片式電子組件及其制造方法
【專利說明】片式電子組件及其制造方法
[0001]本申請要求于2013年12月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0158080號韓國專利申請的權(quán)益，該申請的公開通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本公開涉及一種片式電子組件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]作為片式電子組件之一的電感器是與電阻器和電容器一起形成電子電路以去除噪聲的代表性無源元件。這樣的電感器使用電磁特性與電容器結(jié)合以構(gòu)成放大特定頻帶的信號的諧振電路、濾波器電路等。
[0004]近來，由于諸如各種通信裝置、顯示裝置等信息技術(shù)(IT)裝置的小型化和纖薄化已經(jīng)加速，對用于將應(yīng)用于IT裝置的諸如電感器、電容器、晶體管等各種元件小型化和纖薄化的技術(shù)的研究已經(jīng)不斷地進行。電感器也已經(jīng)迅速地被具有小尺寸、高密度以及能夠自動表面安裝的片所替代，通過混合磁性粉末和樹脂并將該混合物施用到線圈圖案(線圈圖案通過鍍覆形成在薄膜絕緣基板的上表面和下表面上)來形成的薄型電感器的開發(fā)已經(jīng)進行。
[0005]作為電感器的主要性能的直流(DC)電阻Rdc可根據(jù)線圈的橫截面積的增大而減小。因此，為了減小直流電阻Rdc和增大電感，需要增大電感器的內(nèi)線圈的橫截面積。
[0006]作為增加線圈的橫截面積的方法，存在兩種方法，S卩，增大線圈的寬度的方法和增大線圈的厚度的方法。
[0007]在增大線圈的寬度的情況下，線圈部分之間會產(chǎn)生短路的可能性會增加，且電感器片中能夠?qū)崿F(xiàn)的匝數(shù)會受到限制，從而導(dǎo)致磁性材料占據(jù)的區(qū)域減小，使得會導(dǎo)致效率的降低，且高電感產(chǎn)品的實現(xiàn)會受限制。
[0008]因此，已經(jīng)需要薄型電感器的內(nèi)線圈通過增大線圈的厚度而具有高的高寬比(AR)的結(jié)構(gòu)。內(nèi)線圈的高寬比(AR)表示通過線圈的厚度除以線圈的寬度得到的值。因此，當線圈厚度的增加量大于線圈寬度的增加量時，高寬比(AR)會增大。
[0009]為了實現(xiàn)內(nèi)線圈的高的高寬比(AR)，需要抑制線圈在寬度方向上的生長，且需要加快線圈在厚度方向上的生長。
[0010]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在使用阻鍍劑執(zhí)行圖案鍍覆方法時，為了形成具有大的厚度的線圈，阻鍍劑需要具有大的厚度。然而，在這種情況下，由于為了維持阻鍍劑的形狀，阻鍍劑需要具有預(yù)定的寬度或更大的寬度，因此線圈部分之間的間距會增大。
[0011]另外，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)執(zhí)行電鍍法時，由于線圈在其寬度方向上和其厚度方向上生長的各向同性生長現(xiàn)象，因此線圈部分之間發(fā)生短路且實現(xiàn)高的高寬比(AR)會存在限制。
[0012]【現(xiàn)有技術(shù)文獻】
[0013](專利文獻I)日本專利公開公布號2006-278479

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本公開的一方面可提供一種片式電子組件及其制造方法，該片式電子組件具有通過相對于線圈的寬度增大線圈的厚度而能夠防止線圈部分之間短路的發(fā)生并實現(xiàn)高的高寬比(AR)的內(nèi)線圈結(jié)構(gòu)。
[0015]根據(jù)本公開的一方面，一種片式電子組件可包括:磁性主體,包括絕緣基板；內(nèi)線圈部，形成在絕緣基板的至少一個表面上；以及外電極，形成在磁性主體的至少一個端表面上，并連接到內(nèi)線圈部，其中，內(nèi)線圈部包括:第一線圈圖案，形成在絕緣基板上；以及第二線圈圖案，形成在第一線圈圖案上，第二線圈圖案具有比第一線圈圖案的寬度小的寬度。
[0016]內(nèi)線圈部還可包括第三線圈圖案，第三線圈圖案形成在第一線圈圖案和第二線圈圖案上并覆蓋第二線圈圖案。
[0017]第二線圈圖案的寬度可為第一線圈圖案寬度的0.5倍至0.9倍。
[0018]第一線圈圖案的寬度可為80 μ m至120 μ m。
[0019]第二線圈圖案的寬度可為40μπι至60μπι。
[0020]內(nèi)線圈部的線圈部分之間的間距可為5μπι至20μπι。
[0021]內(nèi)線圈部可由從由銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)和鉬(Pt)組成的組中選擇的一種或更多種形成。
[0022]第一線圈圖案和第二線圈圖案可由相同的金屬形成。
[0023]內(nèi)線圈部可具有1.1或更大的高寬比。
[0024]根據(jù)本公開的另一方面，一種片式電子組件的制造方法可包括下述步驟:在絕緣基板的至少一個表面上形成內(nèi)線圈部；在形成有內(nèi)線圈部的絕緣基板的上部和下部上堆疊磁性層來形成磁性主體；以及在磁性主體的至少一個端表面上形成外電極以連接到內(nèi)線圈部，其中，在形成內(nèi)線圈部的步驟中，在絕緣基板上形成第一線圈圖案，并在第一線圈圖案上形成具有比第一線圈圖案的寬度小的寬度的第二線圈圖案。
[0025]形成內(nèi)線圈部的步驟可包括:在絕緣基板上形成具有開口的第一阻鍍劑，第一阻鍍劑的開口用于形成第一線圈圖案；通過填充用于形成第一線圈圖案的開口來形成第一線圈圖案；在第一阻鍍劑和第一線圈圖案上形成具有開口的第二阻鍍劑，以暴露第一線圈圖案，第二阻鍍劑的開口用于形成第二線圈圖案；通過填充用于形成第二線圈圖案的開口來形成第二線圈圖案；以及去除第一阻鍍劑和第二阻鍍劑，用于形成第二線圈圖案的開口具有比用于形成第一線圈圖案的開口的寬度小的寬度。
[0026]用于形成第二線圈圖案的開口的寬度可為用于形成第一線圈圖案的開口的寬度的0.5倍至0.9倍。
[0027]在形成內(nèi)線圈部的步驟中，可在第一線圈圖案上執(zhí)行電鍍以形成覆蓋第二線圈圖案的第三線圈圖案。
[0028]第一線圈圖案的寬度可為80μπι至120μπι。
[0029]第二線圈圖案的寬度可為40μπι至60μπι。
[0030]內(nèi)線圈部的線圈部分之間的間距可為5μπι至20μπι。
[0031]可用從由銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)和鉬(Pt)組成的組中選擇的一種或更多種金屬填充用于形成第一線圈圖案的開口和用于形成第二線圈圖案的開口。
【附圖說明】
[0032]通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本公開的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點將被更加清楚的理解，在附圖中:
[0033]圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的示意性透視圖，其中示出了內(nèi)線圈部；
[0034]圖2是沿圖1的線1-1’截取的剖視圖；
[0035]圖3是圖2的部分A的示意性放大圖；
[0036]圖4是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的制造方法的工藝圖；以及
[0037]圖5至圖10是順序地示出了根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的制造方法的圖。
【具體實施方式】
[0038]現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本公開的示例性實施例。
[0039]然而，本公開可以以許多不同的形式來舉例說明，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的特定實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本公開的范圍。
[0040]在附圖中，為了清楚起見，會夸大元件的形狀和尺寸，相同的附圖標記將始終用于指示相同或相似的元件。
[0041]片式電子組件
[0042]在下文中，將描述根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件。具體地，將描述薄型電感器，但是本公開不限于此。
[0043]圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的示意性透視圖，其中示出了內(nèi)線圈部。圖2是沿圖1的線1-1’截取的剖視圖。圖3是圖2的部分A的示意性放大圖。
[0044]參照圖1至圖3，作為片式電子組件的示例，公開了用在電源電路的電源線中的薄型電感器100。作為片式電子組件，除了片式電感器之外，可以適當?shù)厥褂闷酱胖椤⑵綖V波器等。
[0045]薄型電感器100可