一種新型像素電路和驅(qū)動(dòng)方法及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種新型像素電路和驅(qū)動(dòng)方法及其應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]AMOLED (英語(yǔ)全稱(chēng)為:Active_matrix organic light-emitting d1de 意為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體或主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)，是一種應(yīng)用于電視和移動(dòng)設(shè)備中的顯示技術(shù)。其中AM (有源矩陣體或主動(dòng)式矩陣體)指的是背后的像素尋址技術(shù)，OLED(有機(jī)發(fā)光二極體)描述的是薄膜顯示技術(shù)的具體類(lèi)型-有機(jī)電激發(fā)光顯示。有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED)是主動(dòng)發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)，OLED具有高對(duì)比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優(yōu)點(diǎn)，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003]為了提高顯示器的分辨率，AMOLED中的像素尺寸越來(lái)越小，使得每個(gè)像素中用于方式儲(chǔ)存電容器的面積也必須相應(yīng)地縮小，進(jìn)而使得存儲(chǔ)電容的電容值也相應(yīng)減小，造成像素的關(guān)態(tài)電流造成的電壓改變較大，降低了像素電路的對(duì)比度，最終影響電路穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有像素尺寸減小導(dǎo)致的存儲(chǔ)電容的電容值減小帶來(lái)的影響電路穩(wěn)定性的技術(shù)問(wèn)題，提供一種新型像素電路和驅(qū)動(dòng)方法及其應(yīng)用。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種新型像素電路，包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5和第一電容Cl，每個(gè)所述晶體管均具有柵極、源極和漏極；其中，所述第一晶體管Tl的柵極與所述第三晶體管T3的柵極相連且連接點(diǎn)為N2，所述第一晶體管Tl的源極與其驅(qū)動(dòng)的像素所在列的數(shù)據(jù)線(xiàn)相連，所述第一晶體管Tl的漏極與所述第二晶體管T2源極相連，所述第二晶體管T2的漏極與所述第一電容Cl的一端相連，所述第一電容Cl的另一端與復(fù)位電源VREF相連，所述第二晶體管T2的柵極與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第二掃描控制信號(hào)相連；所述第三晶體管T3的源極用于與第一電源ELVDD相連，所述第三晶體管T3的漏極與所述第四晶體管T4的源極相連，所述第四晶體管T4的漏極形成所述像素電路的輸出端NI，所述第四晶體管T4的柵極用于與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第一掃描控制信號(hào)相連；所述第五晶體管T5的源極與所述連接點(diǎn)N2相連，所述第五晶體管T5的漏極與復(fù)位電源VREF相連，所述第五晶體管T5的柵極用于與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第三掃描控制信號(hào)相連；還包括制造在所述像素電路版圖的空余位置處的附加電容，所述附加電容的一端用于與第一電源ELVDD相連,所述附加電容的另一端與所述連接點(diǎn)N2和所述第一電容Cl的一端相連。
[0007]一種新型像素電路，包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6和第一電容Cl，每個(gè)所述晶體管均具有柵極、源極和漏極；其中，所述第一晶體管Tl的柵極與所述第三晶體管T3的柵極相連且連接點(diǎn)為N2，所述第一晶體管Tl的源極與其驅(qū)動(dòng)的像素所在列的數(shù)據(jù)線(xiàn)相連，所述第一晶體管Tl的漏極與所述第二晶體管T2源極相連，所述第二晶體管T2的漏極與所述第一電容Cl的一端相連，所述第一電容Cl的另一端與復(fù)位電源VREF相連，所述第二晶體管T2的柵極與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第二掃描控制信號(hào)相連；所述第三晶體管T3的源極用于與第一電源ELVDD相連，所述第三晶體管T3的漏極與所述第四晶體管T4的源極相連，所述第四晶體管T4的漏極形成所述像素電路的輸出端NI，所述第四晶體管T4的柵極用于與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第一掃描控制信號(hào)相連；所述第五晶體管T5的源極與所述連接點(diǎn)N2相連，所述第五晶體管T5的漏極與所述像素電路的輸出端NI相連，所述第五晶體管T5的柵極用于與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第三掃描控制信號(hào)相連；所述第六晶體管T6的柵極用于與其驅(qū)動(dòng)的像素所在行的第三掃描控制信號(hào)相連，所述第六晶體管T6的源極與所述輸出端NI和所述第五晶體管T5的漏極相連，所述第六晶體管T6的漏極與復(fù)位電源VREF相連；還包括制造在所述像素電路版圖的空余位置處的附加電容，所述附加電容的一端用于與第一電源ELVDD相連，所述附加電容的另一端與所述連接點(diǎn)N2和所述第一電容Cl的一端相連。
[0008]所述的一種新型像素電路，所述附加電容包括第二電容C2。
[0009]所述的一種新型像素電路，所述附加電容還包括至少一個(gè)與所述第二電容C2并聯(lián)連接的電容。
[0010]所述的一種新型像素電路，還包括直流電致發(fā)光器件，所述直流電致發(fā)光器件的一端與所述像素電路的輸出端NI相連，另一端接第二電源ELVSS，所述第二電源ELVSS比所述第一電源ELVDD的電壓低。
[0011 ] 所述的一種新型像素電路，所述直流電致發(fā)光器件包括OLED、DCEL、LED和電阻式燈泡中的任意一種。
[0012]所述的新型像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟:將每行像素的掃描周期分為第一時(shí)間段tl、第二時(shí)間段t2和第三時(shí)間段t3，其中，
[0013]在第一時(shí)間段tl期間，低電平的第三掃描控制信號(hào)Sn3提供給像素，第五晶體管T5在低電平的第三掃描控制信號(hào)Sn3的控制下導(dǎo)通，復(fù)位電源VREF的電壓被提供給新型像素電路的所述連接點(diǎn)N2 ；
[0014]第二時(shí)間段t2期間，將低電平的第二掃描控制信號(hào)Sn2提供給像素，第一晶體管Tl和第二晶體管T2響應(yīng)該低電平的第二掃描控制信號(hào)Sn2而導(dǎo)通；
[0015]第三時(shí)間段T3期間，第一掃描控制信號(hào)Snl躍遷到低電平，第三晶體管T3和第四晶體管T4通過(guò)第一掃描控制信號(hào)Snl而導(dǎo)通；驅(qū)動(dòng)電流沿第一電源ELVDD經(jīng)第三晶體管T3和第四晶體管T4流經(jīng)至所述輸出端NI。
[0016]所述的新型像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括如下步驟:將每行像素的掃描周期分為第一時(shí)間段tl、第二時(shí)間段t2和第三時(shí)間段t3，其中，
[0017]在第一時(shí)間段tl期間，低電平的第三掃描控制信號(hào)Sn3提供給像素，第五晶體管T5和第六晶體管T6在低電平的第三掃描控制信號(hào)Sn3的控制下導(dǎo)通,復(fù)位電源VREF的電壓被提供給新型像素電路的所述連接點(diǎn)N2和所述輸出端NI ；
[0018]第二時(shí)間段t2期間，將低電平的第二掃描控制信號(hào)Sn2提供給像素，第一晶體管Tl和第二晶體管T2響應(yīng)該低電平的第二掃描控制信號(hào)Sn2而導(dǎo)通；
[0019]第三時(shí)間段T3期間，第一掃描控制信號(hào)Snl躍遷到低電平，第三晶體管T3和第四晶體管T4通過(guò)第一掃描控制信號(hào)Snl而導(dǎo)通；驅(qū)動(dòng)電流沿第一電源ELVDD經(jīng)第三晶體管Τ3和第四晶體管Τ4流經(jīng)至所述輸出端NI。
[0020]一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括上述任一所述的新型像素電路。
[0021]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022]本發(fā)明的一