[0168] 根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的熱塑性體系包含W下作為組分：
[0169] 1.熱塑性聚合物；
[0170] 2.溶劑。
[0171] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，優(yōu)選熱塑性體系在加熱和冷卻至在熱塑性聚合物的烙 融溫度W下的任何溫度時(shí)不顯示出硬度的任何熱滯后。
[0172] 熱塑性聚合物
[0173] 熱塑性聚合物是技術(shù)人員熟知的，并且他可使用他認(rèn)為適于增強(qiáng)漿料或所得電極 的有利性能，特別是漿料的固化能力和電極與基質(zhì)之間的電接觸的任何熱塑性聚合物。優(yōu) 選的熱塑性聚合物顯示出在光伏太陽(yáng)能電池的晶片上的良好附著力，在光伏太陽(yáng)能電池操 作條件下是化學(xué)穩(wěn)定的W確保光伏太陽(yáng)能電池的長(zhǎng)操作時(shí)間，應(yīng)在光伏太陽(yáng)能電池的操作 溫度下不烙融，且應(yīng)不特別危害光伏太陽(yáng)能電池的Ag電極的導(dǎo)電性。
[0174] 優(yōu)選的熱塑性聚合物為線性均聚物和共聚物。在本發(fā)明上下文中優(yōu)選的熱塑性聚 合物為選自下列的一種或多種；PVB(聚己締醇縮了醒）；PE(聚己締）；PP(聚丙締）、PS(聚 苯己締）；ABS(丙締膳、了二締和苯己締的共聚物）；PA(聚酷胺）；PC(聚碳酸醋）；聚醋， 優(yōu)選來(lái)自Bostik，Inc.的Vitel2700B;聚丙締酸醋，優(yōu)選來(lái)自DowQiemical的Paraloid B44 ;苯氧基聚合物，優(yōu)選來(lái)自In化emCorp的PKffiL
[0175] 熱塑性體系中的溶劑
[0176] 熱塑性體系中的溶劑優(yōu)選為熱塑性體系的組分，其在加熱期間顯著程度地除去， 優(yōu)選在加熱W后W與加熱W前相比降低至少約80%，優(yōu)選與加熱W前相比降低至少約 95%的絕對(duì)重量存在的那些。
[0177] 根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的溶劑為容許形成具有有利粘度、可印性、穩(wěn)定性和粘附特征且 得到具有有利導(dǎo)電性和與基質(zhì)的電接觸的電極的導(dǎo)電漿料的那些。溶劑是本領(lǐng)域技術(shù) 人員熟知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員已知且其認(rèn)為適合本發(fā)明的所有溶劑可用作有機(jī)載體中 的溶劑。根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的溶劑為容許實(shí)現(xiàn)如上所述導(dǎo)電漿料的優(yōu)選高水平可印性的 那些。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的溶劑為在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境溫度和壓力（SATPH298. 15K，25°C，77 了）， lOOkPa (14. 504psi，0. 986atm)下W液體存在的那些，優(yōu)選具有約90°C W上的沸點(diǎn)和 約-20°CW上的烙點(diǎn)的那些。
[0178] 用于熱塑性體系的優(yōu)選溶劑為差氨鍵鍵合溶劑或中等氨鍵鍵合溶劑。
[0179] 優(yōu)選的差氨鍵鍵合溶劑為芳族、脂族或面代溶劑。優(yōu)選的差氨鍵鍵合溶劑為 具有約8. 5至約12的Hildebrand參數(shù)的那些，優(yōu)選苯化ildebrand參數(shù)9. 2)、單氯苯 化ildebrand參數(shù)9. 5)或2-硝基丙烷化ildebrand參數(shù)10. 7)。
[0180] 優(yōu)選的中等氨鍵鍵合溶劑為包含醋、離或酬的溶劑。優(yōu)選的中等氨鍵鍵合溶劑為 具有約8. 3至約10. 5的Hildebrand參數(shù)的那些，優(yōu)選THF(四氨快喃-Hildebrand參數(shù) 9. 8)、環(huán)己酬化ildebrand參數(shù)9. 9)或己酸正了醋化ildebrand參數(shù)8. 0)。
[0181] W下也是用于熱塑性體系的優(yōu)選溶劑；DMPUa，3-二甲基-3, 4, 5, 6-四 氨-2 (1H)-喀晚酬）、異十S燒醇、二氯甲燒、HMPT(六甲基磯酷胺）、DMS0(二甲亞諷）、二 巧巧完、甲基纖維素、己酸纖維素、MEK(甲己酬）、丙酬、硝基己燒、二甲苯、甲苯、solvesso、 NMP(N-甲基-2-化咯燒酬）、二醇離、二醇醋。
[0182] 導(dǎo)電漿料中的添加劑
[0183] 在本發(fā)明上下文中優(yōu)選的添加劑為除明確提到的其它組分外，加入導(dǎo)電漿料中的 組分，其貢獻(xiàn)于導(dǎo)電漿料、其生產(chǎn)的電極或所得太陽(yáng)能電池的提高的性能。本領(lǐng)域技術(shù)人員 已知且他認(rèn)為適于本發(fā)明上下文的所有添加劑可用作導(dǎo)電漿料中的添加劑。除了存在于載 體中的添加劑之外，添加劑還可存在于導(dǎo)電漿料中。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的添加劑為觸變劑、粘 度調(diào)節(jié)劑、乳化劑、穩(wěn)定劑或抑調(diào)節(jié)劑、增稠劑和分散劑，或其至少兩種的組合。
[0184] 自由基生成劑
[01化]在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，自由基生成劑另外包含在漿料中。自由基生成劑是技 術(shù)人員熟知的，并且技術(shù)人員可選擇適于產(chǎn)生有利性能如硬化和/或附著的自由基生成 劑。非常通常，硬化和附著通過(guò)交聯(lián)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)，優(yōu)選基于至少2個(gè)雙鍵每待交聯(lián)分子，優(yōu)選 由生成劑引發(fā)。在本發(fā)明上下文中優(yōu)選的自由基生成劑為引發(fā)上述聚合物中的自由基鏈反 應(yīng)，優(yōu)選交聯(lián)鏈反應(yīng)的那些。優(yōu)選的自由基生成劑為過(guò)氧化物，優(yōu)選有機(jī)過(guò)氧化物；和偶氮 化合物，優(yōu)選有機(jī)偶氮化合物。
[0186] 在本發(fā)明另一實(shí)施方案中，熱固性體系不需要自由基生成劑。引發(fā)熱固化方法的 可選方式包括加熱或者暴露于光或其它電磁福射，例如電子束福射或UV福射下。
[0187] 太陽(yáng)能電池前體
[0188] 對(duì)實(shí)現(xiàn)上述目的中的至少一個(gè)的貢獻(xiàn)由太陽(yáng)能電池前體做出。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的 太陽(yáng)能電池前體包括W下：
[0189] 1.晶片，優(yōu)選娃片，優(yōu)選mT型晶片，
[0190] 2.本發(fā)明漿料；
[0191] 其中漿料位于晶片的至少一個(gè)表面上或者至少一個(gè)表面W上。漿料可W與娃片物 理接觸，或者作為選擇它可w與存在于娃片與漿料之間的一個(gè)或多個(gè)其它層的最外層如透 明導(dǎo)電層或物理保護(hù)層接觸。
[0192] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，除本發(fā)明漿料外，一種或多種其它漿料存在于晶片上。
[0193] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，前體為MWT電池的前體。在該實(shí)施方案中，優(yōu)選存在連 接晶片的正面和背面的通道。本發(fā)明漿料優(yōu)選與通道的表面接觸，或者在不同于該表面或 通道或二者的表面上。
[0194] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，太陽(yáng)能電池前體為n型太陽(yáng)能電池的前體。在該實(shí)施 方案的一個(gè)方面中，對(duì)應(yīng)于n-滲雜層的晶片的體積比例大于對(duì)應(yīng)于P型層的。在該實(shí)施方 案的另一方面中，晶片的正面，有時(shí)稱為陽(yáng)面為P型滲雜的。在該實(shí)施方案的另一方面中， 晶片的背面為n型滲雜的。
[0195] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，太陽(yáng)能電池前體為P型太陽(yáng)能電池的前體。在該實(shí)施 方案的一個(gè)方面中，對(duì)應(yīng)于P-滲雜層的晶片的體積比例大于對(duì)應(yīng)于n型層的。在該實(shí)施方 案的另一方面中，晶片的正面，有時(shí)稱為陽(yáng)面為n型滲雜的。在該實(shí)施方案的另一方面中， 晶片的背面為P型滲雜的。
[0196] HIT型太陽(yáng)能電池前體是本發(fā)明上下文中優(yōu)選的。在該實(shí)施方案的一個(gè)方面中，晶 片包含至少一個(gè)無(wú)定形Si層。優(yōu)選至少一個(gè)無(wú)定形Si層為n型滲雜的。優(yōu)選至少一個(gè)無(wú) 定形Si層為P型滲雜的。優(yōu)選至少一個(gè)或多于一個(gè)，優(yōu)選2個(gè)無(wú)定形Si層為本征（非滲 雜）的。優(yōu)選，晶片包含至少一個(gè)結(jié)晶層，優(yōu)選為n型滲雜或P型滲雜的，優(yōu)選n型滲雜的。
[0197] 在太陽(yáng)能電池前體的制備中，優(yōu)選溫度保持為低的，優(yōu)選100°CW下，更優(yōu)選約 80°CW下，最優(yōu)選約60°CW下。
[019引生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的方法
[0199] 對(duì)實(shí)現(xiàn)上述目的中的至少一個(gè)的貢獻(xiàn)由生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的方法實(shí)現(xiàn)，所述方法至 少包括W下作為工藝步驟：
[0200] U提供如上所述，特別是將上述實(shí)施方案中的任一個(gè)組合的太陽(yáng)能電池前體訊
[0201] ii)將太陽(yáng)能電池前體加熱W得到太陽(yáng)能電池。
[0202] 優(yōu)選步驟i)中的溫度不超過(guò)100°C，優(yōu)選80°C，優(yōu)選60°C。
[0203] 印刷
[0204] 根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選電極各自如下施用；施用導(dǎo)電漿料，然后將導(dǎo)電漿料加熱W得到 附著體。導(dǎo)電漿料可WW該領(lǐng)域技術(shù)人員已知且其認(rèn)為適合本發(fā)明的任何方式施用，包括 但不限于浸潰、浸沒、傾注、滴涂、注射、噴霧、刮涂、幕涂、刷涂或印刷，或者其至少兩種的組 合，其中優(yōu)選的印刷技術(shù)為噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、移?。╰amponprinting)、膠版印刷、凸版 印刷或縷空版印刷，或其至少兩種的組合。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選導(dǎo)電漿料通過(guò)印刷，優(yōu)選通過(guò)絲 網(wǎng)印刷施用。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選網(wǎng)具有直徑為約20至約100ym，更優(yōu)選約30至約80ym，最 優(yōu)選約40至約70ym的網(wǎng)孔。如太陽(yáng)能電池前體部分中所詳述的，優(yōu)選將導(dǎo)電漿料施用于 如本發(fā)明所述的通道上。用于形成正面和背面電極的導(dǎo)電漿料可W與通道中所用漿料相同 或不同，優(yōu)選不同，并且可W彼此相同或不同。
[0205] 優(yōu)選印刷不在高溫下，優(yōu)選在100°CW下，更優(yōu)選約80°CW下，更優(yōu)選約50°CW下 進(jìn)行。
[0206] 加熱
[0207] 根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選電極通過(guò)首先施用導(dǎo)電漿料，然后將所述導(dǎo)電漿料加熱W得到固 體電極體而形成。加熱是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的，并且可他已知且其認(rèn)為適合本發(fā)明 的任何方式進(jìn)行。
[020引根據(jù)本發(fā)明，用于加熱的最大溫度設(shè)置為約250°CW下，優(yōu)選約230°CW下，更優(yōu) 選約210°CW下。與約l00°C-樣低的加熱溫度用于得到太陽(yáng)能電池。
[0209] 正面和背面上的導(dǎo)電漿料的加熱可同時(shí)或順序地進(jìn)行。如果導(dǎo)電漿料具有類似， 優(yōu)選相同的最佳加熱條件，則同時(shí)加熱是合適的。如果合適的話，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選加熱同時(shí) 進(jìn)行。
[0210] 太陽(yáng)能電池
[0211] 對(duì)實(shí)現(xiàn)上述目的中的至少一個(gè)的貢獻(xiàn)由可通過(guò)本發(fā)明方法得到的太陽(yáng)能電池做 出。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的太陽(yáng)能電池為在轉(zhuǎn)化成電能輸出的總?cè)肷涔饽艿谋壤矫婢哂懈咝?率并且為輕且耐久的那些。
[0212] 抗反射涂層
[0213] 根據(jù)本發(fā)明，抗反射涂層可在將電極應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的正面W前作為外層，通 常作為最外層施用。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的抗反射涂層為降低通過(guò)正面反射的入射光比例并提 高越過(guò)正面W被晶片吸收的入射光比例的那些。產(chǎn)生有利的吸收/反射比，容易通過(guò)所用 導(dǎo)電漿料蝕刻，但是另外對(duì)導(dǎo)電漿料加熱所需的溫度具有抗性，且不貢獻(xiàn)電極界面附近提 高的電子和空穴重組的抗反射涂層是有利的?？墒褂帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知且其認(rèn)為適合 本發(fā)明的所有抗反射涂層。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的抗反射涂層為SiN,、Si02、Al203、Ti02或者其 中至少兩種的混合物和/或其至少兩層的組合，其中特別優(yōu)選SiNy，如果使用Si片的話特 別如此。特別是對(duì)于HIT電池，金屬氧化物可用作抗反射涂層。優(yōu)選的氧化物為氧化銅錫 (ITO)、氣滲雜氧化錫（FTO)或滲雜氧化鋒，優(yōu)選氧化銅錫。
[0214] 抗反射涂層的厚度適于合適光的波長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選抗反射涂層具有約30至 約500皿，更優(yōu)選約50至約400皿，最優(yōu)選約80至約300皿的厚度。
[0215] 純化層
[0216] 根據(jù)本發(fā)明，在電極W前或者在抗反射層（如果存在的話）W前，一個(gè)或多個(gè)純化 層可作為外層或者作為最外層施用于正面和/或背面上。優(yōu)選的純化層為降低電極界面附 近電子/空穴重組速率的那些?？墒褂帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知且其認(rèn)為適合本發(fā)明的任何純 化層。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的純化層為氮化娃、二氧化娃和二氧化鐵，最優(yōu)選氮化娃。根據(jù)本發(fā) 明，優(yōu)選純化層具有約0. 1皿至約2ym，更優(yōu)選約1皿至約1ym，最優(yōu)選約5皿至約200皿 的厚度。對(duì)于HIT電池，優(yōu)選本征Si層充當(dāng)純化層。抗反射涂層和純化層的功能可至少部 分或完全組合在一個(gè)層中。
[0217] 透明導(dǎo)電層
[0218] 在本發(fā)明上下文中優(yōu)選的透明導(dǎo)電層為在娃層上或者在娃層W上的具有高透明 度和導(dǎo)電率的層。具有400nm的波長(zhǎng)的光通過(guò)該層的透射率優(yōu)選為約50%W上，更優(yōu)選 約80%W上，最優(yōu)選約90%W上。該層的導(dǎo)電率優(yōu)選為約l*l(T4Q^icnriW上，更優(yōu)選約 5*1〇-3〇-1畑1-1^上，最優(yōu)選約5*1〇-2〇-1畑1-咱上。
[0219] 透明導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選為約30至約500nm，更優(yōu)選約50至約400nm，最優(yōu)選約80 至約300nm。
[0220] 透明導(dǎo)電材料是技術(shù)人員熟知的并且技術(shù)人員可選擇材料W改進(jìn)太陽(yáng)能電池的 有利性能，例如導(dǎo)電率、透明度和附著力。優(yōu)選的材料為氧化物、導(dǎo)電聚合物或碳納米管基 導(dǎo)體，優(yōu)選氧化物。優(yōu)選的氧化物為氧化銅錫（ITO)、氣滲雜氧化錫（FTO)或滲雜氧化鋒，優(yōu) 選氧化銅錫。優(yōu)選的導(dǎo)電聚合物為具有共輛雙鍵的有機(jī)化合物，優(yōu)選聚己訣、聚苯胺、聚化 咯或聚唾吩，或其衍生物，或者其組合。
[0221] 在一個(gè)實(shí)施方案中，太陽(yáng)能電池具有在正面上的透明導(dǎo)電層。
[0222] 電極
[0223] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，漿料的Ag顆粒的雙峰分布存在于電極中。在該實(shí)施方 案的各個(gè)方面中，關(guān)于漿料中Ag的直徑分布的各個(gè)特征類似地存在于電極中。
[0224] 其它保護(hù)層
[02巧]除了直接貢獻(xiàn)于太陽(yáng)能電池的主要功能的上述層之外，可加入其它層用于機(jī)械和 化學(xué)保護(hù)。可將電池封裝W提供化學(xué)保護(hù)。封裝是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的并可使用技術(shù)人 員已知且其認(rèn)為適合本發(fā)明的任何封裝。根據(jù)本發(fā)明，如果存在該封裝，則透明聚合物，通 常稱為透明熱塑性樹脂優(yōu)選用作封裝材料。在本文中優(yōu)選的透明聚合物為例如娃橡膠和聚 己締己酸己締醋（PVA