有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，特別是涉及一種可減少線缺陷的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【【背景技術】】
[0002]有機發(fā)光顯示器件(OLED)是主動發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術，即，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)，有機發(fā)光顯示器件具有高對比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優(yōu)點，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術，是目前平板顯示技術中受到關注最多的技術之一。
[0003]由于工藝波動，或者其他各種原因經(jīng)常導致金屬斷線，最終導致有機發(fā)光顯示裝置的線缺陷的產(chǎn)生，業(yè)內通常通過激光修復等方法修復線缺陷。然而，激光修復需要在屏體全屏點亮之后才可以進行。
【
【發(fā)明內容】
】
[0004]鑒于上述狀況，有必要提供一種無需屏體點亮之后進行激光修復，即可有效減少AMOLED屏體由于晶體管的柵極布線中斷導致的線缺陷的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0005]一種有機發(fā)光顯示裝置，其包括:
[0006]柵極絕緣層；
[0007]設于所述柵極絕緣層上的柵極布線；
[0008]設于所述柵極絕緣層上、并且覆蓋所述柵極布線的層間介質層；
[0009]設于所述層間介質層上的數(shù)據(jù)布線；
[0010]設于所述層間介質層上、并且覆蓋所述數(shù)據(jù)布線的平坦化層；
[0011]設于所述平坦化層上的多個像素陽極；以及
[0012]設于所述平坦化層上、并且位于所述多個像素陽極之間的空隙區(qū)域的導電走線；
[0013]其中，所述柵極布線通過貫穿所述層間介質層以及所述平坦化層的通孔與所述導電走線電連接，以使所述柵極布線與所述導電走線形成并列的信號傳輸線路。
[0014]上述有機發(fā)光顯示裝置在平坦化層上設有位于像素陽極之間的空隙區(qū)域的導電走線，導電走線通過貫穿平坦化層及層間介質層的通孔與柵極布線進行電連接，以形成并列的信號傳輸線路，當柵極布線出現(xiàn)斷線時，斷線區(qū)域信號可以通過導電走線傳輸，從而有效減少由于柵極布線中斷導致的線缺陷，并且，無需在屏體點亮之后進行激光修復。
[0015]在其中一個實施例中，所述通孔由貫穿所述平坦化層的接觸孔及貫穿所述層間介質層的過孔連通形成。
[0016]在其中一個實施例中，所述通孔內填充有第一導電部及與所述第一導電部電性固接的第二導電部；所述第二導電部位于所述接觸孔靠近所述像素陽極的一端，并且與所述像素陽極電性固接；所述第一導電部與所述第二導電部連接的一端位于所述接觸孔內，另一端位于所述過孔內，并且與所述柵極布線電性固接。
[0017]在其中一個實施例中，所述數(shù)據(jù)布線的材質與所述第一導電部的材質相同；
[0018]或/及，所述第二導電部的材質與所述像素陽極的材質相同。
[0019]在其中一個實施例中，所述導電走線的材質與所述像素陽極的材質相同。
[0020]在其中一個實施例中，所述導電走線及所述像素陽極的材質為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦。
[0021]一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括如下步驟:
[0022]在所述柵極絕緣層上形成一層第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行刻蝕，形成所述柵極布線；
[0023]在所述柵極絕緣層上形成一層所述層間介質層，并且所述層間介質層覆蓋在所述柵極布線上，對所述層間介質層進行刻蝕，以形成與所述柵極布線對應的過孔；
[0024]在所述層間介質層上形成一層第二金屬膜，并且對所述第二金屬膜進行刻蝕，以形成所述數(shù)據(jù)布線；
[0025]在所述層間介質層上形成一層平坦化層，并且所述平坦化層覆蓋所述數(shù)據(jù)布線，對所述平坦化層進行刻蝕，以形成與所述過孔相連通的接觸孔，所述過孔與所述接觸孔共同形成所述通孔；以及
[0026]在所述平坦化層上形成一層透明導電層，并且對所述透明導電層進行刻蝕，以形成多個像素陽極以及位于所述多個像素陽極之間的空隙區(qū)域的所述導電走線。
[0027]上述有機發(fā)光顯示裝置的制造方法通過原有的接觸孔工藝及過孔工藝，形成貫穿層間介質層及平坦化層的通孔，并且利用原有的像素陽極的工藝形成導電走線，從而在現(xiàn)有工藝基礎上，達到消除由于柵極布線斷線導致的線缺陷的目的，不需要增加額外的工藝成本。
[0028]在其中一個實施例中，在形成所述第一金屬膜的步驟之前，所述有機發(fā)光顯示裝置的制造方法還包括如下步驟:
[0029]提供一基底；
[0030]在所述基底上形成一層緩沖層；
[0031]在所述緩沖層上形成一層驅動半導體層，并且對所述驅動半導體層進行刻蝕，以形成源區(qū)、漏區(qū)及溝道區(qū)；
[0032]在所述緩沖層上形成所述柵極絕緣層，并且所述柵極絕緣層覆蓋所述驅動半導體層。
[0033]在其中一個實施例中，在形成所述第二金屬膜時，所述第二金屬膜填充所述過孔，并且對所述第二金屬膜刻蝕，以形成凸出所述層間介質層上的第一導電部。
[0034]在其中一個實施例中，在形成所述透明導電層時，所述透明導電層填充所述接觸孔，以形成與所述第一導電部固接的第二導電部，所述導電走線通過所述第一導電部及所述第二導電部與所述柵極布線電連接。
【【附圖說明】】
[0035]圖1為本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的結構示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖；
[0037]圖3?8為本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的各步驟的結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0038]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳的實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容的理解更加透徹全面。
[0039]需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。
[0040]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
[0041]請參閱圖1及圖3,本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100,包括基底110、緩沖層120、驅動半導體層130、柵極絕緣層140、柵極布線150、層間介質層160、數(shù)據(jù)布線(圖未示)、平坦化層170、像素陽極(圖未示)以及導電走線180。
[0042]具體在圖示的實施例中，基底110可以為氮化硅。當然，本發(fā)明不限于此，例如，在其他實施例中，基底110也可以為其他類型的陶瓷。
[0043]緩沖層120形成在基底110上。緩沖層120由能夠防止雜質滲入并具有平坦表面的各種材料制成。例如，緩沖層120的材料為氮化硅層(SiNx)、氧化硅層(S12)或氧氮化硅層(S1xNy)。然而，因為緩沖層120不是必需的元件，所以可根據(jù)基底110的類型和制造工藝條件省略緩沖層120。
[0044]驅動半導體層130形成在緩沖層120上。驅動半導體層130被形成為多晶硅層。另外，驅動半導體層130包括溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)。源區(qū)和漏區(qū)設置在溝道區(qū)的兩側。溝道區(qū)不摻有雜質，而源區(qū)和漏區(qū)摻雜有P型雜質(P+)。這里，摻雜的離子材料為P型雜質，如硼(B)，通常，使用B2H6。這里，這樣的雜質可以根據(jù)晶體管(TFT)的類型改變。
[0045]柵極絕緣層140形成在緩沖層120上，并且覆蓋驅動半導體層130。柵極絕緣層140的材質為氮化硅(SiNx)或氧化硅(S12)。
[0046]柵極布線150設于柵極絕緣層140上。柵極布線150包括柵極線、驅動柵電極、第一維持電極以及其它布線。驅動柵電極與驅動半導體層130的至少一部分疊置，具體地講，驅動柵電極與驅動半導體層130的溝道區(qū)疊置。
[0047]層間介質層160設于柵極絕緣層140上，并且覆蓋柵極布線150。具體地講，層間介質層160形成在柵極絕緣層140上，層間介質層160覆蓋驅動柵電極。柵極絕緣層140和層間介質層160設有過孔(via hole)101a,其中一部分過孔1la貫穿柵極絕緣層140及層間介質層160，使驅動半導體層130的源區(qū)和漏區(qū)暴露，另外一部分過孔1la僅僅貫穿層間介質層160,與柵極布線150對應。層間介質層160與柵極絕緣層140 —樣,可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S12)制成。
[0048]數(shù)據(jù)布線設于層間介質層160上。數(shù)據(jù)布線包括驅動源電極和驅動漏電極。數(shù)據(jù)布線還包括數(shù)據(jù)線、公共電源線、第二維持電極和其它布線。驅動源電極和驅動漏電極通過貫穿柵極絕緣層140及層間介質層160的過孔(via hole) 1la分別連接到驅動半導體層130的源區(qū)和漏區(qū)。
[0049]第一維持電極、第二維持電極以及設置在第一維持電極和第二維持電極之間的層間介質層160構成電容器。
[0050]平坦化層170設于層間介質層160上，并且覆蓋數(shù)據(jù)布線。平坦化層170去除階梯并使階梯平坦化，從而提高有機發(fā)光元件的發(fā)光效率。另外，平坦化層170具有接觸孔(contact hole) 101b，其中一部分接觸孔1lb用于暴露漏電極，另外一部分接觸孔1lb用于與貫穿層間介質層160的過孔1la連通，形成貫穿層間介質層160及平坦化層170的通孔 101。
[0051]進一步地，構成通孔101的接觸孔1lb為階梯孔，階梯孔的大孔徑端與過孔1la連通，階梯孔的小孔徑端的孔徑等于過孔1la的孔徑。
[0052]需要說明的是，通孔101不限于由層間介質層160的過孔1la與貫穿平坦化層170的通孔101構成，其可以單獨形成，例如，采用激光打孔的方式單獨成型。
[0053]有機發(fā)光元件(圖未示)的像素電極形成在平坦化層170上。像素電極通過平坦化層170的接觸孔1lb連接到漏電極。其中，多個有機發(fā)光元件的像素陽極設于平坦化層170 上。
[0054]導電走線180設于平坦化層170上，并且位于多個像素陽極之間的空隙區(qū)域。具體在圖示的實施例中，導電走線180的材質與像素陽極的材質相同。例如，導電走線180及像素陽極的材質為氧化銦錫、氧化銦鋅