藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管OLED (Organic Light Emitting D1de)顯示器件具有全固態(tài)，自發(fā)光，對(duì)比度高，視角寬等特點(diǎn)，是繼液晶顯示器件IXD(Liquid Crystal Display)后的下一代平板顯示技術(shù)。
[0003]OLED顯示器件中通常設(shè)置有紅光有機(jī)電致發(fā)光二極管(即紅光0LED)、綠光有機(jī)電致發(fā)光二極管(即綠光0LED)和藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光二極管(即藍(lán)光0LED)，通過(guò)發(fā)紅色光、綠色光和藍(lán)色光的有機(jī)電致發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)OLED顯示器件的彩色顯示。
[0004]低功耗，高效率一直是OLED顯示器件的重要指標(biāo)。目前，降低OLED顯示器件的功耗并提高其效率可通過(guò)降低OLED顯示器件中藍(lán)光OLED的功耗并提高藍(lán)光OLED的效率來(lái)實(shí)現(xiàn)。但降低藍(lán)光OLED的功耗和提高藍(lán)光OLED的效率總是無(wú)法同時(shí)實(shí)現(xiàn)，這使得OLED顯示器件的低功耗和高效率也無(wú)法同時(shí)實(shí)現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法、顯示面板和顯示裝置。該藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)使下表層和上表層至少一個(gè)中客發(fā)光體的摻雜濃度大于中間層中客發(fā)光體的摻雜濃度，能使激發(fā)藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光的電壓大大降低，從而使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗大大降低；同時(shí)，還能使激子復(fù)合區(qū)域向發(fā)光層的中心移動(dòng)，從而使由空穴和電子結(jié)合而成的激子的復(fù)合區(qū)域與空穴傳輸層之間不存在界面態(tài)，進(jìn)而減少了激子猝滅現(xiàn)象的出現(xiàn)，使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的效率大大提尚。
[0006]本發(fā)明提供一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括:基板以及依次設(shè)置在所述基板上的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述發(fā)光層包括靠近所述空穴傳輸層一側(cè)的下表層、靠近所述電子傳輸層一側(cè)的上表層和夾設(shè)于所述上表層和所述下表層之間的中間層；所述下表層、所述上表層和所述中間層的主發(fā)光體中均摻雜有客發(fā)光體，
[0007]所述下表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度和所述上表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度；
[0008]或者，所述下表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度，所述上表層的摻雜濃度等于所述中間層的摻雜濃度；
[0009]或者，所述上表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度，所述下表層的摻雜濃度等于所述中間層的摻雜濃度。
[0010]優(yōu)選地，所述中間層的摻雜濃度范圍為4% _8%，所述下表層和所述上表層的摻雜濃度范圍均為20% -50%。
[0011]優(yōu)選地，所述中間層和所述上表層的摻雜濃度范圍均為4% _8%，所述下表層的摻雜濃度范圍為20% -50%。
[0012]優(yōu)選地，所述中間層和所述下表層的摻雜濃度范圍均為4% _8%，所述上表層的摻雜濃度范圍為20% -50%。
[0013]優(yōu)選地，所述下表層的厚度范圍為l_2nm。
[0014]優(yōu)選地，所述上表層的厚度范圍為2_3nm。
[0015]優(yōu)選地，所述中間層的厚度范圍為20-30nm。
[0016]優(yōu)選地，所述主發(fā)光體采用η型有機(jī)半導(dǎo)體材料，所述客發(fā)光體采用P型有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0017]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0018]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0019]本發(fā)明還提供一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括:在基板上依次形成陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述發(fā)光層包括靠近所述空穴傳輸層一側(cè)的下表層、靠近所述電子傳輸層一側(cè)的上表層和夾設(shè)于所述上表層和所述下表層之間的中間層，形成所述發(fā)光層具體包括:
[0020]在所述下表層、所述上表層和所述中間層的主發(fā)光體中分別摻雜客發(fā)光體，所述下表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度和所述上表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度；
[0021]或者，所述下表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度，所述上表層的摻雜濃度等于所述中間層的摻雜濃度；
[0022]或者，所述上表層的摻雜濃度大于所述中間層的摻雜濃度，所述下表層的摻雜濃度等于所述中間層的摻雜濃度。
[0023]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，通過(guò)使下表層和上表層至少一個(gè)中客發(fā)光體的摻雜濃度大于中間層中客發(fā)光體的摻雜濃度，能使激發(fā)藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光的電壓大大降低，從而使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗大大降低；同時(shí)，還能使激子復(fù)合區(qū)域向發(fā)光層的中心移動(dòng)，從而使由空穴和電子結(jié)合而成的激子的復(fù)合區(qū)域與空穴傳輸層之間不存在界面態(tài)，進(jìn)而減少了激子猝滅現(xiàn)象的出現(xiàn)，使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的效率大大提高。
[0024]本發(fā)明所提供的顯示面板，通過(guò)采用上述藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，不僅降低了功耗，而且還提高了效率。本發(fā)明所提供的顯示裝置，通過(guò)采用上述顯示面板，不僅降低了功耗，而且還提高了效率。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為對(duì)比例中發(fā)光層的客發(fā)光體材料的摻雜濃度為4% -8%和50%時(shí)藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓-電流密度變化曲線圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例2中藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例3中藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0029]其中的附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0030]1.基板；2.陽(yáng)極；3.空穴注入層；4.空穴傳輸層；5.發(fā)光層；51.下表層；52.上表層；53.中間層；6.電子傳輸層；7.電子注入層；8.陰極。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明所提供的一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法、顯示面板和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0032]對(duì)比例:
[0033]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，我們做了大量實(shí)驗(yàn)。如:為了降低藍(lán)光OLED的功耗，藍(lán)光OLED的發(fā)光層通常是將發(fā)光效率高的客發(fā)光體材料微量并均勻摻雜在主發(fā)光體材料中，如圖1所示，當(dāng)客發(fā)光體材料在主發(fā)光體材料中的摻雜濃度為4% -8%時(shí)，藍(lán)光OLED的電壓-電流密度變化曲線如圖1中的虛線所示，摻雜濃度為4% -8%時(shí)雖然提高了藍(lán)光OLED的效率，但藍(lán)光OLED的電壓提高了，不利于藍(lán)光OLED用于顯示。但如果客發(fā)光體材料在主發(fā)光體材料中的均勻摻雜濃度過(guò)高，如當(dāng)客發(fā)光體材料在主發(fā)光體材料中的摻雜濃度為50%時(shí)，藍(lán)光OLED的電壓-電流密度變化曲線如圖1中的實(shí)線所示，相比于4% -8%的摻雜濃度，藍(lán)光OLED的電壓降低了 8.4%，但由于50%的摻雜濃度是將客發(fā)光體材料均勻摻雜到主發(fā)光體材料中的摻雜濃度，當(dāng)均勻摻雜的摻雜濃度為50%以上時(shí)很容易導(dǎo)致濃度猝滅效應(yīng)以致藍(lán)光OLED的效率降低。
[0034]另外，由于主發(fā)光體材料一般只傳輸一種載流子，如電子，所以激子(激子是由空穴和電子結(jié)合而成)復(fù)合區(qū)域一般更靠近藍(lán)光OLED中的空穴傳輸層，由此很容易導(dǎo)致激子復(fù)合區(qū)域與空穴傳輸層之間的界面態(tài)的存在，從而導(dǎo)致激子猝滅并使激發(fā)藍(lán)光OLED發(fā)光的電壓提高，激子猝滅同樣會(huì)使藍(lán)光OLED的效率降低，而激發(fā)藍(lán)光OLED發(fā)光的電壓提高會(huì)直接導(dǎo)致藍(lán)光OLED的功耗提高，這些都不利于OLED顯示器件功耗的降低以及效率的提高。
[0035]實(shí)施例1:
[0036]本實(shí)施例提供一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖2所示，包括:基板I以及依次設(shè)置在基板I上的陽(yáng)極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8，發(fā)光層5包括靠近空穴傳輸層4 一側(cè)的下表層51、靠近電子傳輸層6 —側(cè)的上表層52和夾設(shè)于上表層52和下表層51之間的中間層53 ;下表層51、上表層52和中間層53的主發(fā)光體中均摻雜有客發(fā)光體；下表層51的摻雜濃度大于中間層53的摻雜濃度和上表層52的摻雜濃度大于中間層53的摻雜濃度。
[0037]發(fā)光層5的上述設(shè)置，能使激發(fā)藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光的電壓大大降低，從而使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗大大降低；同時(shí)，發(fā)光層5的上述設(shè)置還能使激子復(fù)合區(qū)域向發(fā)光層5的中心移動(dòng)，從而使由空穴和電子結(jié)合而成的激子的復(fù)合區(qū)域與空穴傳輸層4之間不存在界面態(tài)，進(jìn)而減少了激子猝滅現(xiàn)象的出現(xiàn)，使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的效率大大提尚。
[0038]本實(shí)施例中，中間層53的摻雜濃度范圍為4% _8%，下表層51的摻雜濃度范圍為20%-50%。下表層51的厚度范圍為l-2nm。上表層52的摻雜濃度范圍為20%-50%。上表層52的厚度范圍為2-3nm。如此設(shè)置，能夠提高空穴在發(fā)光層5中的迀移速率，提高電子和空穴的注入平衡，降低藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光的電壓，從而降低藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗；同時(shí)還能使激子的復(fù)合區(qū)域的中心向發(fā)光層5的中心移動(dòng)，減少由空穴和電子結(jié)合而成的激子的復(fù)合區(qū)域與空穴傳輸層4之間的界面態(tài)的存在，從而減少激子猝滅，提高藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的效率。
[0039]本實(shí)施例中，中間層53的厚度范圍為20-30nm。上述摻雜濃度和厚度的中間層53能夠配合上表層52和下表層51使空穴在發(fā)光層5中的迀移速率提高，電子和空穴的注入平衡提高，并使激子的復(fù)合區(qū)域的中心向發(fā)光層5的中心移動(dòng)，減少了激子猝滅，從而不僅降低了藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗，而且還提高了藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的效率。
[0040]本實(shí)施例中，發(fā)光層5的主發(fā)光體采用η型有機(jī)半導(dǎo)體材料，客發(fā)光體采用P型有機(jī)半導(dǎo)體材料。該主發(fā)光體的材料和客發(fā)光體的材料是藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的常用材料。采用該種材料的發(fā)光層5能使藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的功耗更低且效率更高。
[0041]例如:本實(shí)施例中，陽(yáng)極2采用透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫制成，陽(yáng)極2的厚度為70nm。空穴注入層3的厚度為10nm，空穴傳輸層4的厚度為120nm，發(fā)光層5的下表層51的厚度為2nm，下表層51中客發(fā)光體的摻雜濃度為50%，發(fā)光層5的中間層53的厚度為25nm，發(fā)光層5的上表層52的厚度為2nm