非常干凈，只需要采用常規(guī)的去膠、清洗工藝就可以去除光刻膠，降低了采用特殊溶液進行清洗的成本，簡化了工藝。
[0044]本方案當然也可以在刻蝕隔離材料后先去除光刻膠，隨后以隔離材料作為硬掩膜，再次刻蝕去除氮化鉭。
[0045]具體地，本發(fā)明揭示了一種含鉭薄膜的刻蝕工藝，所述含鉭薄膜為氮化鉭薄膜，當然，此方法同樣適用于其他含鉭的薄膜，如圖Ta薄膜，氧化鉭薄膜，含Ta的合金等。所述刻蝕工藝包括如下步驟:
[0046]【步驟SI】基底I上設(shè)有氮化鉭薄膜2，在氮化鉭薄膜2上繼續(xù)沉積一層或者多層的隔離材料3。所述隔離材料3為絕緣材料或?qū)щ姴牧?；如，所述隔離材料為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅材料中的一種或多種。
[0047]【步驟S2】沉積光刻膠4后進行曝光、顯影工藝；
[0048]【步驟S3】采用刻蝕工藝先刻蝕上述的隔離材料3；
[0049]【步驟S4】采用與步驟S3中的刻蝕工藝相同或者不同的工藝參數(shù)刻蝕氮化鉭薄膜2,而后去除光刻膠；
[0050]或者，在刻蝕隔離材料3后先去除光刻膠4，隨后以隔離材料3作為硬掩膜，再次刻蝕去除氮化鉭薄膜2。
[0051]實施例二
[0052]本實施例揭示一種帶有立體結(jié)構(gòu)的氮化鉭(可以是其他含鉭等材料)薄膜刻蝕方法；具體包括如下步驟:
[0053]【步驟S0】如圖5所示，在基底101的表面沉積有絕緣材料以及功能材料，功能材料包括存儲材料或/和傳感材料，如所述功能材料包括相變材料(如GeSbTe等)或者磁材料(如AMR、GMR和TMR材料，下文以NiFe合金為代表)?；咨闲纬捎邪伎?02。如圖6所示，沉積氮化鉭材料，形成氮化鉭薄膜103 ；
[0054]【步驟SI】請參閱圖7，在氮化鉭薄膜103上繼續(xù)沉積一層或者多層的隔離材料104。所述隔離材料104為絕緣材料或?qū)щ姴牧希蝗?，所述隔離材料104為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅材料中的一種或多種。
[0055]【步驟S2】刻蝕進行圖形化，刻蝕后材料表面因為隔離材料存在比較干凈，如圖8所示。得到表面干凈，不僅有利于簡化工藝、降低制造成本，而且有助于提高如磁傳感器等器件的電接觸性能，提高器件的良率和性能。
[0056]綜上所述，本發(fā)明提出的含鉭薄膜的刻蝕工藝，可以保證刻蝕后薄膜表面潔凈，保障后續(xù)工藝的順利和性能(如接觸)的可靠。同時，本發(fā)明工藝穩(wěn)定可靠且成本低。
[0057]這里本發(fā)明的描述和應(yīng)用是說明性的，并非想將本發(fā)明的范圍限制在上述實施例中。這里所披露的實施例的變形和改變是可能的，對于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說實施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或本質(zhì)特征的情況下，本發(fā)明可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實現(xiàn)。在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下，可以對這里所披露的實施例進行其它變形和改變。
【主權(quán)項】
1.一種含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于，所述含鉭薄膜為氮化鉭薄膜；所述刻蝕工藝包括: 步驟so、在基底的表面沉積有絕緣材料以及功能材料，功能材料包括存儲材料及傳感材料；基底上形成有凹坑；沉積氮化鉭材料，形成氮化鉭薄膜； 步驟S1、在氮化鉭薄膜上繼續(xù)沉積一層或者多層的隔離材料， 步驟S2、沉積光刻膠后進行曝光、顯影工藝； 步驟S3、采用刻蝕工藝先刻蝕上述的隔離材料； 步驟S4、采用與步驟S3中的刻蝕工藝相同或者不同的工藝參數(shù)刻蝕氮化鉭材料，而后去除光刻膠； 或者，在刻蝕隔離材料后先去除光刻膠，隨后以隔離材料作為硬掩膜刻蝕氮化鉭。
2.一種含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于，所述刻蝕工藝包括: 步驟S1、在含鉭薄膜上沉積一層或者多層的隔離材料； 步驟S2、刻蝕隔離材料及含鉭薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述步驟S2具體包括: 步驟S21、沉積光刻膠后進行曝光、顯影工藝； 步驟S22、采用刻蝕工藝先刻蝕上述的隔離材料； 步驟S23、采用與步驟S22中的刻蝕工藝相同或者不同的工藝參數(shù)刻蝕含鉭薄膜，而后去除光刻膠； 或者，在刻蝕隔離材料后先去除光刻膠，隨后以隔離材料作為硬掩膜，再次刻蝕去除含鉭薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述步驟S2包括:刻蝕形成需要的圖形，包括存儲器或/和傳感器所需的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述隔離材料為絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?br>6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述隔離材料為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅材料中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述刻蝕工藝還包括步驟SO、在基底的表面沉積有絕緣材料以及功能材料，功能材料包括存儲材料或/和傳感材料；基底上形成有凹坑；沉積含鉭材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述功能材料為磁性材料，包括各向異性磁阻材料AMR、巨磁阻材料GMR、TMR中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述功能材料包括GeSbTe或者NiFe合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含鉭薄膜的刻蝕工藝，其特征在于: 所述含鉭薄膜為氮化鉭薄膜。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種含鉭薄膜的刻蝕工藝，所述刻蝕工藝包括：步驟S1、在含鉭薄膜上沉積一層或者多層的隔離材料；步驟S2、采用光刻工藝，刻蝕隔離材料及含鉭薄膜。所述步驟S2具體包括：步驟S21、沉積光刻膠后進行曝光、顯影工藝；步驟S22、采用刻蝕工藝先刻蝕上述的隔離材料；步驟S23、采用與步驟S22中的刻蝕工藝相同或者不同的工藝參數(shù)刻蝕含鉭薄膜，而后去除光刻膠；或者，在刻蝕隔離材料后先去除光刻膠，隨后以隔離材料作為硬掩膜，再次刻蝕去除含鉭薄膜。本發(fā)明提出的含鉭薄膜的刻蝕工藝，可以保證刻蝕后此薄膜表面潔凈，保障后續(xù)工藝的順利和性能（如接觸）的可靠。同時，本發(fā)明工藝穩(wěn)定可靠且成本低。
【IPC分類】H01L21-02
【公開號】CN104766783
【申請?zhí)枴緾N201410008765
【發(fā)明人】張挺, 邱鵬, 楊鶴俊, 王宇翔
【申請人】上海矽?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年7月8日
【申請日】2014年1月8日