導電結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種導電結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板因其質(zhì)量輕、功耗低，輻射小、能大量節(jié)省空間等優(yōu)點，現(xiàn)已取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器，廣泛應(yīng)用于各個顯示領(lǐng)域，如家庭、公共場所、辦公場及個人電子相關(guān)廣品等。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示面板主要包括彩膜基板、陣列基板以及兩基板之間的液晶層，隨著液晶顯示面板尺寸的增大以及顯示性能要求的提高，要求陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線具有更低的電阻，而采用鋁制作的配線由于電阻系數(shù)較高，已經(jīng)不能滿足顯示性能的要求，而銅的電阻系數(shù)比鋁的電阻系數(shù)低的多，因此，使用銅作為柵線和數(shù)據(jù)線將成為今后的主流選擇，目前，在采用銅制作陣列基板上配線的過程中，為了防止銅的擴散并增加其粘附力，一般需在銅金屬薄膜的下方設(shè)置阻擋金屬薄膜，然而，由于在不同金屬之間的界面，其原子排列較不規(guī)則，因此界面能較大，當對銅金屬薄膜及其下方的阻擋金屬薄膜刻蝕完畢后，通過剝離液去除其上的剩余光刻膠時，與剝離液的接觸很容易造成如圖1所示的銅金屬薄膜與阻擋金屬薄膜之間的界面分離現(xiàn)象(undercut)，從而影響產(chǎn)品品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何解決在采用銅材料制作陣列基板上配線的過程中發(fā)生的銅金屬薄膜與阻擋金屬薄膜之間的界面分離現(xiàn)象。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種導電結(jié)構(gòu)的制作方法，包括:
[0008]在基板上依次形成阻擋金屬薄膜、與所述阻擋金屬薄膜層疊設(shè)置的銅金屬薄膜；
[0009]在所述銅金屬薄膜上形成預設(shè)的光刻膠圖案；
[0010]對所述阻擋金屬薄膜以及所述銅金屬薄膜進行刻蝕；
[0011]對所述刻蝕后所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁進行氧化處理，以在所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁分別生成對應(yīng)的金屬氧化物層；
[0012]采用剝離液剝離所述光刻膠圖案。
[0013]進一步地，所述阻擋金屬薄膜的材料為Mo、MoNb或MoTi。
[0014]進一步地，對所述刻蝕后所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁進行氧化處理包括:對所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴漏出的側(cè)壁進行氧等離子體處理。
[0015]進一步地，對所述刻蝕后所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁進行氧化處理包括:對所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴漏出的側(cè)壁進行臭氧處理。
[0016]進一步地，對所述刻蝕后所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁進行氧化處理包括:將所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴漏出的側(cè)壁置于空氣中后加熱處理。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種導電結(jié)構(gòu)，包括層疊設(shè)置的阻擋金屬層和銅金屬層，且所述阻擋金屬層的側(cè)壁上和所述銅金屬層的側(cè)壁上分別形成有對應(yīng)的金屬氧化層。
[0018]進一步地，所述阻擋金屬層的材料為Mo、MoNb或MoTi。
[0019]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、柵極，所述柵線、所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極、所述柵極中至少一者為上述的導電結(jié)構(gòu)。
[0020]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0021](三)有益效果
[0022]本發(fā)明提供的導電結(jié)構(gòu)的制作方法，通過在采用濕法剝離工藝去除導電結(jié)構(gòu)上的光刻膠前，對導電結(jié)構(gòu)暴露出的側(cè)壁進行氧化處理，使側(cè)壁形成均一的金屬氧化層，減小了兩金屬層之間的界面與上下膜層之間的差異性，在進行濕法剝離時，減小水氣藥液殘留造成腐蝕的可能性，有效改善銅金屬薄膜與阻擋金屬薄膜之間的界面分離現(xiàn)象(undercut)，增加組件穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0023]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中在采用銅材料制作陣列基板上配線的過程中發(fā)生的銅金屬薄膜與阻擋金屬薄膜之間的界面分離現(xiàn)象的示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種導電結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；
[0025]圖3?圖7是本發(fā)明實施方式提供的一種制作導電結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0027]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種導電結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖，該導電結(jié)構(gòu)的制作方法包括步驟SI?S5:
[0028]S1:在基板上依次形成阻擋金屬薄膜、與所述阻擋金屬薄膜層疊設(shè)置的銅金屬薄膜，具體地，如圖3所示，首先在基板100上形成一層阻擋金屬薄膜200，其中，該阻擋金屬薄膜200的材料可以為Mo (鉬)、MoNb (鉬鈮合金)或MoTi (鉬鈦合金)等，而后再在該阻擋金屬薄膜200上形成一層銅金屬薄膜300 ；
[0029]S2:在所述銅金屬薄膜上形成預設(shè)的光刻膠圖案；具體地，可以首先在銅金屬薄膜上涂覆一層光刻膠層，再采用掩膜版對光刻膠層進行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全保留區(qū)域(對應(yīng)于導電圖形所在區(qū)域)和光刻膠完全去除區(qū)域(對應(yīng)于導電圖形之外的區(qū)域)，對其顯影處理后，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，而只保留光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，從而形成如圖4所示的光刻膠圖案400 ;
[0030]S3:對所述阻擋金屬薄膜以及所述銅金屬薄膜進行刻蝕；具體地，可以采用濕法刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的阻擋金屬薄膜和銅金屬薄膜，從而如圖5所示形成所需圖案的導電結(jié)構(gòu)，其包括圖案化的阻擋金屬層210和銅金屬層310 ;
[0031]S4:對所述刻蝕后所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁進行氧化處理，以在所述阻擋金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁以及所述銅金屬薄膜中暴露出的側(cè)壁分別生成對應(yīng)的金屬氧化物層；具體地，如圖6所示，通過氧化處理后，阻擋金屬層210和銅金屬層310的側(cè)壁上分別生成一層對應(yīng)的金屬氧化物層211和311，例如，若阻擋金屬層210采用Mo (鉬)材料制作而成，通過上述的氧化處理后，則在阻擋金屬層210的側(cè)壁