分。
[0033]層結(jié)構(gòu)100包括結(jié)構(gòu)化的掩模層200，所述掩模層具有橫向的掩模區(qū)域210，所述掩模區(qū)域通過掩模開口 220彼此分開。掩模層200例如能夠具有二氧化硅(S12)。
[0034]此外，層結(jié)構(gòu)100包括氮化物半導(dǎo)體層300。氮化物半導(dǎo)體層300具有第一層部分310，所述第一層部分設(shè)置在掩模層200的橫向的掩模區(qū)域210之間的掩模開口 220的區(qū)域中。第一層部分310例如能夠具有氮化鎵(GaN)。也能夠取消第一層部分310。
[0035]氮化物半導(dǎo)體層300還包括第二層部分320。在圖1中示出的第一處理狀態(tài)10中，第二層部分320還不完全地存在。在圖1中示出的第一處理狀態(tài)10示出在執(zhí)行用于生長(zhǎng)第二層部分320的第一生長(zhǎng)步驟15期間的層結(jié)構(gòu)100。第二層部分320在第一生長(zhǎng)步驟15期間外延地生長(zhǎng)。優(yōu)選地，第二層部分320同樣具有氮化鎵。
[0036]在第一生長(zhǎng)步驟15期間的生長(zhǎng)條件選擇為，使得第二層部分320的生長(zhǎng)主要沿豎直的生長(zhǎng)方向12在所形成的氮化物半導(dǎo)體層300的c面301上發(fā)生。沿橫向的生長(zhǎng)方向11在所形成的氮化物半導(dǎo)體層300的{1122}面上僅發(fā)生少量的生長(zhǎng)。由此，所形成的第二層部分320隨著逐漸增加的豎直方向沿橫向方向漸縮。
[0037]圖2示出處于第二處理狀態(tài)20的層結(jié)構(gòu)100的示意剖面圖。在執(zhí)行在圖1中示出的第一生長(zhǎng)步驟15有限的時(shí)間之后，達(dá)到第二處理狀態(tài)20。氮化物半導(dǎo)體層300的在第一生長(zhǎng)步驟15中產(chǎn)生的第二層部分320在圖2的剖面圖中至少分部段地具有梯形的橫截面 321。
[0038]如果第一生長(zhǎng)步驟15更久地繼續(xù)，那么第二層部分320沿豎直的生長(zhǎng)方向12的生長(zhǎng)在一定長(zhǎng)度上繼續(xù)，直至氮化物半導(dǎo)體層300的側(cè)面302彼此接觸并且氮化物半導(dǎo)體層300的c面301消失。因此，在圖2的剖面圖中的所形成的第二層部分320會(huì)具有三角形的橫截面。然而，第一生長(zhǎng)步驟15已經(jīng)在較早的時(shí)間點(diǎn)中斷。
[0039]圖3示出在執(zhí)行第二生長(zhǎng)步驟25期間處于第三處理狀態(tài)30的層結(jié)構(gòu)100的示意剖面圖。第二生長(zhǎng)步驟25同樣是外延的生長(zhǎng)步驟，然而以與第一生長(zhǎng)步驟15不同的生長(zhǎng)條件執(zhí)行。第二生長(zhǎng)步驟25在促進(jìn)聚結(jié)的生長(zhǎng)條件下執(zhí)行。在第二生長(zhǎng)步驟25期間，生長(zhǎng)氮化物半導(dǎo)體層300的第三層部分330。氮化物半導(dǎo)體層300的第三層部分330同樣優(yōu)選具有氮化鎵。在第二生長(zhǎng)步驟25期間，由于促進(jìn)聚結(jié)的生長(zhǎng)條件，生長(zhǎng)主要沿橫向的生長(zhǎng)方向11發(fā)生。由此，第三層部分330主要沉淀在氮化物半導(dǎo)體層300的側(cè)面302上。沿豎直的生長(zhǎng)方向12僅發(fā)生少量的生長(zhǎng)。由此，第三層部分330的僅一小部分沉淀在氮化物半導(dǎo)體層300的c面301上。
[0040]圖4示出層結(jié)構(gòu)100的掩模層200的一部分的俯視圖。掩模層200設(shè)置在成核層400上，所述成核層在掩模開口 220的區(qū)域中是可見的。成核層400具有鋁(Al)。優(yōu)選地，成核層400具有氮化鋁(AlN)。
[0041]掩模層200的橫向的掩模區(qū)域210構(gòu)成為盤。優(yōu)選地，盤狀的橫向的掩模區(qū)域210具有然而也能夠通過多邊形近似的圓盤形。每個(gè)盤狀的橫向的掩模區(qū)域210具有盤直徑211。盤直徑211優(yōu)選位于在0.5 μπι和3 μπι之間的范圍中。例如，盤直徑211能夠?yàn)?μπι。
[0042]盤狀的橫向的掩模區(qū)域210通過掩模開口 220彼此間隔開。兩個(gè)彼此相鄰的橫向的掩模區(qū)域210在此分別具有彼此間的盤間距221。盤間距221優(yōu)選在0.5μπι和2μπι之間。例如，盤間距221能夠?yàn)镮 μπι。
[0043]橫向的掩模區(qū)域210設(shè)置在規(guī)則的六邊形柵格230中。六邊形柵格230形成蜂巢圖案。每個(gè)橫向的掩模區(qū)域210設(shè)置在六邊形柵格230的六邊形的中心。由此，每個(gè)橫向的盤狀的掩模區(qū)域210 (直至設(shè)置在邊緣上的橫向的掩模區(qū)域210)具有六個(gè)最近的相鄰區(qū)域，所述相鄰區(qū)域分別位于距橫向的掩模區(qū)域210的盤間距221中。
[0044]代替六邊形柵格230，也能夠設(shè)有矩形柵格或三角形柵格，在所述柵格中設(shè)置有橫向的掩模區(qū)域210。
[0045]圖5示出處于第二處理狀態(tài)20的層結(jié)構(gòu)100的氮化物半導(dǎo)體層300的立體圖。氮化物半導(dǎo)體層300的第二層部分320構(gòu)成連接片340，所述連接片設(shè)置在掩模層200的掩模開口 220之上。連接片340形成橫向柵格360，所述橫向柵格描述掩模開口 220的六邊形柵格230。每個(gè)連接片340在其上部的(背離掩模層200的)端部上具有連接片寬度341。連接片寬度341優(yōu)選小于掩模層200的盤間距221并且例如能夠?yàn)?00nm。
[0046]第二層部分320的連接片340包圍截錐形的空腔350，所述空腔設(shè)置在掩模層200的橫向的盤狀的掩模區(qū)域210之上。截錐形的空腔350隨著距掩模層200的間距增大而截錐形地?cái)U(kuò)展。因?yàn)檫B接片340形成橫向的六邊形柵格360，每個(gè)截錐形的空腔350具有大致六邊形的底面。
[0047]在第二生長(zhǎng)步驟25中，截錐形的空腔350沿橫向方向從連接片340的側(cè)面302開始閉合或聚結(jié)。在此，也部分地在連接片340的c面301上形成包殼。
[0048]圖6示出處于第四處理狀態(tài)40的層結(jié)構(gòu)100的示意剖面圖。在第二生長(zhǎng)步驟25完成之后達(dá)到第四處理狀態(tài)40。在第四處理狀態(tài)40中，截錐形的空腔350完全地通過第三層部分330閉合。
[0049]此外，在圖6中示出層結(jié)構(gòu)100的在圖1、2和3中未示出的襯底500和在圖1、2和3中未示出的成核層400。襯底500形成層結(jié)構(gòu)100的載體并且優(yōu)選具有藍(lán)寶石(Al2O3)。替選地，襯底500能夠具有硅(Si)、碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)。襯底500優(yōu)選具有晶片的形狀。
[0050]圖6還示出在成核層400和氮化物半導(dǎo)體層300中的多個(gè)缺陷110。
[0051]缺陷110例如能夠是由于在氮化物半導(dǎo)體層300、成核層400和襯底500之間由于晶格失調(diào)而產(chǎn)生的位錯(cuò)缺陷。
[0052]缺陷110沿豎直方向伸展穿過層結(jié)構(gòu)100的部段。在掩模層200的橫向的掩模區(qū)域210之下在成核層400中構(gòu)成的缺陷110在橫向的掩模區(qū)域210中終止。然而，在掩模層200的掩模開口 220之下在成核層400中構(gòu)成的缺陷110沿豎直方向伸展穿過氮化物半導(dǎo)體層300的第一層部分310和第二層部分320。
[0053]在此沿豎直方向碰到第二層部分320的側(cè)面302的缺陷110在那里轉(zhuǎn)彎并且在第三層部分330中作為轉(zhuǎn)彎的缺陷111水平地伸展。所述轉(zhuǎn)彎的缺陷111能夠彼此抵消進(jìn)而不到達(dá)層結(jié)構(gòu)100的上側(cè)。相反地，沿豎直方向伸展至第二層部分320的c面301的缺陷110不轉(zhuǎn)彎，而是作為伸展的缺陷112沿豎直方向伸展穿過第三層部分330，直至其達(dá)到層結(jié)構(gòu)100的上側(cè)。
[0054]由此，在層結(jié)構(gòu)100的上側(cè)處得到缺陷110的橫向變化的密度。在第二層部分320的連接片340之上的橫向的部段中得到提高的缺陷密度。相反地，在其余的橫向的部段中得到降低的缺陷密度。
[0055]在掩模層200和氮化物半導(dǎo)體層300之間的邊界處，第二層部分320的兩個(gè)相鄰的連接片340具有彼此間的連接片間距351。連接片間距351例如能夠大約為I μπι。
[0056]在隨后的方法步驟中，將功能層序列600沉積到在圖6中示出的層結(jié)構(gòu)100的上側(cè)上，所述功能層序列具有光有源層。功能層序列600的光有源層包括一個(gè)或多個(gè)量子膜。
[0057]已知的是，在光有源層生長(zhǎng)期間，在缺陷110之上優(yōu)選構(gòu)成V型缺陷(V形凹陷)，即在位于更深的層中的缺陷密度