高折射率層(例如Ala 12Ga0.88As層)24連續(xù)的層4。
[0056]第二區(qū)域62被設(shè)置于構(gòu)成層疊體2的第二反射鏡層40的側(cè)面。第二區(qū)域62包括被設(shè)置為與第二反射鏡層40連續(xù)的多個(gè)氧化層16。具體而言，第二區(qū)域62構(gòu)成為交替地層疊有與構(gòu)成第二反射鏡層40的低折射率層(例如Ala9GaaiAs層)46連續(xù)的層被氧化的氧化層16、以及與構(gòu)成第二反射鏡層40的高折射率層(例如Ala 12Ga0.88As層)44連續(xù)的層14。在俯視時(shí)(從第一反射鏡層20與活性層30的層疊方向觀察)，由第一區(qū)域60與第二區(qū)域62構(gòu)成氧化區(qū)域8。
[0057]第一反射鏡層20、活性層30、第二反射鏡層40、電流狹窄層42、接觸層50、第一區(qū)域60、以及第二區(qū)域62構(gòu)成層疊體2。在圖1以及圖2所示的例子中，層疊體2被樹(shù)脂層70包圍。
[0058]在圖3所示的例子中，在俯視時(shí)，Y軸方向的層疊體2的長(zhǎng)度比X軸方向的層疊體2的長(zhǎng)度長(zhǎng)。即，層疊體2的長(zhǎng)度方向?yàn)閅軸方向。在俯視時(shí)，層疊體2例如相對(duì)于通過(guò)層疊體2的中心且與X軸平行的假想直線對(duì)稱(chēng)。另外，在俯視時(shí)，層疊體2例如相對(duì)于通過(guò)層疊體2的中心且與Y軸平行的假想直線對(duì)稱(chēng)。
[0059]如圖3所示，在俯視時(shí)，層疊體2包括第一形變施加部(第一部分)2a、第二形變施加部(第二部分)2b以及共振部(第三部分)2c。
[0060]第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b在俯視時(shí)隔著共振部2c沿Y軸方向?qū)χ?。第一形變施加?a在俯視時(shí)從共振部2c朝+Y軸方向突出。第二形變施加部2b在俯視時(shí)從共振部2c朝一 Y軸方向突出。第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b被設(shè)置為與共振部2c —體。
[0061]第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b對(duì)活性層30施加形變，而使在活性層30產(chǎn)生的光偏振。此處，所謂使光偏振是指使光的電場(chǎng)的振動(dòng)方向形成恒定。構(gòu)成第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b的半導(dǎo)體層(第一反射鏡層20、活性層30、第二反射鏡層40、電流狹窄層42、接觸層50、第一區(qū)域60以及第二區(qū)域62)成為產(chǎn)生施加于活性層30的形變的產(chǎn)生源。第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b具備具有多個(gè)氧化層6的第一區(qū)域60以及具有多個(gè)氧化層16的第二區(qū)域62，因此能夠?qū)钚詫?0施加較大的形變。
[0062]共振部2c被設(shè)置于第一形變施加部2a與第二形變施加部2b之間。X軸方向的共振部2c的長(zhǎng)度比X軸方向的第一形變施加部2a的長(zhǎng)度或者X軸方向的第二形變施加部2b的長(zhǎng)度長(zhǎng)。共振部2c的平面形狀(從第一反射鏡層20與活性層30的層疊方向觀察的形狀)例如為圓形。
[0063]共振部2c使在活性層30產(chǎn)生的光共振。即，在共振部2c中形成有垂直共振器。
[0064]樹(shù)脂層70被設(shè)置于層疊體2的至少側(cè)面。在圖1所示的例子中，樹(shù)脂層70覆蓋第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b。S卩，樹(shù)脂層70被設(shè)置于第一形變施加部2a的側(cè)面、第一形變施加部2a的上表面、第二形變施加部2b的側(cè)面、以及第二形變施加部2b的上表面。樹(shù)脂層70可以完全覆蓋第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b，也可以覆蓋第一形變施加部2a以及第二形變施加部2b的一部分。樹(shù)脂層70的材質(zhì)例如為聚酰亞胺。此外，在本實(shí)施方式中，為了對(duì)各形變施加部2a、2b施加形變而形成樹(shù)脂層70，但只要與樹(shù)脂層70對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)至少具有絕緣的功能即可，因此若為絕緣材料則也可以不是樹(shù)脂。
[0065]在圖3所示的例子中，在俯視時(shí)，Y軸方向的樹(shù)脂層70的長(zhǎng)度比X軸方向的樹(shù)脂層70的長(zhǎng)度長(zhǎng)。即，樹(shù)脂層70的長(zhǎng)度方向?yàn)閅軸方向。樹(shù)脂層70的長(zhǎng)度方向與層疊體2的長(zhǎng)度方向一致。
[0066]第一電極80以及第二電極81被設(shè)置于第一反射鏡層20上。第一電極80以及第二電極81與第一反射鏡層20歐姆接觸。第一電極80以及第二電極81與第一反射鏡層20電連接。作為第一電極80以及第二電極81例如使用從第一反射鏡層20側(cè)按順序?qū)盈BCr層、AuGe層、Ni層、Au層的電極。第一電極80以及第二電極81是用于向活性層30注入電流的一方的電極。
[0067]第三電極82被設(shè)置于接觸層50上(層疊體2上)。第三電極82與接觸層50歐姆接觸。在圖示的例子中，第三電極82進(jìn)一步被形成于樹(shù)脂層70上。第三電極82經(jīng)由接觸層50與第二反射鏡層40電連接。作為第三電極82例如使用從接觸層50側(cè)按順序?qū)盈BCr層、Pt層、Ti層、Pt層、Au層的電極。第三電極82是用于向活性層30注入電流的另一方的電極。
[0068]第三電極82與焊盤(pán)84電連接。在圖示的例子中，第三電極82經(jīng)由引出配線86與焊盤(pán)84電連接。焊盤(pán)84被設(shè)置于樹(shù)脂層70上。焊盤(pán)84以及引出配線86的材質(zhì)例如與第三電極82的材質(zhì)相同。
[0069]此處，對(duì)第一電極80以及第二電極81詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
[0070]第一電極80以及第二電極81被設(shè)置為相互分離。即，第一電極80以及第二電極81被設(shè)置為隔開(kāi)間隔。在俯視時(shí)，在第一電極80與第二電極81之間設(shè)置有樹(shù)脂層70。在圖示的例子中，第一電極80在俯視時(shí)被設(shè)置于樹(shù)脂層70的一側(cè)(+X軸方向側(cè))，第二電極81在俯視時(shí)被設(shè)置于樹(shù)脂層70的另一側(cè)(一 X軸方向側(cè))。如上，在面發(fā)光激光器100中，與第一反射鏡層20電連接的電極被配置為在樹(shù)脂層70的兩側(cè)被分割成第一電極80與第二電極81。
[0071]在俯視時(shí)，第一電極80的Y軸方向的長(zhǎng)度(例如為最大的長(zhǎng)度)比第一電極80的X軸方向的長(zhǎng)度(例如最大的長(zhǎng)度)長(zhǎng)。即，第一電極80具有沿Y軸方向具有長(zhǎng)度方向的形狀。另外，在俯視時(shí)，第二電極81的Y軸方向的長(zhǎng)度(例如為最大的長(zhǎng)度)比第二電極81的X軸方向的長(zhǎng)度(例如為最大的長(zhǎng)度)長(zhǎng)。S卩，第二電極81具有沿Y軸方向具有長(zhǎng)度方向的形狀。第一電極80的長(zhǎng)度方向以及第二電極81的長(zhǎng)度方向是與樹(shù)脂層70的長(zhǎng)度方向相同的方向。第一電極80的Y軸方向的最大的長(zhǎng)度例如與第二電極81的Y軸方向的最大的長(zhǎng)度相等。
[0072]樹(shù)脂層70在俯視時(shí)被設(shè)置為包圍共振部2c。共振部2c在俯視時(shí)被設(shè)置于第一電極80與第二電極81之間。例如，在俯視時(shí)，共振部2c與第一電極80之間的距離(最短距離)和共振部2c與第二電極81之間的距離(最短距離)相等。
[0073]如圖2所不，第一反射鏡層20具有被設(shè)置于基板10上的第一部分20a、以及被設(shè)置于第一部分20a上并構(gòu)成層疊體2的一部分的第二部分20b。第一電極80以及第二電極81被設(shè)置于第一反射鏡層20的第一部分20a上。如上所述，第三電極82被設(shè)置于層疊體2上。如上，電極80、81、82被設(shè)置于基板10的上表面?zhèn)?+Z軸方向側(cè))。
[0074]此外，上述對(duì)AlGaAs系的面發(fā)光激光器進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明所涉及的面發(fā)光激光器也可以以與振蕩波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的方式例如使用GaInP系、ZnSSe系、InGaN系、AlGaN系、InGaAs系、GaInNAs系、GaAsSb系的半導(dǎo)體材料。
[0075]面發(fā)光激光器100例如具有以下的特征。
[0076]在面發(fā)光激光器100中，在俯視時(shí)，設(shè)置有包圍層疊體2的樹(shù)脂層70，樹(shù)脂層70被設(shè)置于第一電極80與第二電極81之間。因此，例如，與僅在樹(shù)脂層70的一側(cè)形成有電極的情況相比(例如與僅形成有第一電極80的情況相比)，能夠提高電場(chǎng)分布相對(duì)于共振部2c的對(duì)稱(chēng)性。另外，在面發(fā)光激光器100中，第一電極80與第二電極81分離，因此例如與對(duì)第一電極80與第二電極81進(jìn)行了連接的情況相比，不需要對(duì)第一電極80與第二電極81進(jìn)行連接的部分，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。
[0077]在面發(fā)光激光器100中，共振部2c在俯視時(shí)被設(shè)置于第一電極80與第二電極81之間。因此，例如，與僅在樹(shù)脂層70的一側(cè)形成有電極的情況相比，能夠提高電場(chǎng)分布相對(duì)于共振部2c的對(duì)稱(chēng)性。
[0078]在面發(fā)光激光器100中，第一電極80以及第二電極81被設(shè)置于第一反射鏡層20的第一部分20a上，第三電極82被設(shè)置于層疊體2上。由此，例如，能夠獲得單面電極構(gòu)造。
[0079]2.面發(fā)光激光器的制造方法
[0080]接下來(lái)，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式所涉及的面發(fā)光激光器的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5?圖8是示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的面發(fā)光激光器100的制造工序的剖視圖，與圖2對(duì)應(yīng)。
[0081]如圖5所示，在基板10上按順序外延生長(zhǎng)第一反射鏡層20、活性層30、被氧化而成為電流狹窄層42的被氧化層42a、第二反射鏡層40、以及接觸層50。作為外延生長(zhǎng)的方法例如能夠列舉MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposit1n金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)法、MBE (Molecular Beam Epitaxy 分子束外延)法。
[0082]如圖6所示，對(duì)接觸層50、第二反射鏡層40、被氧化層42a、活性層30、以及第一反射鏡層20進(jìn)行圖案形成，而形成層疊體2。圖案形成例如通過(guò)光刻以及蝕刻而進(jìn)行。
[0083]如圖7所示，對(duì)被氧化層42a進(jìn)行氧化，而形成電流狹窄層42。被氧化層42a例如是AlfanAsU彡0.95)層。例如，向400 °C左右的水蒸氣環(huán)境中，投入形成有層疊體2的基板10，從而從側(cè)面對(duì)AlxGa1 _xAs(x ^ 0.95)層進(jìn)行氧化，而形成電流狹窄層42。
[0084]在面發(fā)光激光器100的制造方法中，在上述的氧化工序中，從側(cè)面對(duì)構(gòu)成第一反射鏡層20的層進(jìn)行氧化而形成第一區(qū)域60。并且，從側(cè)面對(duì)構(gòu)成第二反射鏡層40的層進(jìn)行氧化而形成第二區(qū)域62。具體而言，通過(guò)400°C左右的水蒸氣環(huán)境，將構(gòu)成反射鏡層20、40的Alci 9Gatl lAs層的砷置換成氧，從而