?？蒞使第一工藝氣體在第一方向208上從第一注射器180或從一或多個 加壓層狀出口 304、306、308朝向排氣口 118流過整個處理表面?？蒞使第一工藝氣體在第 一方向208上從第一注射器180平行于基板123的處理表面流動。第一工藝氣體可W包含 一或多種工藝氣體。例如，第一工藝氣體可w包括s甲基嫁。在一些實施方式中，使用加壓 層狀出口 304、306、308注射的氣體可W是例如具有均勻生長率（即緩慢裂解率）的氣體。 [0化0] 在506,可W使第二工藝氣體W向下的角度向下流過高流速出口 302朝向基板123 的處理表面。如W上依據腔室100的實施方式所討論的，向下的角度可為距離垂直約70度 至約90度。第二工藝氣體可W與第一工藝氣體相同或不同。第二工藝氣體可W包含一或 多種工藝氣體。例如，第二工藝氣體可W包括叔了基腫。在一些實施方式中，使用高流速出 口 302注射的氣體可W是例如具有非均勻生長率（即快速裂解率）的氣體。
[0化1] 在508,至少部分地從第一和第二工藝氣體的流動相互作用在基板123的頂部上 沉積層600 (如圖6所圖示）。在一些實施方式中，層600可W具有在約1至約10, 000納米 之間的厚度。在一些實施方式中，層400包含娃和錯。層400中的錯濃度可W在約5至約 100原子百分比（即只有錯）之間。在一個具體的實施方式中，層600為錯濃度在約25至 約45原子百分比之間的娃錯（SiGe)層。
[0化2] 可W通過一或多種處理方法來沉積層600。例如，可W改變第一和第二工藝氣體的 流動速率來訂制層600的厚度和/或組成。此外，可W改變流動速率來調整該層的結晶度。 例如，較高的流動速率可W提高該層的結晶度。其他的工藝變型可W包括在第一和第二工 藝氣體中的一者或兩者流動的同時圍繞中屯、軸200旋轉基板123和/或沿著中屯、軸200移 動基板123。例如，在一些實施方式中，在第一和第二工藝氣體中的一者或兩者流動的同時 旋轉基板123。例如，在一些實施方式中，在第一和第二工藝氣體中的一者或兩者流動的同 時沿著中屯、軸200移動基板123,W調整每個工藝氣體的流動速率。
[0053] 沉積該層的其他變型也是可能的。例如，可交替的或周期的模式中的一者脈 沖化第一和第二工藝氣體。在一些實施方式中，可W通過交替地脈沖化來自第一和第二注 射器180、170中的任一者或兩者的沉積和蝕刻氣體來進行該層的選擇性外延生長。另外， 該第一和第二工藝氣體的脈沖化可W與其他的處理方法結合發(fā)生。例如，該第一和第二工 藝氣體中的一者或兩者的第一脈沖可W沿著中屯、軸200發(fā)生在第一基板位置，然后該第一 和第二工藝氣體中的一者或兩者的第二脈沖可W沿著中屯、軸200發(fā)生在第二基板位置。另 夕F，脈沖化可W與基板圍繞中屯、軸200旋轉一起發(fā)生。
[0化4] 因此，本文中已經公開了在基板上沉積層的方法和設備。本發(fā)明的方法和設備通 過在用于沉積的工藝氣體之間產生流動相互作用而有利地克服了沉積層的厚度和/或組 成不均勻性。本發(fā)明的方法和設備進一步減少沉積層中的缺陷/顆粒形成，并允許訂制沉 積層的厚度和/或組成和//或結晶度。
[0化5] 雖然前述內容是本發(fā)明的實施方式，但在不偏離本發(fā)明的基本范圍下，可設計出 本發(fā)明的其他與進一步的實施方式。
【主權項】
1. 一種用于處理腔室的氣體注射器，包括： 第一組出口，所述第一組出口以一角度提供第一工藝氣體的有角注射至平面表面；和 第二組出口，鄰接所述第一組出口，所述第二組出口大致上沿著所述平面表面提供第 二工藝氣體的加壓層流，所述平面表面正交于所述第二組出口延伸。
2. 如權利要求1所述的氣體注射器，其中所述第一工藝氣體和第二工藝氣體為相同的 氣體物種。
3. 如權利要求1所述的氣體注射器，其中所述第一工藝氣體和第二工藝氣體為不同的 氣體物種。
4. 如權利要求1所述的氣體注射器，其中所述第一組出口位于與所述第二組出口不同 的所述氣體注射器的垂直水平。
5. 如權利要求1所述的氣體注射器，其中所述第一組出口和所述第二組出口位于所述 氣體注射器的一相同的共面水平。
6. 如權利要求1至5中任一項所述的氣體注射器，其中所述第二組出口中的每一出口 包括氣室區(qū)。
7. 如權利要求6所述的氣體注射器，其中每一氣室區(qū)的離開區(qū)域被唇部部分阻擋，以 提高所述第二工藝氣體的壓力和流動均勻性。
8. 如權利要求1至5中任一項所述的氣體注射器，其中所述第一組出口由多個孔所組 成，所述多個孔以一高流速朝向所述平面表面提供所述第一工藝氣體。
9. 一種用于處理基板的設備，包括： 處理腔室，所述處理腔室中具有基板支座，以在所述處理腔室內在所需位置支撐基板 的處理表面； 第一注射器，以在第一方向上在所述基板的所述處理表面上方提供第一工藝氣體； 第二注射器，用以在第二方向上在所述基板的所述處理表面上方提供第二工藝氣體， 所述第二方向與所述第一方向不同，其中所述第二注射器包括一或多個噴嘴，所述一或多 個噴嘴調整所述第三工藝氣體的氣流速度、氣流形狀和氣流方向中的至少一者；和 排氣口，與所述第一注射器相對設置，以從所述處理腔室排出所述第一工藝氣體和第 二工藝氣體。
10. 如權利要求9所述的設備，其中所述一或多個噴嘴為可調整噴嘴，并且其中所述設 備進一步包括一或多個可控制旋鈕，所述一或多個可控制旋鈕調整所述一或多個可調整噴 嘴相對于所述基板的一角度或所述一或多個可調整噴嘴的截面形狀中的至少一者。
11. 如權利要求10所述的設備，其中最適化所述一或多個可調整噴嘴的所述截面形 狀，以在所述基板上鎖定特定半徑區(qū)域。
12. 如權利要求10或11所述的設備，其中最適化所述一或多個可調整噴嘴的所述角 度，以在所述基板上鎖定特定半徑區(qū)域。
13. 如權利要求12所述的設備，其中所述第二注射器包括一個可調整狹縫噴嘴。
14. 如權利要求13所述的設備，其中所述一個可調整狹縫噴嘴在一方位角提供第二氣 體，在所述第一方向和所述第二方向之間相對于所述基板支座的中心軸測量所述方位角為 至多約145度。
15. 如權利要求13所述的設備，其中所述第二注射器包括多個可調整噴嘴，其中所述 多個可調整噴嘴中的第一可調整噴嘴和第二可調整噴嘴中的每一者可由所述一或多個可 控制旋鈕單獨控制，并且其中所述第一可調整噴嘴以與所述第二可調整噴嘴不同的一角度 提供所述第二工藝氣體。
【專利摘要】提供用于在處理腔室中處理基板的設備。在一些實施方式中，用于處理腔室中的氣體注射器包括第一組出口，該第一組出口以一角度提供第一工藝氣體的有角注射至平面表面；和鄰接該第一組出口的第二組出口，該第二組出口大致上沿著該平面表面提供第二工藝氣體的加壓層流，該平面表面正交于該第二組出口延伸。
【IPC分類】H01L21-20
【公開號】CN104756231
【申請?zhí)枴緾N201380055524
【發(fā)明人】劉樹坤, 哲鵬·叢, 穆罕默德·圖格魯利·薩米爾, 葉祉淵, 戴維·K·卡爾森, 李學斌, 埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯, 斯瓦米納坦·斯里尼瓦桑
【申請人】應用材料公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年10月8日
【公告號】US20140137801, WO2014066033A1