電動(dòng)機(jī)82需要迅速產(chǎn)生大的輸出。因此，在MOSFET中大量電流流動(dòng)，并且產(chǎn)生了熱量。此外，由于車輛中安裝空間的限制，有必要減小電子控制裝置101的尺寸。因此，其將處于難以實(shí)現(xiàn)充分散熱的惡劣環(huán)境中。如果MOSFET過熱而超過容許溫度，則元件可能會(huì)壞掉，從而導(dǎo)致輔助轉(zhuǎn)向操作的功能故障。
[0066]因此，當(dāng)采用上述“后散熱結(jié)構(gòu)”時(shí)，半導(dǎo)體模塊34的一部分熱量從引線部分被輻射到襯底2，并且另一部分熱量通過散熱凝膠從后表面35被輻射到外殼601。因此，即使從MOSFET產(chǎn)生的熱量的量很大且僅到襯底2的散熱不充分，也能夠通過從后表面35散熱來(lái)改善半導(dǎo)體模塊34的散熱。
[0067]此外，在半導(dǎo)體模塊34周圍形成凹進(jìn)部分635。因此，散熱凝膠7幾乎不會(huì)流出。
[0068]此外，由于相對(duì)于后安裝表面22突出的半導(dǎo)體模塊34被容納在凹進(jìn)部分635中，因此電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630能夠被設(shè)置成高于半導(dǎo)體模塊34的后表面35的高度。也就是說(shuō)，在形成凹進(jìn)部分635且半導(dǎo)體模塊34被容納在凹進(jìn)部分635中的條件下，建立“第一距離Dl為零”的結(jié)構(gòu)。
[0069]接下來(lái)，將參考圖6來(lái)描述“減小噪聲對(duì)控制系統(tǒng)電子部件的影響”的效果。
[0070]在H橋電路中，由于多個(gè)半導(dǎo)體模塊34頻繁地進(jìn)行開關(guān)操作，因此產(chǎn)生了噪聲。存在噪聲導(dǎo)致微型計(jì)算機(jī)41或定制IC 42的算術(shù)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤確定的可能。
[0071 ] 在本實(shí)施方式中，通常為噪聲源的多個(gè)半導(dǎo)體模塊34被布置在襯底2的后安裝表面22上。由于外殼601與半導(dǎo)體模塊34電絕緣并且處于地電平，因此當(dāng)半導(dǎo)體模塊34導(dǎo)電時(shí)，則在半導(dǎo)體模塊34與外殼601之間會(huì)產(chǎn)生“寄生電容”。如圖6中所示，該寄生電容可被認(rèn)為是贗電容器。此外，當(dāng)多個(gè)寄生電容橋接在襯底2與外殼601之間時(shí)，形成了閉合電路。如實(shí)心箭頭所示，通過該閉合電路，從襯底2上的半導(dǎo)體模塊34產(chǎn)生的噪聲N返回到作為噪聲源的半導(dǎo)體模塊34。
[0072]在圖4中，第一距離Dl短于第二距離D2，并且襯底2和外殼601在控制區(qū)對(duì)應(yīng)部分64中彼此分隔開。因此，即使產(chǎn)生了寄生電容，寄生電容的大小也極度小于電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的大小。因此，閉合電路主要形成在電力區(qū)23和電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的區(qū)域中，而沒有到達(dá)控制區(qū)24。相應(yīng)地，能夠減小噪聲對(duì)控制系統(tǒng)電子部件的影響。
[0073]第一實(shí)施方式的電子控制裝置101的效果被概述如下。
[0074](I)半導(dǎo)體模塊34被表面安裝在鄰近外殼601的襯底2的后安裝表面22上，并且能夠通過散熱凝膠7把熱量從后表面35輻射到外殼601。因此，與熱量?jī)H從引線端子被輻射到襯底2的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，能夠改善散熱。
[0075]電子部件被分立地設(shè)置在襯底2的兩個(gè)表面上。因此，在有效地使用襯底2的空間的同時(shí)，能夠減小電子控制裝置101的尺寸。
[0076]因此，電子控制裝置101被有效地用于這樣的裝置，其中從半導(dǎo)體模塊34產(chǎn)生的熱量的量相對(duì)大且需要尺寸減小，作為驅(qū)動(dòng)電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向設(shè)備的轉(zhuǎn)向輔助電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)裝置。
[0077](2)當(dāng)半導(dǎo)體模塊34導(dǎo)電時(shí)，在多個(gè)半導(dǎo)體模塊34與處于地電平的外殼601之間產(chǎn)生多個(gè)寄生電容，以及形成有噪聲經(jīng)過的閉合電路。此外，從電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630到襯底2的第一距離Dl短于從控制區(qū)對(duì)應(yīng)部分64的端面640到襯底2的第二距離D2。因此，“由多個(gè)寄生電容橋接的閉合電路”主要形成在電力區(qū)23和電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的區(qū)域中。結(jié)果，從電力區(qū)23的半導(dǎo)體模塊34產(chǎn)生的噪聲通過閉合電路被返回到源，而不影響控制區(qū)24。因此，能夠減小噪聲對(duì)控制系統(tǒng)電子部件的影響。
[0078](3)電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63設(shè)置有從端面630開始凹進(jìn)的凹進(jìn)部分635，并且在其中容納半導(dǎo)體模塊34。因此，填充在凹進(jìn)部分635中的散熱凝膠7不太可能會(huì)流出。此外，能夠使電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630高于半導(dǎo)體模塊34的后表面35。因此，有效的是，使第一距離Dl是小的。隨著第一距離Dl的減小，閉合電路的路徑變短。因此，能夠進(jìn)一步減小噪聲對(duì)控制系統(tǒng)電子部件的影響。
[0079](4)在本實(shí)施方式中，特別地，第一距離Dl為零，并且閉合電路的路徑被減至最小。因此，能夠很大程度地減小噪聲對(duì)控制系統(tǒng)電子部件的影響。此外，由于第一距離Dl為零，所以襯底2與外殼601之間的接觸面積增大。因此，能夠改善從襯底2到外殼601的散熱。
[0080](5)由于多個(gè)支撐部分65被設(shè)置在電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的區(qū)域中，所以能夠限制由于熱量而引起的襯底2的彎曲或變形。因此，可限制由于半導(dǎo)體模塊34的后表面35與外殼601接觸而引起的絕緣失效的發(fā)生。
[0081](6)在平面視圖中襯底2和外殼601具有相同的外部尺寸。因此，在有效地使用空間的同時(shí)，能夠使電子控制裝置101的尺寸盡可能地小。
[0082](第一實(shí)施方式的修改)
[0083]第一實(shí)施方式的電子控制裝置101包括由四個(gè)半導(dǎo)體模塊34組成的H橋電路，并且被用作驅(qū)動(dòng)直流帶刷電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)裝置。作為第一實(shí)施方式的修改，電子控制裝置101被配置成具有由六個(gè)半導(dǎo)體模塊34組成的逆變電路，以被用作用于驅(qū)動(dòng)三相交流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)裝置。即，能夠用由六個(gè)半導(dǎo)體模塊34組成的逆變電路代替由四個(gè)半導(dǎo)體模塊34組成的H橋電路。在這種情況下，用與圖1至4中示出的第一實(shí)施方式類似的方法設(shè)置六個(gè)半導(dǎo)體模塊34。
[0084]此外，在這樣的修改中，在對(duì)應(yīng)于安裝有六個(gè)半導(dǎo)體模塊34的電力區(qū)23的電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63中，形成了外殼601，使得第一距離Dl短于第二距離D2。在這種情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施方式類似的效果。
[0085]接下來(lái)，將參考與第一實(shí)施方式的圖4對(duì)應(yīng)的圖7和圖8來(lái)描述第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式。第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式是本公開內(nèi)容的電子控制裝置中的電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630的位置的變型。在第二和第三實(shí)施方式中，除電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63之外的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的那些結(jié)構(gòu)類似。因此，在以下描述中，用相同的附圖標(biāo)記表示與第一實(shí)施方式的那些部件基本相同的部件，并且將省略它們的描述。
[0086](第二實(shí)施方式)
[0087]在圖7中示出的第二實(shí)施方式的電子控制裝置102中，類似于第一實(shí)施方式，外殼602在電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63中設(shè)置有凹進(jìn)部分635，以在其中容納半導(dǎo)體模塊34。然而，電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630處于比支撐部分65的端面650低一個(gè)臺(tái)階的高度處。因此，從電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630到襯底2的第一距離Dl不為零，而是第一距離Dl為小于控制區(qū)對(duì)應(yīng)部分64的第二距離D2的值。
[0088]第二實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)了與第一實(shí)施方式的效果(1)、(2)、(3)、(5)和(6)相似的效果，除了效果(4)之外。
[0089](第三實(shí)施方式)
[0090]在圖8中示出的第三實(shí)施方式的電子控制裝置103中，與第一和第二實(shí)施方式不同，外殼603在電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63中未設(shè)置有凹進(jìn)部分635。此外，均勻地在電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的整個(gè)區(qū)域上、在對(duì)應(yīng)于第一和第二實(shí)施方式的凹進(jìn)部分635的底面的水平處形成端面630。此外，在第三實(shí)施方式中，從電力區(qū)對(duì)應(yīng)部分63的端面630到襯底2的第一距離Dl短于控制區(qū)對(duì)應(yīng)部分64的第二距離D2。
[0091]第三實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)了與第一實(shí)施方式的效果⑴、⑵、(5)和(6)類似的效果，除了效果⑶和⑷之外。
[0092](第四實(shí)施方式)
[0093]接下來(lái)，將參考圖9和10來(lái)描述本公開內(nèi)容的第四實(shí)施方式。在第四實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式不同，作為電力系統(tǒng)電子元件的電源繼電器和電動(dòng)機(jī)繼電器由半導(dǎo)體繼電器制成，來(lái)替代機(jī)械繼電器。第四實(shí)施方式的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的那