的第一過孔可以使有源層5的側(cè)面露出，所以較圖13中的第一過孔可以獲得更大的接觸面積。所述刻蝕阻擋層圖形6的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層4之上，對應(yīng)于所述顯示基板的第一電極
9。所述刻蝕阻擋層圖形6的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域?qū)?yīng)的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度，需要指出的是，如圖13或14所示，保護(hù)薄膜晶體管中有源層不受后續(xù)源漏金屬刻蝕液影響的刻蝕阻擋層位于第二厚度區(qū)域。
[0068]S 1039、去除剩余的光刻膠，露出第一電極圖形。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形，與現(xiàn)有技術(shù)相比，省去了刻蝕阻擋層單獨(dú)形成的構(gòu)圖工藝。
[0070]進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板制造方法，如圖3所示，具體包括:
[0071 ] S 201,在基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線。
[0072]在顯示基板的實(shí)際生產(chǎn)過程當(dāng)中，基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在基板上需要采用一次構(gòu)圖工藝以形成柵線、柵電極以及公共電極線等結(jié)構(gòu)的圖形。
[0073]例如，可以采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板上形成金屬層。其中，該金屬層可以是鉬、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進(jìn)行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，如圖4所示，最終在基板I的表面形成柵線(圖4中未示出)、柵電極2以及公共電極線3的圖案。
[0074]S 202、在基板、柵線、柵電極以及公共電極線上形成柵絕緣層。
[0075]S 203、在柵絕緣層上形成有源層圖形。
[0076]S204、在柵絕緣層上沉積刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
[0077]上述三個步驟S 202,S 203、S204與前述實(shí)施例中S 1US 102,S 103中的步驟相同，此處不再贅述。
[0078]S 205、形成數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管源極、薄膜晶體管漏極以及溝道區(qū)域。
[0079]在完成步驟S 204的基板上沉積一層金屬薄膜，金屬薄膜可以采用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。如圖15所示，采用普通掩膜板通過構(gòu)圖工藝在形成有刻蝕阻擋層6和第一電極圖形9的基板上形成數(shù)據(jù)線(圖中未標(biāo)出)、所述薄膜晶體管的源極11、所述薄膜晶體管的漏極13以及所述薄膜晶體管溝道區(qū)域12。所述薄膜晶體管的源極11、所述薄膜晶體管的漏極13通過第一過孔10與有源層5電連接，所述薄膜晶體管的漏極13搭接在第一電極9上。
[0080]S 206、在形成有數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極以及薄膜晶體管的漏極的基板上形成含有第二過孔的鈍化層，所述第二過孔貫穿鈍化層、刻蝕阻擋層和柵絕緣層，露出公共電極線。
[0081]采用PECVD方法沉積鈍化層14。鈍化層14可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N^混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N^混合氣體。如圖16所示，采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成第二過孔15，第二過孔15位于公共電極線3的上方，貫穿所述鈍化層14、所述刻蝕阻擋層6與所述柵絕緣層4，并露出所述公共電極線3。本構(gòu)圖工藝中，還同時形成有柵線接口區(qū)域(柵線PAD)的柵線接口過孔(圖中未標(biāo)出)和數(shù)據(jù)線接口區(qū)域(數(shù)據(jù)線PAD)的數(shù)據(jù)線接口過孔(圖中未標(biāo)出)等圖形。通過構(gòu)圖工藝形成柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔圖形的工藝已廣泛應(yīng)用于目前的構(gòu)圖工藝中。
[0082]S 207、通過構(gòu)圖工藝在形成有鈍化層的基板上上形成第二電極圖形，第二電極圖形通過第二過孔與公共電極線3電連接。
[0083]如圖17所示，在完成S 206步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積一層第二電極薄膜，第二電極薄膜可以采用ITO、ZnO, InGaZnO, InZnO, InGaO等透明導(dǎo)電材料。采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成第二電極圖形16，第二電極圖形通過第二過孔15與公共電極線3電連接。
[0084]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一電極9為像素電極，其形狀為板狀；第二電極16為公共電極，其形狀為狹縫狀。第一電極9和第二電極16之間可以形成多維水平電場。
[0085]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，省去了刻蝕阻擋層的單獨(dú)形成的構(gòu)圖工藝，可以將金屬氧化物作為有源層的ADS型顯示基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)從7次減少到6次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0086]圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯不基板的截面圖，參照圖17，該顯不基板包括:
[0087]形成在基板I上的柵線(圖中未標(biāo)出)、柵電極2、公共電極線3，柵線2和公共電極線3隔離設(shè)置。
[0088]形成在柵線、柵電極2以及公共電極線3之上并將柵線、柵電極以及公共電極線覆蓋的柵絕緣層4，柵絕緣層4可采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法形成，柵絕緣層4材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。
[0089]位于柵絕緣層4上的有源層5，其中，有源層5可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料，例如，有源層可以為InGaZnO、InGaO, ITZO, AlZnO等材料中的至少一種。
[0090]位于所述柵絕緣層4與所述有源層5之上的刻蝕阻擋層圖形6，刻蝕阻擋層6的作用是保護(hù)有源層5，以消除在刻蝕源漏金屬層時刻蝕液對金屬氧化物的影響，通常刻蝕阻擋層可以采用致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。如圖17所示，刻蝕阻擋層的圖形包含第一過孔區(qū)域、第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域。第一過孔區(qū)域具有至少兩個貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層5的第一過孔10。由于第一過孔10的作用是用來電連接所述有源層5與薄膜晶體管的源漏電極，可以理解的是，只要能夠?qū)崿F(xiàn)上述功能，不同形狀的第一過孔都是可以采用的，如圖13所示，所述第一過孔10邊緣可以完全位于有源層5之上；也可以如圖14所示，所述第一過孔10的邊緣一端位于有源層5之上，另一端位于柵絕緣層4之上。由于圖14中所述的第一過孔可以使有源層5的側(cè)面露出，所以較圖13中的第一過孔，可以獲得更大的接觸面積。所述刻蝕阻擋層6的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層之上，對應(yīng)于所述顯示基板的第一電極。所述刻蝕阻擋層圖形6的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域?qū)?yīng)的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度，需要指出的是，如圖17所示，保護(hù)薄膜晶體管中有源層不受源漏金屬刻蝕液影響的刻蝕阻擋層位于第二厚度區(qū)域。
[0091]位于所述刻蝕阻擋層6的第一厚度區(qū)域之上的所述第一電極9，第一電極為像素電極，如前述顯示基板制造方法的實(shí)施例所述，刻蝕阻擋層圖形6和第一電極圖形9在同一次構(gòu)圖工藝中形成，所以形成的