2?S16(圖7)同程度的水平確保了焊接強度。根據(jù)該結(jié)構(gòu)可知，更優(yōu)選熔融部5在與柱狀連接部82對應(yīng)的位置，遍及接地電極20A的外周的占6成以上的范圍而形成。
[0083]如上所述，即使是熔融部5沒有遍及接地電極20的外周整體而形成的情況，若適當規(guī)定熔融部5的熔融深度比例MDD和熔融面積比例MSD，則能夠確保接地電極20和主體配件50間的高的焊接強度。另外，在接地電極20的外周緣上適當規(guī)定形成有熔融部5的位置和范圍，從而能夠提高接地電極20和主體配件50之間的焊接強度。
[0084]C.變形例:
[0085]Cl.變形例 1:
[0086]在上述的各實施方式中，說明了涉及在接地電極20、20A與主體配件50之間形成的熔融部5的適當?shù)娜廴谏疃缺壤齅DD和熔融面積比例MSD。相對于此，上述的各實施方式說明的熔融部5中的熔融深度比例MDD和熔融面積比例MSD的規(guī)定不限于上述各實施方式的火花塞100、火花塞100A，可適用于具有與筒狀的主體配件的內(nèi)壁面熔融接合的接地電極的火花塞的熔融部。
[0087]C2.變形例 2:
[0088]上述第一實施方式的接地電極20具有在中央具備貫通孔21的大致圓盤狀的形狀。上述第二實施方式的接地電極20A具有從中央環(huán)狀部80延伸的三個柱狀連接部82和與各柱狀連接部82連接的圓弧狀連接部83。相對于此，接地電極20、20A不限于在上述各實施方式中說明的結(jié)構(gòu)，也可以具有其他的結(jié)構(gòu)。例如，接地電極20也可以不是平板的圓盤狀，也可以是在中央厚度增加。另外，也可以在表面形成凹凸，也可以外周端的一部分缺欠。第二實施方式的接地電極20A也可以是不具有三個柱狀連接部82的結(jié)構(gòu)。接地電極20A也可以是具有一個或兩個柱狀連接部82的結(jié)構(gòu)，也可以是具有四個以上柱狀連接部82的結(jié)構(gòu)。接地電極20A也可以是柱狀連接部82不等間隔排列。接地電極20A也可以完全省略圓弧狀連接部83，各柱狀連接部82與主體配件50的內(nèi)壁面直接接合的結(jié)構(gòu)。接地電極20A也可以是省略中央環(huán)狀部80，柱狀連接部82的前端部與中心電極10的前端面或側(cè)面相對而形成火花間隙的結(jié)構(gòu)。由此，接地電極20、20A的結(jié)構(gòu)不限于上述各實施方式說明的結(jié)構(gòu)。另外，在形成有火花間隙的發(fā)火部的結(jié)構(gòu)也不限于上述各實施方式說明的結(jié)構(gòu)。
[0089]C3.變形例 3:
[0090]在上述第一實施方式中，遍及接地電極20的外周整體形成有熔融部5。相對于此，熔融部5也可以是在第一實施方式的接地電極20，如第二實施方式那樣，形成在接地電極20的外周上的多個分散的區(qū)域。熔融部5也可以是分別形成于兩個不同的區(qū)域，也可以是形成在四個以上的不同的區(qū)域。熔融部5優(yōu)選至少形成在接地電極20的全周中的30%以上的區(qū)域。另外，更優(yōu)選形成在接地電極20的全周中的60%以上的區(qū)域，進一步優(yōu)選形成在90%以上的區(qū)域。
[0091 ] 包括包含絕緣體、中心電極、接地電極的發(fā)火部等的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不限于上述的實施方式、實施例、變形例。本發(fā)明不限于上述實施方式、實施例、變形例，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以通過各種結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。例如，為了解決上述課題的一部分或者全部，或者為了達到上述效果的一部分或全部，可以對與
【發(fā)明內(nèi)容】
的部分記載的各方式中的技術(shù)特征對應(yīng)的實施方式、實施例、變形例中的技術(shù)特征進行適當?shù)奶鎿Q、組合。另外，其技術(shù)特征只要在說明書中沒有作為必須的內(nèi)容進行說明，就可以適當?shù)貏h除。
[0092]標號說明
[0093]5…熔融部
[0094]10…中心電極
[0095]11…前端部
[0096]20…接地電極
[0097]21...貫通孔
[0098]22…外周端面
[0099]26…貴金屬端頭
[0100]26c…筒孔
[0101]30…絕緣體
[0102]31…軸孔
[0103]32…縮徑開口部
[0104]32s…腔室
[0105]33…前端側(cè)部位
[0106]35…臺階面
[0107]36…凸緣部
[0108]37…后端側(cè)部位
[0109]40…端子電極
[0110]41…后端部
[0111]45…電阻體
[0112]46、47…第一和第二玻璃密封部件
[0113]50…主體配件
[0114]50a…配件前端側(cè)部位
[0115]50b…配件后端側(cè)部位
[0116]51…筒孔
[0117]52…筒壁部
[0118]52d…臺階面
[0119]52s…螺紋部
[0120]53…突起部
[0121]54…壓緊部
[0122]55…前端側(cè)開口端部
[0123]55s…內(nèi)壁面
[0124]56…工具卡合部
[0125]57…薄肉部
[0126]58…凸緣部
[0127]60…間隙部
[0128]61…細孔
[0129]70…滑石層
[0130]71、72…密封線
[0131]73…襯墊
[0132]80…中央環(huán)狀部
[0133]81…貫通孔
[0134]82…柱狀連接部
[0135]83…圓弧狀連接部
[0136]83s…外周圓弧面
[0137]100…火花塞
[0138]100A…火花塞
[0139]CX…中心軸
【主權(quán)項】
1.一種火花塞，具備: 軸狀的中心電極； 筒狀的絕緣體，在內(nèi)部收納上述中心電極的至少后端側(cè)的部位； 接地電極，以與上述中心電極的前端部之間具有間隙的方式配置；以及 筒狀的主體配件，具有收納上述絕緣體的貫通孔， 在上述主體配件的上述貫通孔的內(nèi)壁面上固定有上述接地電極， 其特征在于， 上述接地電極經(jīng)由上述接地電極和上述主體配件相互融合而成的熔融部而固定于上述主體配件， 在包含作為上述熔融部中最后端側(cè)的部位的上述熔融部的底部和上述貫通孔的中心軸的剖面中， 上述熔融部的熔融深度是上述接地電極在上述中心軸方向上的厚度的5%以上，該熔融深度是在沿著上述貫通孔的中心軸方向的、上述熔融部的底部與包含上述接地電極的前端側(cè)的面的外形線的假想直線之間的距離， 并且與連接位于上述中心軸方向上的上述熔融部的前端側(cè)及后端側(cè)的上述主體配件的內(nèi)壁面的端點之間的假想直線相比位于上述主體配件的外周側(cè)的配件側(cè)部位的面積為上述熔融部整體的面積的10%以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的火花塞，其特征在于， 上述熔融部在上述剖面中，上述熔融深度是上述中心軸方向上的上述接地電極的厚度的15%以上，并且上述配件側(cè)部位的面積是上述熔融部整體的面積的20%以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的火花塞，其特征在于， 上述熔融部在上述剖面中，上述熔融深度是上述中心軸方向上的上述接地電極的厚度的25%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的火花塞，其特征在于， 上述熔融部在上述剖面中，上述熔融深度是上述中心軸方向上的上述接地電極的厚度的40%以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的火花塞，其特征在于， 上述熔融部在上述剖面中，上述配件側(cè)部位的面積是上述熔融部整體的面積的26%以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的火花塞，其特征在于， 上述接地電極具有外周端部，該外周端部與上述主體配件的上述貫通孔內(nèi)的上述內(nèi)壁面的內(nèi)周整體接觸， 上述熔融部形成于上述外周端部的外周側(cè)整體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的火花塞，其特征在于， 上述接地電極具有: 圓弧狀的外側(cè)圓弧部，位于外周側(cè)，面向上述貫通孔的內(nèi)壁面； 內(nèi)側(cè)環(huán)部，包圍上述中心電極的前端部的外周；以及 連接部，架設(shè)于上述外側(cè)圓弧部與上述內(nèi)側(cè)環(huán)部之間，并將上述外側(cè)圓弧部和上述內(nèi)側(cè)環(huán)部連接， 上述熔融部至少形成于上述外側(cè)圓弧部中的連接有上述連接部的部位與上述主體配件的壁部之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的火花塞，其特征在于， 上述連接部包括從上述內(nèi)側(cè)環(huán)部朝向上述外側(cè)圓弧部延伸成放射狀的多個柱狀連接部， 上述熔融部至少與上述多個柱狀連接部的各柱狀連接部對應(yīng)而形成。
【專利摘要】本發(fā)明涉及火花塞及其制造方法，能夠確保接地電極相對于主體配件的接合性。火花塞(100)具備：中心電極(10)、接地電極(20)、絕緣體(30)、主體配件(50)。中心電極由絕緣體保持，絕緣體由主體配件保持。在接地電極(20)與中心電極10)之間形成有腔室(32s)。接地電極(20)經(jīng)由熔融部(5)與主體配件(50)的內(nèi)壁面接合。熔融部(5)在包含熔融最深點(DP)和中心軸(CX)在內(nèi)的預(yù)定的剖面(MS)中，熔融部(5)的熔融深度(MD)相對于接地電極的厚度的百分比比例(MDD)為5％以上，并且包含于主體配件(50)的外周側(cè)的部位的面積(Sm)為整體的面積(S)的10％以上。
【IPC分類】H01T13-32
【公開號】CN104682202
【申請?zhí)枴緾N201410697121
【發(fā)明人】水谷大伸, 高橋馨
【申請人】日本特殊陶業(yè)株式會社
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年11月26日
【公告號】EP2876750A2, EP2876750A3, US20150145403