發(fā)光裝置和顯示器的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明揭露一種發(fā)光裝置和顯示器，特別是一種包含提高光取出率光學粒子的發(fā) 光裝置W及具有此發(fā)光裝置的顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002] 顯示器的發(fā)光元件可W是一種由半導體材料制作而成的發(fā)光二極管（Li曲t Emitting Diode, LED),也可W是另一種由有機材料制作而成的有機發(fā)光二極管Organic Li曲t血itting Diode，0LED)。其中，發(fā)光二極管因其具有耗電量低、元件壽命長、反應時 間短（fast response time)、體積小等優(yōu)點，因此隨著技術(shù)不斷地進步，發(fā)光二極管被廣泛 地應用于顯示器的背光模塊。而有機發(fā)光二極管則具有廣視角、高對比度、低耗電、高反應 速率、全彩化、可提性等優(yōu)點，故被視為運用于顯示器的最具有潛力的發(fā)光元件。
[0003] 然而，目前使用發(fā)光二極管或有機發(fā)光二極管作為發(fā)光元件的顯示器普遍存在發(fā) 光效率不佳而導致亮度偏低的問題。其中造成發(fā)光效率不佳的原因，乃是由于發(fā)光元件所 發(fā)射的光線僅有少部分可W出射至顯示器外部，而其余的光線則會因為被顯示器內(nèi)的封裝 結(jié)構(gòu)反射而被吸收。
[0004] 目前雖有部分業(yè)者在封裝結(jié)構(gòu)上增加一光取出層來避免光線被封裝結(jié)構(gòu)反射，然 而由于光取出層和顯示器外部的折射率變化過大，因而大幅阻礙光線自光取出層出射至顯 示器外部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于W上的問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置和包含此發(fā)光裝置的顯示器，藉W改 善光取出層和顯示器外部的折射率變化過大而大幅阻礙光線自光取出層出射至顯示器外 部的問題。
[0006] 本發(fā)明所揭露的發(fā)光裝置包含基板、光源組件、光取出層和第一光學粒子。光源組 件包含發(fā)光元件與封裝結(jié)構(gòu)。發(fā)光元件設置于基板。發(fā)光元件具出光面，且封裝結(jié)構(gòu)設置于 出光面。光取出層設置于光源組件的封裝結(jié)構(gòu)。光取出層具相對的第一表面和第二表面， 且第二表面面向光源組件。第一光學粒子嵌設于光取出層并且突出于第一表面。第一光學 粒子具第一折射率，光取出層具一第二折射率，且封裝結(jié)構(gòu)具一第=折射率。第一折射率大 于空氣的折射率，且第二折射率大于第一折射率與第=折射率。
[0007] 本發(fā)明所另揭露的顯示器包含前述的發(fā)光裝置、黏著層W及偏光片，黏著層設置 于光取出層的第一表面。偏光片設置于黏著層。
[000引根據(jù)本發(fā)明所揭露的發(fā)光裝置W及包含此發(fā)光裝置的顯示器，當光源組件產(chǎn)生的 光線自光取出層出射至發(fā)光裝置外部時，部分光線先自光取出層入射至第一光學粒子中， 接著再從第一光學粒子入射至發(fā)光裝置外部。由于光取出層的第二折射率大于第一光學粒 子的第一折射率，且第一折射率大于空氣的折射率，因此發(fā)光裝置于第一表面具有較為緩 和的折射率變化，有助于避免光線自光取出層入射至發(fā)光裝置外部時產(chǎn)生全反射，進一步 提升發(fā)光裝置的光取出效率。
[0009]W上的關(guān)于本
【發(fā)明內(nèi)容】
的說明及W下的實施方式的說明用W示范與解釋本發(fā)明 的原理，并且提供本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍更進一步的解釋。
【附圖說明】
[0010] 圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0011] 圖2為第1圖的局部放大示意圖；
[0012] 圖3為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光元件產(chǎn)生的光線出射至發(fā)光裝置外部光路 徑示意圖；
[0013] 圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0014] 圖5為根據(jù)本發(fā)明第S實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0015] 圖6為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0016] 圖7為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0017] 圖8為根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[001引圖9為根據(jù)本發(fā)明第走實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0019] 圖10為根據(jù)本發(fā)明第八實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖；
[0020] 圖11為應用本發(fā)明任一實施例的發(fā)光裝置的顯示器的立體示意圖。
[0021] 其中，附圖標記：
[0022] 1 顯示器
[002引 10 發(fā)光裝置
[0024] 10a 基板
[002引 20 偏光片
[0026]30 黏著層
[0027]100光源組件
[00測 110發(fā)光元件
[0029]111出光面
[0030]120封裝結(jié)構(gòu)
[0031]121第一封裝層
[0032] 122第二封裝層
[0033]121a第一頂面
[0034]1210抗反射結(jié)構(gòu)
[0035]122a第二頂面
[0036] 123緩沖層
[0037]200光取出層 [003引210第一表面
[0039]220第二表面
[0040]300第一光學粒子
[0041] 400第二光學粒子
[0042] 500側(cè)邊
[0043] B 光線
[0044] P 第一光學粒子的粒徑
[0045] VI 第一光學粒子的本體積
[0046] V2 第一光學粒子的突出體積
【具體實施方式】
[0047] W下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征W及優(yōu)點，其內(nèi)容足W使任何熟悉 本領域的相關(guān)技術(shù)人員了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)W實施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi) 容、權(quán)利要求的保護范圍及圖式，任何熟悉本領域的相關(guān)技術(shù)人員可輕易地理解本發(fā)明相 關(guān)的目的及優(yōu)點。W下的實施例進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但非W任何觀點限制本發(fā) 明的范疇。
[0048] 請參照圖1。圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光裝置的剖切示意圖。在本實施 例中，發(fā)光裝置10包含一基板10a、一光源組件100、一光取出層200和多個第一光學粒子 300。
[0049] 基板10a的材質(zhì)例如為塑料或玻璃。
[0化0] 光源組件100設置于基板10a，并且包含一發(fā)光元件110和一封裝結(jié)構(gòu)120。發(fā)光 元件110例如為有機發(fā)光二極管，其具有一出光面111。封裝結(jié)構(gòu)120設置于發(fā)光元件110 的出光面111，并且包覆發(fā)光元件110。詳細來說，封裝結(jié)構(gòu)120包含多個第一封裝層121 W及多個第二封裝層122。該些第一封裝層121和該些第二封裝層122交互堆找，并且相 鄰的第一封裝層121與第二封裝層122直接接觸。最靠近發(fā)光元件110的第一封裝層121 設置于出光面111并且完全包覆發(fā)光元件110。在本實施例中，封裝結(jié)構(gòu)120為無機膜和有 機膜相互多層堆找而形成的一薄膜封裝結(jié)構(gòu)（ThinFilmEncapsulation，町E)，并且封裝 結(jié)構(gòu)120的厚度大于等于1微米（ym)，并小于等于5微米。進一步來說，在本實施例中，封 裝結(jié)構(gòu)120為了滿足良好除水氧效果的需求而包含多個第一封裝層121W及多個第二封裝 層122,但本發(fā)明并不W此為限。在其他實施例中，第一封裝層121W及第二封裝層122的 數(shù)量可作調(diào)整，其詳細內(nèi)容將于后續(xù)進一步說明。
[0051]光取出層200的材料例如為環(huán)氧樹脂巧poxy)、聚甲基丙締酸甲醋 (ac巧lie,PMMA)、娃（Silicon)、對苯二甲酸己二醋（PET)、聚蒙酸己醋（陽腳、聚碳酸醋 (PC)、聚酷亞胺（PI)、或氧化銅錫（IT0)。又或者，光取出層200的材料可為一有機無機復 合材料，且該有機無機復合材料為氧化鐵-S甲氧基甲娃烷基丙基丙締酸醋（TiOx-MSMA)。 另外，光取出層200的厚度大于等于0. 1微米，且小于等于30微米。
[0化2] 光取出層200具有相對的一第一表面210和一第二表面220。第二表面220面向 光源組件100,且封裝結(jié)構(gòu)120的一外表面直接接觸光取出層200的第二表面220。詳細來 說，最靠近光取出層200的第一封裝層121和最靠近光取出層200的第二封裝層122分別 具有朝向光取出層200的一第一頂面121a和一第二頂面122a。最靠近光取出層200的第 一封裝層121直接接觸最靠近光取出層200的第二封裝層122的第二頂面122a，并且完全 覆蓋第二頂面122a。光