晶片檢測方法及設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體領域，特別是涉及一種晶片檢測方法及設備。
【背景技術】
[0002]PVD (物理氣相沉積)是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)，并使蒸發(fā)物質與氣體均發(fā)生電離，同時利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質及其反應產物沉積在晶片上。物理氣相沉積的方法主要有真空蒸鍍、電弧等離子體鍍、離子鍍膜、以及分子束外延等，目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導體和聚合物等。
[0003]通常為確保工藝性能，PVD工藝腔室需要進行兩種調節(jié)工藝。第一調節(jié)工藝為預燒靶材，預燒靶材通常是在PVD工藝腔室已經暴露在大氣中或停用一段時間之后，將靶材表面的氧化物和其他雜質清除，在預燒靶材工藝期間，將輔助晶片或遮蔽盤覆蓋在基座上，以防止氧化物和其他雜質沉積到基座上；第二調節(jié)工藝為涂覆，涂覆一般是在傳統PVD工藝期間沉積在PVD工藝腔室內表面上的材料表面涂覆一層覆蓋物，如:氮化鈦的PVD應用通常在PVD工藝腔室內表面產生一層氮化鈦，該氮化鈦層易碎，并且在后續(xù)工藝期間剝落，影響工藝性能，因此通過在該氮化鈦層表面涂覆一層鈦，以防止氮化鈦層的剝落，保證后續(xù)工藝性能。通常，相隔預定間隔時間進行一次涂覆。
[0004]目前，對晶片進行PVD工藝時，采用的設備如圖1所示。當晶片在工藝腔室進行工藝時，基座在Ped電機的驅動下,帶動晶片向上升至工藝位置,在此過程中，基座經過CoverΟ-ring(閥蓋O形環(huán))位置時,攜帶Cover 0_ring—起上升至工藝位置,此時,Cover 0-ring將晶片固定在基座上，進行工藝；待工藝完成后，由于工藝時間過長或其他原因，當Ped電機驅動基座移動至低位時，晶片很容易被卡在Cover Ο-ring上面,這就很容易導致當轉盤進入下一工藝腔室進行下一工藝時，出現無片的情況，污染基座及工藝腔室，同時還會造成資源的浪費，增加生產成本。

【發(fā)明內容】

[0005]基于此，有必要針對晶片進行下一工藝時出現無片的問題，提供一種晶片檢測方法及設備。
[0006]一種晶片檢測方法，包括如下步驟:
[0007]S100，轉盤在接收到控制器發(fā)送的轉動至預設目標位置的命令信號后，啟動轉動；
[0008]S200，所述控制器檢測到轉盤放置晶片位置與傳感器的位置對應時，發(fā)送檢測命令信號至所述傳感器；
[0009]S300，所述傳感器接收到所述檢測命令信號后，檢測到所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，控制所述轉盤放置晶片位置轉動至所述預設目標位置。
[0010]其中，所述步驟S200包括如下步驟:
[0011]S210，檢測所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置是否對應；
[0012]S220，當所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置對應時，發(fā)送檢測命令信號至所述傳感器；
[0013]S220’，當所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置不對應時，根據所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置，計算所述轉盤的第一轉動角度；
[0014]S230’，根據所述轉盤的第一轉動角度，控制所述轉盤放置晶片位置轉動至所述傳感器的位置。
[0015]其中，所述步驟S300包括如下步驟:
[0016]S310，所述傳感器接收到所述檢測命令信號后，檢測所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)；
[0017]S320，當所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)不同時，發(fā)出報警指令;
[0018]S320’，當所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，根據當前所述轉盤放置晶片位置與所述預設目標位置，計算所述轉盤的第二轉動角度；
[0019]S330’，根據所述轉盤的第二轉動角度，控制所述轉盤放置晶片位置轉動至所述預設目標位置。
[0020]其中，還包括如下步驟:
[0021]S100’，根據當前所述轉盤的位置，計算所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置的對應關系。
[0022]相應的，為實現上述晶片檢測方法，本發(fā)明還提供了一種晶片檢測設備，包括轉盤、傳感器和控制器，其中:
[0023]所述傳感器，設置在轉盤放置晶片位置與預設目標位置之間，位于所述轉盤上方；
[0024]所述控制器，分別與所述轉盤和所述傳感器連接，包括信號發(fā)送模塊、第一檢測模塊和第一控制模塊，其中:
[0025]所述信號發(fā)送模塊，用于向所述轉盤發(fā)送轉動至所述預設目標位置的命令信號；
[0026]所述第一檢測模塊，用于檢測到所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置對應時，發(fā)送檢測命令信號至所述傳感器；
[0027]所述第一控制模塊，用于當所述傳感器檢測到所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，控制所述轉盤轉動至所述預設目標位置。
[0028]其中，所述第一檢測模塊包括第一檢測單元、第一計算單元和第一控制單元，其中:
[0029]所述第一檢測單元，用于檢測所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置是否對應；
[0030]所述第一計算單元，用于當所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置不對應時，根據所述轉盤放置晶片位置和所述傳感器的位置，計算所述轉盤的第一轉動角度；
[0031]所述第一控制單元，用于根據所述轉盤的第一轉動角度，控制所述轉盤放置晶片位置轉動至所述傳感器的位置。
[0032]其中，所述第一控制模塊包括第二控制單元、第二計算單元和第三控制單元，其中:
[0033]所述第二控制單元，用于當所述傳感器檢測到所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)不同時，發(fā)送報警指令；
[0034]所述第二計算單元，用于當所述傳感器檢測到所述轉盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，根據所述轉盤放置晶片位置與所述預設目標位置，計算所述轉盤的第二轉動角度；
[0035]所述第三控制單元，用于根據所述轉盤的第二轉動角度，控制所述轉盤放置晶片位置轉動至所述預設目標位置。
[0036]其中，所述控制器還包括第一計算模塊，其中:
[0037]所述第一計算模塊，用于根據當前所述轉盤的位置，計算所述轉盤放置晶片位置與所述傳感器的位置的對應關系。
[0038]其中，所述傳感器為距離設定式傳感器。
[0039]本發(fā)明提供的一種晶片檢測方法及設備，其中方法為，在轉盤將晶片送入下一工藝腔室之前，對轉盤放置晶片位置的狀態(tài)進行檢測，以判斷該轉盤放置晶片位置處是否存在晶片，若存在，則通過轉動轉盤，將晶片送入下一工藝腔室進行工藝，其通過增加在晶片進入工藝腔室之前的檢測功能，有效地避免了無片情況下進行工藝所導致的能源浪費與工藝腔室污染的問題。
【附圖說明】
[0040]圖1為PVD設備中工藝腔室結構示意圖；
[0041]圖2為晶片檢測方法一具體實施例流程圖；
[0042]圖3為晶片檢測方法另一具體實施例流程圖；
[0043]圖4為晶片檢測設備一具體實施例結構示意圖；
[0044]圖5為晶片檢測設備另一具體實施例結構意圖；
[0045]圖6為晶片檢測設備又一具體實施例結構示意圖；
【具體實施方式】
[0046]為使本發(fā)明技術方案更加清楚明白，以下結合附圖及具體實施例對本發(fā)明做進一步詳細說明。
[0047]參見圖2，一種晶片檢測方法，包括如下步驟:
[0048]S100，轉盤在接收到控制器發(fā)送的轉動至預設目標位置的命令信號后，啟動轉動；
[0049]S200，控制器檢測到轉盤放置晶片