè)壁磁阻220與表面磁阻210相連，構(gòu)成垂直磁阻，其中，所述垂直磁阻的形成步驟包括:在所述基片100及溝槽110的表面上形成磁性材料；刻蝕所述磁性材料，去除所述溝槽110表面預(yù)定區(qū)域以及所述溝槽110底部的磁性材料，形成所述垂直磁阻。其中，所述磁性材料為鎳鐵合金，其在不同磁場(chǎng)下具有不同電阻的特性。
[0041]請(qǐng)繼續(xù)參考圖3，在步驟S200中，在所述垂直磁阻的表面形成刻蝕阻擋層300，其中，所述刻蝕阻擋層300的材質(zhì)為氮化硅，由于氮化硅能夠起到刻蝕阻擋的作用，并且不會(huì)與磁性材料發(fā)生反應(yīng)，能夠確保后續(xù)形成的各向異性磁阻的性能。具體的，在所述垂直磁阻的表面形成刻蝕阻擋層300的步驟包括:在所述垂直磁阻、基片及溝槽的表面形成刻蝕阻擋層300 ;刻蝕位于所述基片100及溝槽110表面的刻蝕阻擋層300，保留位于所述垂直磁阻表面的刻蝕阻擋層300。
[0042]請(qǐng)參考圖4，在步驟S300中，在所述刻蝕阻擋層300的表面形成補(bǔ)償磁阻230 ;所述補(bǔ)償磁阻230的材質(zhì)也為鎳鐵合金。所述刻蝕阻擋層300的表面形成補(bǔ)償磁阻230的步驟包括:在所述基片100、溝槽110及刻蝕阻擋層300的表面形成磁性材料；各向異性刻蝕所述磁性材料，各向異性刻蝕能夠去除位于所述基片100和溝槽110表面的磁性材料，保留位于所述刻蝕阻擋層300表面的磁性材料，形成補(bǔ)償磁阻230。所述補(bǔ)充磁阻230的厚度可以根據(jù)不同工藝需要來(lái)決定，在此不作限定。
[0043]請(qǐng)參考圖5，在步驟S400中，刻蝕位于所述基片100上的補(bǔ)償磁阻230，保留位于所述溝槽110側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻230，接著，再采用干法刻蝕去除位于表面磁阻210上的刻蝕阻擋層300。其中，采用各向異性刻蝕去除位于所述基片100表面的補(bǔ)償磁阻230，從而能夠保留位于所述溝槽I1側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻230。
[0044]在本實(shí)施例的另一方面還提出了一種各向異性磁阻結(jié)構(gòu)，采用如上文所述的制備方法形成，包括:基片100、溝槽110、側(cè)壁磁阻220、表面磁阻210、刻蝕阻擋層300及補(bǔ)償磁阻230，其中，所述溝槽110形成在所述基片100中，所述側(cè)壁磁阻220形成在所述溝槽110的側(cè)壁表面，所述表面磁阻210形成在所述基片100上，并與所述側(cè)壁磁阻220相連，所述刻蝕阻擋層300形成在所述側(cè)壁磁阻220的表面，所述補(bǔ)償磁阻230形成在所述刻蝕阻擋層300的表面。
[0045]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的各向異性磁阻及提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法中，在形成常規(guī)的Z軸垂直磁阻之后，接著在垂直磁阻的表面形成刻蝕阻擋層，接著，在刻蝕阻擋層的表面形成補(bǔ)償磁阻，接著刻蝕區(qū)域位于基片表面上的補(bǔ)償磁阻，保留位于溝槽側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻，從而在不增加表面磁阻厚度的情況下，增加溝槽側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻的厚度，并且刻蝕阻擋層并不影響磁場(chǎng)的通過(guò)，不會(huì)影響各向異性磁阻的性能。
[0046]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，包括步驟: 提供基片，所述基片中形成有溝槽，所述溝槽的側(cè)壁上形成有側(cè)壁磁阻，所述基片的表面形成有表面磁阻，所述側(cè)壁磁阻與表面磁阻相連構(gòu)成垂直磁阻； 在所述垂直磁阻的表面形成刻蝕阻擋層； 在所述刻蝕阻擋層的表面形成補(bǔ)償磁阻； 刻蝕位于所述基片上的補(bǔ)償磁阻，保留位于所述溝槽側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻。
2.如權(quán)利要求1所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材質(zhì)為氮化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，采用各向異性刻蝕去除位于所述基片上的補(bǔ)償磁阻。
4.如權(quán)利要求3所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，去除位于所述基片上的補(bǔ)償磁阻之后，再采用干法刻蝕去除位于表面磁阻上的刻蝕阻擋層。
5.如權(quán)利要求1所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，所述垂直磁阻的形成步驟包括: 在所述基片及溝槽的表面上形成磁性材料； 刻蝕所述磁性材料，去除所述溝槽表面預(yù)定區(qū)域以及溝槽底部的磁性材料，形成所述垂直磁阻。
6.如權(quán)利要求5所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，所述磁性材料為鎳鐵合金。
7.如權(quán)利要求1所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，在所述垂直磁阻的表面形成刻蝕阻擋層的步驟包括: 在所述垂直磁阻、基片及溝槽的表面形成刻蝕阻擋層； 刻蝕位于所述基片及溝槽表面的刻蝕阻擋層，保留位于所述垂直磁阻表面的刻蝕阻擋層O
8.如權(quán)利要求1所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，在所述刻蝕阻擋層的表面形成補(bǔ)償磁阻的步驟包括: 在所述基片、溝槽及刻蝕阻擋層的表面形成磁性材料； 各向異性刻蝕所述磁性材料，去除位于所述基片和溝槽表面的磁性材料，保留位于所述刻蝕阻擋層表面的磁性材料，形成補(bǔ)償磁阻。
9.如權(quán)利要求8所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，所述補(bǔ)償磁阻為鎳鐵合金。
10.如權(quán)利要求1所述的提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，其特征在于，所述基片的材質(zhì)為娃。
11.一種各向異性磁阻結(jié)構(gòu)，采用如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)制備方法形成，其特征在于，包括:基片、溝槽、側(cè)壁磁阻、表面磁阻、刻蝕阻擋層及補(bǔ)償磁阻，其中，所述溝槽形成在所述基片中，所述側(cè)壁磁阻形成在所述溝槽的側(cè)壁表面，所述表面磁阻形成在所述基片上，并與所述側(cè)壁磁阻相連，所述刻蝕阻擋層形成在所述側(cè)壁磁阻的表面，所述補(bǔ)償磁阻形成在所述刻蝕阻擋層的表面。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種各向異性磁阻及提升各向異性磁阻Z軸敏感度的制備方法，在形成常規(guī)的Z軸垂直磁阻之后，接著在垂直磁阻的表面形成刻蝕阻擋層，接著，在刻蝕阻擋層的表面形成補(bǔ)償磁阻，接著刻蝕區(qū)域位于基片表面上的補(bǔ)償磁阻，保留位于溝槽側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻，從而在不增加表面磁阻厚度的情況下，增加溝槽側(cè)壁上的補(bǔ)償磁阻的厚度，并且刻蝕阻擋層并不影響磁場(chǎng)的通過(guò)，不會(huì)影響各向異性磁阻的性能。
【IPC分類】H01L43-12, H01L43-08
【公開號(hào)】CN104681713
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410844151
【發(fā)明人】時(shí)延, 王健鵬, 王俊杰
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2014年12月25日