0的和層結(jié)構(gòu)100的橫向區(qū)域中注入，在V型缺陷300的區(qū)域中簡化了載流子的注入、尤其是正載流子從P型摻雜的晶體120的注入。這能夠伴隨著:光有源層200在V型缺陷300的區(qū)域中具有比在V型缺陷300之外的橫向區(qū)域中更小的串聯(lián)電阻。由此，在V型缺陷300的區(qū)域中可以用載流子更好地填充光有源層200的量子膜210、220、230。
[0067]在V型缺陷300的區(qū)域中注入到量子膜210、220、230中的載流子在下述情況下能夠通過擴(kuò)散到達(dá)V型缺陷300之外的橫向區(qū)域中:所述橫向區(qū)域與V型缺陷300具有典型地位于載流子擴(kuò)散長度的、尤其是空穴擴(kuò)散長度的數(shù)量級中的間距。在此，間距例如能夠位于0.2 μ m和1ym之間。
[0068]在V型缺陷300的區(qū)域中注入到光有源層200的量子膜210、220、230中的載流子由此能夠在光有源層200在V型缺陷之外的橫向區(qū)域中復(fù)合。特別地，在光有源層200在V型缺陷300之外的橫向區(qū)域中，注入到量子膜210、220、230中的載流子能夠以輻射的方式進(jìn)行復(fù)合。
[0069]層結(jié)構(gòu)100具有多個V型缺陷300。優(yōu)選地，V型缺陷300在層結(jié)構(gòu)100的橫向方向上分布成，使得光有源層200的每個橫向部段在橫向方向上最多與V型缺陷300具有下述最大間距，所述最大間距大致對應(yīng)于載流子擴(kuò)散長度、尤其大致對應(yīng)于空穴擴(kuò)散長度。由此確保:層結(jié)構(gòu)100的光有源層200的每個橫向部段能夠用通過V型缺陷300注入的載流子供應(yīng)。
[0070]V型缺陷300在層結(jié)構(gòu)100的光有源層200中的橫向布置能夠在制造層結(jié)構(gòu)100時規(guī)定或至少影響。已知的是，V型缺陷尤其在晶體范圍中形成，所述晶體范圍具有晶體缺陷、尤其是線缺陷。V型缺陷在此能夠直接地在線缺陷處形成。這種缺陷的橫向密度能夠在制造層結(jié)構(gòu)100期間通過對襯底或?qū)咏Y(jié)構(gòu)100的層的預(yù)先結(jié)構(gòu)化來影響。因此，也能夠在層結(jié)構(gòu)100的光有源層200的不同的橫向部段中預(yù)設(shè)V型缺陷300的橫向密度。
[0071]圖4示出層結(jié)構(gòu)400的俯視示意圖。層結(jié)構(gòu)400具有預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面401。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面401能夠是襯底的表面，將其余的層結(jié)構(gòu)400生長到所述表面上。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面401但是也能夠是層結(jié)構(gòu)400的已經(jīng)生長到襯底上的層的表面。
[0072]預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面401結(jié)構(gòu)化成，使得其具有近似規(guī)則設(shè)置的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)共同地形成第一橫向區(qū)域403。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面401的其余的部段形成第二橫向區(qū)域404。在所示出的示例中，第一橫向區(qū)域403的結(jié)構(gòu)圓盤形地構(gòu)成并且大約設(shè)置在矩形柵格的節(jié)點處。然而，各個結(jié)構(gòu)也能夠不同地成形并且不同地設(shè)置。例如，第一橫向區(qū)域403的結(jié)構(gòu)能夠設(shè)置在六邊形柵格的節(jié)點處。
[0073]圖5示出層結(jié)構(gòu)400的光有源層402的示意俯視圖，所述層結(jié)構(gòu)在預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面401之上生長。在第一橫向區(qū)域403的每個結(jié)構(gòu)或幾乎每個結(jié)構(gòu)之上，在光有源層402中已經(jīng)形成V型缺陷300。因此，第一橫向區(qū)域403具有比第二橫向區(qū)域404更高的V型缺陷300的密度。
[0074]第二橫向區(qū)域404的每個橫向部段最大以間距405遠(yuǎn)離最近的V型缺陷300。間距405位于載流子擴(kuò)散長度的、尤其是空穴擴(kuò)散長度的數(shù)量級中。間距405例如能夠位于0.2 μπι 和 10 μπι 之間。
[0075]圖6示出層結(jié)構(gòu)410的預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411的俯視示意圖。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411又能夠是襯底的表面，將其余的層結(jié)構(gòu)410生長到所述表面上。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411也能夠是層結(jié)構(gòu)410的外延生長的層的表面。
[0076]預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411又具有規(guī)則設(shè)置的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)共同地形成第一橫向區(qū)域413。第一橫向區(qū)域413的結(jié)構(gòu)在所示出的示例中又設(shè)置在矩形柵格的節(jié)點附近，然而也能夠不同地設(shè)置。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411的其余的部段形成第二橫向區(qū)域414。
[0077]圖7示出層結(jié)構(gòu)410的光有源層412的示意俯視圖。光有源層412已經(jīng)通過外延生長在預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411之上產(chǎn)生。在此，在預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面411的形成第一橫向區(qū)域413的結(jié)構(gòu)之上，已經(jīng)分別形成V型缺陷300的組416。在第一橫向區(qū)域413的結(jié)構(gòu)之上設(shè)置有一個或多個V型缺陷300。因此，光有源區(qū)域412的第一橫向區(qū)域413具有比第二橫向區(qū)域414更高的V型缺陷300的密度。
[0078]第二橫向區(qū)域414的每個橫向部段在此最大以間距415遠(yuǎn)離最近的V型缺陷300，所述間距處于載流子擴(kuò)散長度的、尤其是空穴擴(kuò)散長度的數(shù)量級中。間距415例如又能夠位于0.2 μ m和1ym之間。
[0079]圖8示出層結(jié)構(gòu)420的預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面421的俯視示意圖。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面421又能夠是襯底的表面，將其余的層結(jié)構(gòu)420生長到所述表面上。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面421但是也能夠是層結(jié)構(gòu)420的外延生長的層的表面。
[0080]預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面421具有如下結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)共同地形成第一橫向區(qū)域423。結(jié)構(gòu)在此沿著矩形的邊設(shè)置并且分別大致圓盤形地構(gòu)成。預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面421的其余的部段形成第二橫向區(qū)域424。
[0081]圖9示出層結(jié)構(gòu)420的光有源層422的示意俯視圖。光有源層422已經(jīng)外延地在層結(jié)構(gòu)420的預(yù)先結(jié)構(gòu)化的表面421之上產(chǎn)生。在此，在第一橫向區(qū)域423中已經(jīng)形成V型缺陷300。由此，光有源區(qū)域422的第一橫向區(qū)域423具有比第二橫向區(qū)域424更高的V型缺陷300的密度。
[0082]第二橫向區(qū)域424的每個橫向部段最高以間距425遠(yuǎn)離第一橫向區(qū)域423的最近的V型缺陷300。間距425位于載流子擴(kuò)散長度的、尤其是空穴擴(kuò)散長度的數(shù)量級中，并且例如能夠位于0.2 μπι和10 μm之間。
[0083]圖10示出貫穿未制成的層結(jié)構(gòu)500的示意剖面圖。層結(jié)構(gòu)500包括襯底510。襯底510例如能夠具有藍(lán)寶石、SiC或Si。
[0084]在襯底510上設(shè)置有半導(dǎo)體層520，所述半導(dǎo)體層外延地生長。半導(dǎo)體層520例如能夠具有GaN。半導(dǎo)體層520具有多個缺陷560，所述缺陷在豎直方向上或在生長方向上延伸穿過半導(dǎo)體層520。缺陷560尤其能夠為線錯位。
[0085]在層結(jié)構(gòu)500的半導(dǎo)體層520上設(shè)置有結(jié)構(gòu)化的掩模層530。圖11示出掩模層530的示意俯視圖。掩模層530例如能夠具有Si02或SiN。
[0086]結(jié)構(gòu)化的掩模層530具有開口，所述開口共同地形成掩模層530的敞開的區(qū)域531。半導(dǎo)體層520的由掩模層530覆蓋的區(qū)域共同地形成覆蓋的區(qū)域532。敞開的區(qū)域531形成第一橫向區(qū)域。覆蓋的區(qū)域532形成第二橫向區(qū)域534。
[0087]第一橫向區(qū)域533例如能夠具有層結(jié)構(gòu)400的第一橫向區(qū)域403的形狀、層結(jié)構(gòu)410的第一橫向區(qū)域413的形狀或?qū)咏Y(jié)構(gòu)420的第一橫向區(qū)域423的形狀。然而，第一橫向區(qū)域533和第二橫向區(qū)域534也能夠構(gòu)成為交替的條帶，如這示意地在圖11的俯視圖中示出。形成第二橫向區(qū)域534的掩模層530的覆蓋的區(qū)域532的部段優(yōu)選具有在大約3 ym和大約8μπι之間的寬度。覆蓋的區(qū)域532的兩個部段之間的間距、即敞開的區(qū)域531的部段的寬度優(yōu)選具有在I μπι和10 μπι之間的大小。
[0088]圖12示出貫穿在已經(jīng)生長另一個半導(dǎo)體層540和光有源區(qū)域550之后的層結(jié)構(gòu)500的另一個示意剖面圖。圖13示出光有源層550的示意俯視圖。
[0089]另一個半導(dǎo)體層540能夠具有GaN并且是η型摻雜的。層結(jié)構(gòu)500的另一個層結(jié)構(gòu)540于是對應(yīng)于層結(jié)構(gòu)100的η型摻雜的晶體110。光有源層550對應(yīng)于層結(jié)構(gòu)100的光有源層200并且如其那樣構(gòu)成。
[0090]在生長另一個半導(dǎo)體層540期間，在第一橫向區(qū)域533中、即在敞開的掩模區(qū)域531之下設(shè)置的缺陷560作為伸展的缺陷563從半導(dǎo)體層520穿過另一個半導(dǎo)體層540沿層結(jié)構(gòu)500的生長方向伸展。一些設(shè)置在半導(dǎo)體層520的第一橫向區(qū)域533中的缺陷560在生長另一個半導(dǎo)體層540期間也作為抵消的缺陷562相互抵消。在半導(dǎo)體層520的第二橫向區(qū)域534中在覆蓋的掩模層532下方設(shè)置的缺陷560作為阻擋的缺陷561不沿層結(jié)構(gòu)500的生長方向穿過另一個半導(dǎo)體層540伸展。
[0091]因此，基本上僅在第一橫向區(qū)域533中，缺陷560、563穿過另一個半導(dǎo)體層540伸展。在生長光有源層550時，缺陷560、563引起形成V型缺陷300的更高的概率。因此，在光有源層550的第一橫向區(qū)域533中與在光有源層550的第二橫向區(qū)域534中相比在每橫向單位面積形成更多的V型缺陷300。因此，在第一橫向區(qū)域533中，光有源層550具有比在第二橫向區(qū)域534中更高的V型缺陷300的密度。
[0092]圖14示出貫穿襯底610的示意剖面圖。圖15示出襯底610的表面的示意俯視圖。襯底610具有藍(lán)寶石。
[0093]襯底610的表面結(jié)構(gòu)化成，使得構(gòu)成隆起