一種有機發(fā)光顯示裝置及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示技術領域，尤其涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制作方法。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有技術中的有機發(fā)光(Organic Light-Emitting D1de，簡稱0LED)顯示裝置中，其每個發(fā)光單元均由TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)控制，通過其對應的TFT的導通和截止，控制各發(fā)光單元的工作與否。具體的，如圖1所示，所述TFT通常包括:柵極01、源極02和漏極03，其中，所述源極02和漏極03位于同一層，通過有源層04相連，所述柵極01與所述源極02、漏極03位于不同層，且所述柵極01與所述有源層04之間具有柵絕緣層05，在工作時，所述TFT的源極與所述發(fā)光單元的驅(qū)動電極06電連接，漏極03與所述OLED顯示裝置中的數(shù)據(jù)線(圖中未示出)電連接，柵極01與所述OLED顯示裝置中的掃描線(圖中未示出)電連接，通過所述掃描線中傳輸?shù)男盘柨刂扑鯰FT的導通和截止。當所述TFT導通時，所述TFT漏極接收與其相連的數(shù)據(jù)線中的數(shù)據(jù)信號，并傳輸至所述TFT的源極，再通過所述TFT的源極傳輸給發(fā)光單元的驅(qū)動電極，控制所述發(fā)光單元工作。
[0003]但是，上述OLED顯示裝置中各TFT源極區(qū)域的寄生電容較大，導致所述OLED顯示裝置的功耗較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光顯示裝置及其制作方法，以降低所述有機發(fā)光顯示裝置中，各TFT源極區(qū)域的寄生電容，降低所述有機發(fā)光顯示裝置的功耗。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了如下技術方案:
[0006]一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:第一基板；位于所述第一基板表面的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:柵極、有源層和漏極，其中，所述漏極與所述有源層相連；位于所述薄膜晶體管背離所述第一基板的一側，覆蓋有平坦化層，所述平坦化層具有第一刻蝕孔，所述第一刻蝕孔完全貫穿所述平坦化層，延伸至所述有源層的表面；位于所述平坦化層背離所述薄膜晶體管一側的發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括:相對設置的第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極，以及位于所述第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極之間的發(fā)光層，其中，所述第一驅(qū)動電極位于所述平坦化層表面和所述第一刻蝕孔內(nèi)，與所述有源層連接。
[0007]可選的，所述薄膜晶體管包括:位于所述第一基板表面的柵極；位于所述柵極背離所述第一基板一側表面的柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和所述第一基板；位于所述柵絕緣層背離所述柵極一側表面的有源層；位于所述有源層背離所述柵絕緣層一側表面的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層具有第二刻蝕孔；位于所述刻蝕阻擋層背離所述有源層一側表面和所述第二刻蝕孔內(nèi)的漏極，所述漏極與所述有源層相連。
[0008]可選的，所述薄膜晶體管包括:位于柵極背離所述柵絕緣層一側的層間絕緣層，層間絕緣層具有第二刻蝕孔，第二刻蝕孔完全貫穿所述層間絕緣層和所述柵絕緣層，延伸至所述有源層的表面；位于層間絕緣層背離所述柵絕緣層一側表面和第二刻蝕孔內(nèi)的漏極，漏極與所述有源層相連。
[0009]可選的，所述平坦化層與所述薄膜晶體管之間還形成有鈍化層。
[0010]可選的，所述第一驅(qū)動電極為陽極或陰極。
[0011]可選的，所述第一驅(qū)動電極包括:相對設置的第一透明電極層和第二透明電極層，以及位于所述第一透明電極層和第二透明電極層之間的金屬電極層。
[0012]可選的，所述有源層為氧化物半導體層。
[0013]一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括:提供第一基板；在所述第一基板表面形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:柵極、有源層和漏極，其中，所述漏極與所述有源層相連；在所述薄膜晶體管背離所述第一基板一側形成平坦化層，所述平坦化層覆蓋所述薄膜晶體管；刻蝕所述平坦化層，在所述平坦化層中形成第一刻蝕孔，所述第一刻蝕孔完全貫穿所述平坦化層，延伸至所述有源層的表面；在所述平坦化層背離所述薄膜晶體管的一側形成發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括:相對設置的第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極，以及位于所述第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極之間的發(fā)光層，其中，所述第一驅(qū)動電極位于所述平坦化層表面和所述第一刻蝕孔內(nèi)，與所述有源層相連。
[0014]可選的，在所述第一基板表面形成薄膜晶體管包括:在所述第一基板表面形成柵極；在所述柵極背離所述第一基板一側表面形成柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和所述第一基板；在所述柵絕緣層背離所述柵極一側表面形成有源層；在所述有源層背離所述柵絕緣層一側表面形成刻蝕阻擋層；對所述刻蝕阻擋層進行刻蝕，在所述刻蝕阻擋層內(nèi)形成第二刻蝕孔，所述第二刻蝕孔貫穿所述刻蝕阻擋層，延伸至所述有源層表面；在所述刻蝕阻擋層背離所述有源層一側表面和所述第二刻蝕孔內(nèi)形成漏極，所述漏極與所述有源層相連。
[0015]可選的，在所述第一基板表面形成薄膜晶體管包括:在所述第一基板表面形成緩沖層；在所述緩沖層背離所述第一基板一側表面形成有源層；在所述有源層背離所述緩沖層一側表面形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層背離所述有源層一側表面形成柵極；在柵極背離柵絕緣層一側表面形成層間絕緣層；對層間絕緣層和柵絕緣層進行刻蝕，在層間絕緣層和柵絕緣層內(nèi)形成第二刻蝕孔，第二刻蝕孔完全貫穿所述層間絕緣層和柵絕緣層，延伸至所述有源層的表面；在層間絕緣層背離柵絕緣層一側表面和第二刻蝕孔內(nèi)形成漏極，漏極與有源層相連。
[0016]與現(xiàn)有技術相比，上述技術方案具有以下優(yōu)點:
[0017]本發(fā)明實施例所提供的有機發(fā)光顯示裝置包括:薄膜晶體管、發(fā)光單元和位于所述薄膜晶體管和發(fā)光單元之間的平坦化層，其中，所述薄膜晶體管包括柵極、有源層和漏極，且所述漏極與所述有源層相連，所述平坦化層具有第一刻蝕孔，所述第一刻蝕孔完全貫穿所述平坦化層，延伸至所述有源層的表面，所述發(fā)光單元包括第一驅(qū)動電極、第二驅(qū)動電極和發(fā)光層，其中，所述第一驅(qū)動電極位于所述平坦化層表面和所述第一刻蝕孔內(nèi)，與所述有源層相連。
[0018]由此可見，本發(fā)明實施例所提供的有機發(fā)光顯示裝置中，所述薄膜晶體管不包括源極，所述發(fā)光單元中的第一驅(qū)動電極直接與所述薄膜晶體管的有源層相連，即所述發(fā)光單元中的第一驅(qū)動電極既有發(fā)光單元中驅(qū)動電極的作用，又有薄膜晶體管中源極的作用，使得本發(fā)明實施例所提供的有機發(fā)光顯示裝置中第一刻蝕孔周圍區(qū)域有源層和第一驅(qū)動電極之間的距離遠大于現(xiàn)有技術有機發(fā)光顯示裝置中源極對應的刻蝕孔周圍區(qū)域有源層與源極之間的距離，從而大大降低了所述第一刻蝕孔周圍區(qū)域的寄生電容，進而降低了所述有機發(fā)光顯示裝置中，各TFT源極區(qū)域的寄生電容，最終降低了所述有機發(fā)光顯示裝置的功耗。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術中有機顯示裝置的結構示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明一個實施例所提供的有機顯示裝置的結構示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明一個實施例所提供的有機顯示裝置的結構示意圖；
[0023]圖4-圖6為本發(fā)明一個實施例所提供的有機顯示裝置的制造方法的流程示意圖；
[0024]圖7為本發(fā)明一個實施例所提供的有極顯示裝置的制造方法中，薄膜晶體管的制作方法流程示意圖；
[0025]圖8-圖10為本發(fā)明一個實施例所提供的有極顯示裝置的制造方法中，薄膜晶體管的制作方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0026]正如【背景技術】部分所述，現(xiàn)有技術中OLED顯示裝置中各TFT源極區(qū)域的寄生電容較大，導致所述OLED顯示裝置的功耗較大。
[0027]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:
[0028]第一基板；
[0029]位于所述第一基板表面的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:柵極、有源層和漏極，其中，所述漏極與所述有源層相連