透明導(dǎo)電性膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種透明導(dǎo)電性膜。
【背景技術(shù)】
[0002] W往，透明導(dǎo)電性膜用于觸控面板等電子設(shè)備零件的電極、遮斷成為電子設(shè)備的 誤動(dòng)作的原因的電磁波的電磁波屏蔽構(gòu)件等。已知透明導(dǎo)電性膜是通過瓣鍛法在透明樹脂 膜上形成口〇(Indium Tin化ide，銅-錫復(fù)合氧化物）等的金屬氧化物層而獲得的。然而， 利用瓣鍛法的透明導(dǎo)電性膜的制造有需要大規(guī)模的設(shè)備而成本變高的問題。另外，也有難 W制造寬度較寬的透明導(dǎo)電性膜的問題。進(jìn)而，通過瓣鍛法獲得的透明導(dǎo)電性膜有透光率 變低的問題。
[0003]作為解決上述瓣鍛法的問題的方法，提出有在聚對(duì)苯二甲酸己二醋（陽T)基材上 形成由金屬納米線、金屬網(wǎng)等構(gòu)成的導(dǎo)電層的方法。例如，在專利文獻(xiàn)1中，提出有在PET基 材上形成包含銀納米線的層的方法。利用該方法獲得的透明導(dǎo)電性膜的包含銀納米線的層 具有開口部，透過率高。然而，用作基材的PET為了獲得實(shí)用的機(jī)械強(qiáng)度，需要拉伸處理，因 此相位差非常大，在將使用該種陽T基材而獲得的透明導(dǎo)電性膜例如組合至液晶顯示器而 使用的情況下，產(chǎn)生虹狀的斑紋（W下也稱為虹斑）。該種現(xiàn)象在使用透過率高的透明導(dǎo)電 性膜（例如如上所述包含金屬納米線（銀納米線）、金屬網(wǎng)等的透明導(dǎo)電性膜）的情況下， 即在自透明導(dǎo)電性膜射出的光量多的情況下，特別成為問題。另外，由于在自斜向的可視時(shí) 明顯地可見該虹斑，因而在自斜向觀察畫面端部的大型顯示器中，虹斑的產(chǎn)生特別成為問 題。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) [000引專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 ;日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明所要解決的課題
[000引本發(fā)明是為了解決上述課題而作出的，其目的在于提供一種透明導(dǎo)電性膜，其制 造簡便容易，透過率及導(dǎo)電性高，且可抑制虹狀的斑紋的產(chǎn)生。
[0009]解決課題的技術(shù)手段
[0010] 本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜是具有透明基材及形成于該透明基材上的透明導(dǎo)電層、且 總光線透過率為80% W上的透明導(dǎo)電性膜，其中，上述透明基材的厚度方向的相位差的絕 對(duì)值為lOOnm W下，且上述透明導(dǎo)電層包含金屬納米線或金屬網(wǎng)。
[0011] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述透明基材的厚度方向的相位差為50nm W下。
[0012] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述透明基材的面內(nèi)相位差為lOnm W下。
[0013]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述透明基材包含環(huán)締姪系樹脂。
[0014]在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述透明基材包含丙締酸系樹脂。
[0015] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述金屬納米線為銀納米線。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種觸控面板。該觸控面板包含上述透明導(dǎo)電性膜。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的又一方式，提供一種電磁波屏蔽構(gòu)件。該電磁波屏蔽構(gòu)件包含上述 透明導(dǎo)電性膜。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的再一方式，提供一種液晶顯示元件。該液晶顯示元件具備上述觸控 面板及/或上述電磁波屏蔽構(gòu)件。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的再一方式，提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。該有機(jī)電致發(fā)光顯示 裝置自可視側(cè)起依次具備上述觸控面板、偏振片及有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0020] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置在上述觸控面板與上述偏振片 之間進(jìn)一步具備上述電磁波屏蔽構(gòu)件。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的再一方式，提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。該有機(jī)電致發(fā)光顯示 裝置自可視側(cè)起依次具備上述電磁波屏蔽構(gòu)件、偏振片及有機(jī)電致發(fā)光元件。
[00巧發(fā)明的效果
[0023] 根據(jù)本發(fā)明，通過由在厚度方向的相位差的絕對(duì)值小的透明基材上形成包含金屬 納米線或金屬網(wǎng)的透明導(dǎo)電層，可提供一種透過率及導(dǎo)電性高、且可抑制虹狀的斑紋的產(chǎn) 生的透明導(dǎo)電性膜。由于本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜可通過涂布形成上述透明導(dǎo)電層，因而可 簡便容易地制造。
【附圖說明】
[0024] 圖1是本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜的概略截面圖。
[0025] 圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的液晶顯示元件的概略截面圖。
[0026] 圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的液晶顯示元件的概略截面圖。
[0027] 圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的概略截面圖。
[002引圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的概略截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[002引A.誘巧導(dǎo)由忡腸的蔣體構(gòu)成
[0030] 圖1是本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜的概略截面圖。如圖1所示，本 發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜10具有透明基材1及形成于透明基材1上的透明導(dǎo)電層2。透明導(dǎo)電 層2包含金屬納米線或金屬網(wǎng)。
[0031] 本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜的總光線透過率優(yōu)選為80% W上，更優(yōu)選為85% W上，特 別優(yōu)選為90% W上。在本發(fā)明中，通過具備包含金屬納米線或金屬網(wǎng)的透明導(dǎo)電層，可獲 得總光線透過率高的透明導(dǎo)電性膜。另外，由于本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜具備厚度方向的相 位差小的透明基材，因而即便如上所述那樣透過率高，即，即便自透明導(dǎo)電性膜射出的光量 多，也可抑制虹斑。本發(fā)明的效果之一為同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高透光率與虹斑的抑制。
[0032] 本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜的表面電阻值優(yōu)選為0. 10/□~1000Q/□，更優(yōu)選為 0. 50/□~5000/□，特別優(yōu)選為10/□~2500/□。在本發(fā)明中，通過具備包含金屬 納米線或金屬網(wǎng)的透明導(dǎo)電層，可獲得表面電阻值小的透明導(dǎo)電性膜。另外，通過少量金 屬，從而如上所述那樣表面電阻值小，可示出優(yōu)良的導(dǎo)電性，因此可獲得透光率高的透明導(dǎo) 電性膜。
[00扣]B.誘巧甚材
[0034] 上述透明基材的厚度方向的相位差化h的絕對(duì)值為lOOnmW下，優(yōu)選為75nmW 下，更優(yōu)選為50nmW下，特別優(yōu)選為lOnmW下，最優(yōu)選為5nmW下。另外，在本說明書中， 厚度方向的相位差Rth是指23°C、波長為545. 6nm下的透明基材的厚度方向的相位差值。 在將面內(nèi)的折射率為最大的方向（即慢軸方向）的折射率設(shè)為nx，將厚度方向的折射率設(shè) 為nz，并將透明基材的厚度設(shè)為d(nm)時(shí)，Rth可根據(jù)化h=(nx-nz)Xd而求出。
[0035] 上述透明基材的面內(nèi)相位差Re優(yōu)選為lOnmW下，更優(yōu)選為5nmW下，進(jìn)一步優(yōu)選 為Onm~2nm。另外，在本說明書中，面內(nèi)相位差Re是指23°C、波長為545. 6nm下的透明基 材的面內(nèi)相位差值。在將面內(nèi)的折射率為最大的方向（即慢軸方向）的折射率設(shè)為nx，將 在面內(nèi)與慢軸正交的方向（即快軸方向）的折射率設(shè)為ny，并將光學(xué)膜的厚度設(shè)為d(nm) 時(shí)，Re可根據(jù)Re=(nx-ny)Xd而求出。
[0036] 本