Tft的制作方法及tft、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT的制作方法及TFT、陣列基板、顯示
目.ο
【背景技術(shù)】
[0002]目前，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，以下簡稱IXD)或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting Display，以下簡稱0LED)相比于陰極射線管(CathodeRay Tube，以下簡稱CRT)顯示器具有體積小、重量輕、功耗小、色彩鮮艷、圖像逼真等優(yōu)勢(shì)，因而IXD或OLED在平板顯示技術(shù)中已經(jīng)逐步取代CRT顯示器，并開始廣泛的應(yīng)用于電視屏幕、手機(jī)屏幕、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]通常，LCD或OLED中設(shè)有一塊薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下簡稱TFT)陣列基板，TFT陣列基板包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)有一個(gè)TFT，TFT作為開關(guān)器件用于控制對(duì)應(yīng)的像素單元的狀態(tài)。通常，大面積和高分辨率的LCD和OLED在使用時(shí)要求各個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)的TFT具有較快的開關(guān)速度，因而對(duì)TFT中的電極的導(dǎo)電性提出較高的要求。
[0004]然而，目前TFT中的電極通常采用導(dǎo)電性較好的單質(zhì)金屬作電極材料，構(gòu)成TFT中的電極的單質(zhì)金屬在后續(xù)的工藝中容易被氧化，從而導(dǎo)致TFT中的電極的導(dǎo)電性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT的制作方法，用于改善TFT中的電極的導(dǎo)電性。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種TFT的制作方法，包括:
[0008]在襯底基板上形成柵極的圖形；
[0009]在所述襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0010]形成源極和漏極的圖形，所述源極和所述漏極位于所述柵極絕緣層上方；
[0011]所述制作方法還包括:
[0012]在所述柵極、所述源極或/和所述漏極的表面各形成一層防氧化的所述金屬保護(hù)層O
[0013]優(yōu)選地，所述金屬保護(hù)層為單質(zhì)金屬保護(hù)層，所述柵極、所述源極或/和所述漏極為單質(zhì)金屬電極，且形成所述單質(zhì)金屬電極的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性高于對(duì)應(yīng)的所述金屬保護(hù)層的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性。
[0014]優(yōu)選地，所述金屬保護(hù)層的形成過程為:將形成有所述單質(zhì)金屬電極的所述襯底基板浸入含有與所述金屬保護(hù)層的單質(zhì)金屬對(duì)應(yīng)的金屬離子的溶液中，所述單質(zhì)金屬電極的表面的單質(zhì)金屬與溶液中的金屬離子之間發(fā)生置換反應(yīng)，在所述單質(zhì)金屬電極的表面形成所述金屬保護(hù)層。
[0015]較佳地，所述柵極、所述源極和所述漏極的表面各形成一層所述金屬保護(hù)層，且所述柵極、所述源極和所述漏極均為單質(zhì)金屬電極，形成所述柵極、所述源極和所述漏極的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性高于形成所述金屬保護(hù)層的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性；
[0016]在所述柵極的表面形成一層防氧化的所述金屬保護(hù)層的步驟包括:
[0017]將形成有所述柵極的所述襯底基板浸入含有與所述金屬保護(hù)層的單質(zhì)金屬對(duì)應(yīng)的金屬離子的溶液中，所述柵極的表面的單質(zhì)金屬與溶液中的金屬離子之間發(fā)生置換反應(yīng)，在所述柵極的表面形成所述金屬保護(hù)層；
[0018]在所述源極和所述漏極的表面各形成所述金屬保護(hù)層的步驟包括:
[0019]將形成有所述源極和所述漏極的所述襯底基板浸入含有與所述金屬保護(hù)層的單質(zhì)金屬對(duì)應(yīng)的金屬離子的溶液中，通過所述源極和所述漏極的表面的單質(zhì)金屬與溶液中的金屬離子之間的置換反應(yīng)，在所述源極和所述漏極的表面各形成所述金屬保護(hù)層。
[0020]較佳地，所述柵極、所述源極和所述漏極均為銅電極；所述金屬保護(hù)層為銀保護(hù)層O
[0021]進(jìn)一步地，當(dāng)所述襯底基板上形成有公共電極時(shí)，在所述襯底基板上形成所述柵極的圖形的步驟具體包括:
[0022]在所述襯底基板上逐層依次沉積透明導(dǎo)電層和材料為單質(zhì)金屬的柵極金屬層；
[0023]通過構(gòu)圖工藝，在所述柵極金屬層形成材料為單質(zhì)金屬的所述柵極的圖形，在所述透明導(dǎo)電層形成所述公共電極的圖形；
[0024]將形成有所述公共電極和所述柵極的所述襯底基板放入退火爐中，對(duì)所述公共電極進(jìn)行退火；
[0025]將完成對(duì)所述公共電極退火后的所述襯底基板浸入溶液中，溶液中含有化學(xué)活性比形成所述柵極的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性低的單質(zhì)金屬對(duì)應(yīng)的金屬離子，將材料為單質(zhì)金屬的所述柵極置換為材料為溶液中的金屬離子對(duì)應(yīng)的單質(zhì)金屬的所述柵極。
[0026]進(jìn)一步地，在所述襯底基板上沉積柵極絕緣層之后、在形成所述源極和所述漏極之前還包括:
[0027]在所述柵極絕緣層上形成有源層的圖形，所述源極和所述漏極位于所述有源層上。
[0028]本發(fā)明提供的TFT的制作方法中，由于在柵極、源極或/和漏極的表面形成有一層保護(hù)層，因此，在后續(xù)的制作TFT的過程中，避免了柵極、源極或/和漏極的表面暴露在外，因而避免了柵極、源極或/和漏極的表面的氧化，從而有效地改善了 TFT中的電極的導(dǎo)電性。
[0029]本發(fā)明的另一目的在于提供一種TFT，用于改善TFT中的電極的導(dǎo)電性。
[0030]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0031]—種TFT，所述TFT采用上述技術(shù)方案所述的TFT的制作方法制得，所述TFT包括:設(shè)置在襯底基板上的柵極，覆蓋所述柵極和所述襯底基板的柵極絕緣層，以及位于所述柵極絕緣層上方的源極和漏極，所述源極和所述漏極同層設(shè)置；其中，在所述柵極、所述源極或/和所述漏極的表面各覆蓋有一層防氧化的金屬保護(hù)層。
[0032]優(yōu)選地，所述金屬保護(hù)層為單質(zhì)金屬保護(hù)層，所述柵極、所述源極或/和所述漏極為單質(zhì)金屬電極，且形成所述單質(zhì)金屬電極的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性高于對(duì)應(yīng)的所述金屬保護(hù)層的單質(zhì)金屬的化學(xué)活性。
[0033]較佳地，所述柵極、所述源極和所述漏極的表面各覆蓋有一層所述金屬保護(hù)層，且所述柵極、所述源極和所述漏極均為銅電極；所述金屬保護(hù)層為銀保護(hù)層。
[0034]進(jìn)一步地，所述襯底基板上設(shè)有公共電極，所述公共電極與所述柵極同層設(shè)置且相互絕緣。
[0035]所述TFT與上述技術(shù)方案所述的TFT的制作方法相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。
[0036]本發(fā)明的另一目的在于提供一種陣列基板，用于改善TFT中的電極的導(dǎo)電性。
[0037]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0038]一種陣列基板，所述陣列基板設(shè)置有呈陣列狀排列的上述技術(shù)方案所述的TFT。
[0039]所述陣列基板與上述技術(shù)方案所述的TFT相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。
[0040]本發(fā)明的另一目的在于提供一種顯示裝置，用于改善TFT中的電極的導(dǎo)電性。
[0041]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0042]一種顯示裝置，所述顯示裝置設(shè)置有上述技術(shù)方案所述的陣列基板。
[0043]所述顯示裝置與上述技術(shù)方案所述的陣列基板相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。
【附圖說明】
[0044]此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0045]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的制作方法的流程圖；
[0046]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種柵極的制作方法的流程圖；