層，上述第2區(qū)域的上 述第1部分具有上述最上層的氧化層，從上述最下層的氧化層的上述第1端到上述最上層 的氧化層的上述第2端的寬度亦即W1位于上述虛擬直線上。
[0037] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠?qū)崿F(xiàn)偏振方向的穩(wěn)定化。
[0038] 本發(fā)明的面發(fā)光激光器的特征在于，包括：基板；第1反射鏡層，其設(shè)置于上述基 板的上方；活性層，其設(shè)置于上述第1反射鏡層的上方；第2反射鏡層，其設(shè)置于上述活性 層的上方；電流狹窄層，其設(shè)置于上述第1反射鏡層與上述第2反射鏡層之間；第1區(qū)域，其 包括與上述第1反射鏡層連續(xù)設(shè)置的多個(gè)氧化層；以及第2區(qū)域，其包括與上述第2反射鏡 層連續(xù)設(shè)置的多個(gè)氧化層，上述第1反射鏡層、上述活性層、上述第2反射鏡層、上述電流狹 窄層、上述第1區(qū)域、以及上述第2區(qū)域構(gòu)成層疊體，當(dāng)俯視時(shí)，上述層疊體具有：第1形變 賦予部；第2形變賦予部；以及共振部，其設(shè)置于上述第1形變賦予部與上述第2形變賦予 部之間，且使在上述活性層產(chǎn)生的光共振，當(dāng)剖視時(shí)，上述第1區(qū)域的多個(gè)氧化層中最下層 的氧化層具有和與上述第1形變賦予部的上述第1反射鏡層相接的端對(duì)置的第1端，上述 剖視中，上述第2區(qū)域的多個(gè)氧化層中最上層的氧化層具有與上述第1形變賦予部的上述 第2反射鏡層相接的第2端，當(dāng)上述俯視時(shí)，將從上述第1端到上述第2端的寬度設(shè)為Wl， 將上述第1部分中的上述第2反射鏡層的上表面的寬度設(shè)為W2時(shí)，W2/W1彡3. 3。
[0039] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠通過氧化層使活性層產(chǎn)生較大的形變，能夠?qū)崿F(xiàn)偏 振方向的穩(wěn)定化。
[0040] 本發(fā)明的面發(fā)光激光器中，也可以W2/W1<2. 2。
[0041] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠更加實(shí)現(xiàn)偏振方向的穩(wěn)定化。
[0042] 本發(fā)明的面發(fā)光激光器中，也可以1. 3彡W2/W1。
[0043] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠更加實(shí)現(xiàn)偏振方向的穩(wěn)定化。
[0044] 本發(fā)明的面發(fā)光激光器中，也可以是當(dāng)上述俯視時(shí)，在上述第1形變賦予部上畫 出與上述第1形變賦予部和上述第2形變賦予部所對(duì)置的方向正交的虛擬直線的情況下， 上述第2反射鏡層的上表面的寬度亦即W2位于上述虛擬直線上。
[0045] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠?qū)崿F(xiàn)偏振方向的穩(wěn)定化。
[0046] 本發(fā)明的面發(fā)光激光器中，也可以是上述剖視中，上述第1區(qū)域的第1部分和第2 部分以夾持上述層疊體的上述第1形變賦予部的上述第1反射鏡層的方式存在，上述剖視 中，在上述第1區(qū)域的上述第1部分的上方上述第2區(qū)域的第1部分和在上述第1區(qū)域的 上述第2部分的上方上述第2區(qū)域的第2部分以夾持上述層疊體的上述第1形變賦予部的 上述第2反射鏡層的方式存在，上述第1區(qū)域的上述第1部分具有上述最下層的氧化層，上 述第2區(qū)域的上述第1部分具有上述最上層的氧化層，從上述最下層的氧化層的上述第1 端到上述最上層的氧化層的上述第2端的寬度亦即W1位于上述虛擬直線上。
[0047] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠?qū)崿F(xiàn)偏振方向的穩(wěn)定化。
[0048] 本發(fā)明的面發(fā)光激光器中，上述第2區(qū)域的上表面也可以向上述基板側(cè)傾斜。
[0049] 這樣的面發(fā)光激光器中，能夠?qū)崿F(xiàn)偏振方向的穩(wěn)定化。
[0050] 本發(fā)明的原子振蕩器包括本發(fā)明的面發(fā)光激光器。
[0051] 這樣的原子振蕩器中，因?yàn)榘吮景l(fā)明的面發(fā)光激光器，例如能夠經(jīng)由A/4板 使圓偏振光的光線穩(wěn)定地照射到氣室，能夠提高原子振蕩器的頻率穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0052] 圖1是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的俯視圖。
[0053] 圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的剖視圖。
[0054] 圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的俯視圖。
[0055] 圖4是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的剖視圖。
[0056] 圖5是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的制造工序的剖視圖。
[0057] 圖6是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的制造工序的剖視圖。
[0058] 圖7是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的制造工序的剖視圖。
[0059] 圖8是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器的制造工序的剖視圖。
[0060] 圖9是使用于實(shí)驗(yàn)例的面發(fā)光激光器的照片。
[0061] 圖10是使用于實(shí)驗(yàn)例的面發(fā)光激光器的照片。
[0062] 圖11是使用于實(shí)驗(yàn)例的面發(fā)光激光器的照片。
[0063] 圖12是使用于實(shí)驗(yàn)例的面發(fā)光激光器的照片。
[0064] 圖13是表不合格的面發(fā)光激光器的電流與輸出的關(guān)系的圖。
[0065] 圖14是表示不合格品的面發(fā)光激光器的電流與輸出的關(guān)系的圖。
[0066] 圖15是不意性地表不本實(shí)施方式的形變例的面發(fā)光激光器的剖視圖。
[0067] 圖16是本實(shí)施方式的原子振蕩器的功能框圖。
[0068] 圖17是表示共振光的頻譜的圖。
[0069]圖18是表示堿金屬原子的A型3級(jí)模型與第1側(cè)帶波以及第2側(cè)帶波的關(guān)系的 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0070] 以下，使用附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，以下說明的實(shí)施方 式并不不當(dāng)?shù)叵薅?quán)利要求書所記載的本發(fā)明的內(nèi)容。另外，以下說明的構(gòu)成的全部不限 定為是本發(fā)明的必須構(gòu)成要件。
[0071] 1.面發(fā)光激光器
[0072] 首先，一邊參照附圖一邊對(duì)本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器進(jìn)行說明。圖1是示意性 地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器100的俯視圖。圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā) 光激光器100的圖1的II一II線剖視圖。圖3是示意性地表示本實(shí)施方式的面發(fā)光激光 器100的俯視圖。圖4是不意性地表不本實(shí)施方式的面發(fā)光激光器100的圖3的IV-IV 線剖視圖。
[0073] 此外，為了方便，圖2中，使層疊體2簡單化地圖示。另外，圖3中，省略面發(fā)光激 光器100的層疊體2以外的部件的圖示。另外，圖1~圖4中，圖示了X軸、Y軸以及Z軸 作為相互正交的3個(gè)軸。
[0074] 如圖1~圖4所不，面發(fā)光激光器100包括：基板10、第1反射鏡層20、活性層30、 第2反射鏡層40、電流狹窄層42、觸點(diǎn)層50、第1區(qū)域60、第2區(qū)域62、樹脂層（絕緣層）70、 第1電極80、以及第2電極82。
[0075] 基板10例如是第1導(dǎo)電型（例如n型）的GaAs基板。
[0076] 第1反射鏡層20在基板10上形成。第1反射鏡層20是第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層。 如圖4所示，第1反射鏡層20是交替層疊了高折射率層24和低折射率層26的分布式布拉 格反射型（DBR)反射鏡。高折射率層24例如是摻雜了硅的n型層。低折射 率層26例如是摻雜了硅的n型AluGauAs層。高折射率層24與低折射率層26的層疊數(shù) (對(duì)數(shù)）例如是10對(duì)以上50對(duì)以下，具體而言是40. 5對(duì)。
[0077] 活性層30設(shè)置于第1反射鏡層20上?；钚詫?0例如具有重疊了 3層由i型 In^Ga^As層和i型AluGa^As層構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)的多量子阱（MQW)結(jié)構(gòu)。
[0078] 第2反射鏡層40在活性層30上形成。第2反射鏡層40是第2導(dǎo)電型（例如p 型）的半導(dǎo)體層。第2反射鏡層40是交替層疊了高折射率層44和低折射率層46的分布 式布拉格反射型（DBR)反射鏡。高折射率層44例如是摻雜了碳的p型Alai5Gaa85AS層。低 折射率層46例如是摻雜了碳的p型AluGauAs層。高折射率層44和低折射率層46的層 疊數(shù)（對(duì)數(shù)）例如是3對(duì)以上40對(duì)以下，具體而言是20對(duì)。
[0079] 第2反射鏡層40、活性層30以及第1反射鏡層20構(gòu)成垂直共振器型的pin二極 管。若對(duì)電極80、82間施加pin二極管的正向電壓，則在活性層30中電子與空穴的復(fù)合 (recombination)發(fā)生，發(fā)光產(chǎn)生。在活性層30產(chǎn)生的光在第1反射鏡層20與第2反射鏡 層40之間往復(fù)（多重反射），此時(shí)受激發(fā)射發(fā)生，強(qiáng)度被放大。而且，若光增益超過光損失， 則激光振蕩發(fā)生，激光從觸點(diǎn)層50的上表面沿垂直方向（第1反射鏡層20與活性層30的 層疊方向）射出。
[0080] 電流狹窄層42設(shè)置于第1反射鏡層20與第2反射鏡層40之間。圖示的例中，電 流狹窄層42設(shè)置于活性層30上。電流狹窄層42也能夠設(shè)置于第1反射鏡層20或者第2 反射鏡層40的內(nèi)部。在該情況下，也視為氧化狹窄層42設(shè)置于第1反射鏡層20與第2反 射鏡層40之間。電流狹窄