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避免虛假錯(cuò)誤的光學(xué)臨近修正檢查方法

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避免虛假錯(cuò)誤的光學(xué)臨近修正檢查方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種避免虛假錯(cuò)誤的OPC修正(Optical Proximity Correct1n,光學(xué)臨近修正)檢查方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路設(shè)計(jì)中,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)通常按照不同的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行設(shè)計(jì),靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)會(huì)被靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層覆蓋。光學(xué)臨近修正在區(qū)分靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)時(shí)以靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層為參照,被靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層覆蓋的為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū),沒(méi)有被靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層覆蓋的為邏輯區(qū)。但是一個(gè)數(shù)據(jù)文件中靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層是對(duì)于通層數(shù)據(jù)的標(biāo)記,一個(gè)數(shù)據(jù)文件中每層數(shù)據(jù)的圖形各不相同,位于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層邊緣的圖形常常只能被靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層覆蓋一部分,如圖1所示,Si為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層,P1、P2、P3、P4、P5為一個(gè)數(shù)據(jù)文件中其中一層數(shù)據(jù),位于SI邊緣的Pl只能被SI覆蓋一部分。
[0003]針對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)OPC會(huì)用不同的規(guī)則進(jìn)行修正,針對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)OPC也會(huì)用不同的規(guī)則進(jìn)行檢查。Pl本身是符合OPC規(guī)則的,但是Pl由于被靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層覆蓋了一部分,在分別檢查靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)時(shí),Pi在Si內(nèi)的第一部分Pii會(huì)按照靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)的OPC規(guī)則進(jìn)行檢查,Pl在SI外的第二部分P12會(huì)按照邏輯區(qū)的OPC規(guī)則進(jìn)行檢查。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)的OPC檢查結(jié)果報(bào)告包括Pl在SI內(nèi)的部分Pll和P3,如圖2所示。邏輯區(qū)的OPC檢查結(jié)果報(bào)告包括Pl在SI外的部分P12和P5,如圖3所示。OPC檢查結(jié)果報(bào)告中P3和P5為真正的錯(cuò)誤,Pl在SI內(nèi)的第一部分Pll和Pl在SI外的第二部分P12為虛假錯(cuò)誤。
[0004]可以看出,OPC檢查結(jié)果報(bào)告中的虛假錯(cuò)誤給OPC檢查結(jié)果報(bào)告帶來(lái)了干擾,并消耗了大量查看OPC檢查結(jié)果報(bào)告的時(shí)間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠避免虛假錯(cuò)誤的光學(xué)臨近修正檢查方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,提供了一種避免虛假錯(cuò)誤的光學(xué)臨近修正檢查方法,包括:設(shè)置原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層,并且利用原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層來(lái)執(zhí)行第一次光學(xué)臨近修正檢查,并獲取第一次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果;隨后對(duì)原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層進(jìn)行修改以獲取變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層,并且利用變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層來(lái)執(zhí)行第二次光學(xué)臨近修正檢查,并獲取第二次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果;比較第一次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果和第二次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果,以去除光學(xué)臨近修正檢查結(jié)果中的虛假錯(cuò)誤,獲取最終光學(xué)臨近修正檢查結(jié)果。
[0007]優(yōu)選地,對(duì)原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層進(jìn)行修改包括:將原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸擴(kuò)大。
[0008]優(yōu)選地,變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸大于原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸。
[0009]優(yōu)選地,變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層完全覆蓋原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層。
[0010]優(yōu)選地,對(duì)原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層進(jìn)行修改包括:將原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸縮小。
[0011]優(yōu)選地,原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸大于變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸。
[0012]優(yōu)選地,原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層完全覆蓋變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層。
[0013]優(yōu)選地,比較第一次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果和第二次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果,以去除光學(xué)臨近修正檢查結(jié)果中的虛假錯(cuò)誤,獲取最終光學(xué)臨近修正檢查結(jié)果包括:將第一次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果和第二次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果中均存在的真正錯(cuò)誤提取出來(lái),以組成最終光學(xué)臨近修正檢查結(jié)果。
[0014]優(yōu)選地,所述避免虛假錯(cuò)誤的光學(xué)臨近修正檢查方法用于包含靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的光學(xué)臨近修正檢查。
【附圖說(shuō)明】
[0015]結(jié)合附圖,并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述,將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征,其中:
[0016]圖1示意性地示出了 Pl數(shù)據(jù)的一部分被靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層覆蓋的情況。
[0017]圖2示意性地示出了圖1的情況下OPC檢查結(jié)果報(bào)告中靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)區(qū)的錯(cuò)誤為Pl在SI內(nèi)的部分Pll和P3。
[0018]圖3示意性地示出了圖1的情況下OPC檢查結(jié)果報(bào)告中邏輯區(qū)的錯(cuò)誤為Pl在SI外的部分P12和P5。
[0019]圖4示意性地示出了原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層SI被擴(kuò)大成變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層S2的示圖。
[0020]需要說(shuō)明的是,附圖用于說(shuō)明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0022]在根據(jù)本發(fā)明的避免虛假錯(cuò)誤的光學(xué)臨近修正檢查方法中,包括下述步驟。
[0023]設(shè)置原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層,并且利用原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層來(lái)執(zhí)行第一次光學(xué)臨近修正檢查,并獲取第一次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果。具體地,例如如圖1至圖3所示,圖1至圖3所示情況下獲得的第一次光學(xué)臨近修正的檢查結(jié)果中的錯(cuò)誤包括P3、P5、P1在SI內(nèi)的第一部分P11、和Pl在SI外的第二部分P12,其中P3、P5為真正錯(cuò)誤,Pll和P12為虛假錯(cuò)誤。
[0024]隨后,對(duì)原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層進(jìn)行修改以獲取變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層O
[0025]優(yōu)選地,對(duì)原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層進(jìn)行修改可以包括:將原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸擴(kuò)大,以使得變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸大于原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層的尺寸,并且使得變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層完全覆蓋原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層。具體地,如圖4所示,原始的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層SI被擴(kuò)大成變化的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)標(biāo)記層S2。
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