一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元器件，尤其涉及一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件。技術(shù)背景
[0002]以往技術(shù)中，壓敏電阻器(VSR)是一種單獨(dú)使用的過壓保護(hù)元件，PTC熱敏電阻(正溫度系數(shù)熱敏電阻)是作為熱保護(hù)的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲使用，也是作為過流保護(hù)器件而單獨(dú)使用。然而，在集成電路要求越來越小型化的情況下，一種同時(shí)具有過壓、過流的用于電路保護(hù)PTC熱敏電阻與壓敏電阻合成封裝的三端半導(dǎo)體元件開始被提出。目前，大多數(shù)廠家都是壓敏電阻器和熱敏電阻通過疊裝的方式連接，然后通過封裝層引出引腳而成，其缺點(diǎn)就是熱敏電阻被封裝層封裝，又被壓敏電阻阻隔，熱敏電阻的散熱帶來一定的影響，導(dǎo)致被保護(hù)電路距離應(yīng)該啟動(dòng)的電流閥值還有些數(shù)值就提前啟動(dòng)保護(hù)；現(xiàn)有的該類半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的引腳都是集中布置或者采用三角形方式布置，要么整體封裝結(jié)構(gòu)體積不大，引腳間的絕緣安全系數(shù)不高，更難以提高封裝芯片的電壓，要么是電壓可以提高，卻又占據(jù)著比較大的立體布置空間。在現(xiàn)有的封裝技術(shù)下反復(fù)研宄，有必要研制一種散熱佳的啟動(dòng)閥值精準(zhǔn)的體積小的高安全性能的熱敏電阻與壓敏電阻合成封裝的三端半導(dǎo)體元器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件，包括壓敏電阻、熱敏電阻、導(dǎo)通銅膜、第一引腳、第二引腳、第三引腳、封裝層和散熱顆粒，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均具有連接部和導(dǎo)電部，所述連接部和導(dǎo)電部電連接，所述壓敏電阻的第二端通過導(dǎo)通銅膜串聯(lián)于熱敏電阻的第一端，所述第一引腳的連接部與壓敏電阻的第一端電連接，所述第二引腳的連接部與導(dǎo)通銅膜電連接，所述第三引腳的連接部與熱敏電阻的第二端電連接，所述壓敏電阻與熱敏電阻平鋪布置，所述壓敏電阻、熱敏電阻、導(dǎo)通銅膜、第一引腳連接部、第二引腳連接部和第三引腳連接部均置于封裝層內(nèi)，所述封裝層呈現(xiàn)薄片狀，在封裝層表面布滿散熱顆粒，所述第二引腳的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的底邊中部引出，所述第一引腳的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的左側(cè)邊中部引出，所述第三引腳的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的右側(cè)邊中部引出，所述封裝層的底部連接有波形絕緣結(jié)構(gòu)，所述第二引腳的導(dǎo)電部包括支撐部和焊接部，所述焊接部電連接于支撐部，所述支撐部電連接于連接部，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋第二引腳的支撐部，使焊接部裸露在外面，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)與封裝層均使用同一材料進(jìn)行整體封裝。
[0005]作為優(yōu)選，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)連接于封裝層的波形較大，遠(yuǎn)離于封裝層的波形逐漸減小。
[0006]作為優(yōu)選，所述封裝層和波形絕緣結(jié)構(gòu)均為環(huán)氧樹脂。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:平板式連接的結(jié)構(gòu)，使得整體結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)片狀，又有封裝層外表面設(shè)有的散熱顆粒協(xié)助散熱，使的更有利于內(nèi)部芯片的散熱；同時(shí)，封裝后的元器件保護(hù)屬性更接近于熱敏電阻的自身屬性，減低了封裝材料對熱敏電阻工作性能影響，使得電路的保護(hù)閥值誤差減小，數(shù)值更為精準(zhǔn)，所保護(hù)的電路可以承受更大的電流，而不提前啟動(dòng)保護(hù)；由于兩端的引腳在封裝結(jié)構(gòu)的外側(cè)，中間的引腳應(yīng)用波形絕緣結(jié)構(gòu)，可以使得爬電距離進(jìn)一步增大，給封裝后的元器件提供了更高的安全性能，相同體積的封裝后的元器件可以應(yīng)用至額定電壓值更高、功率更大的場合；同時(shí)中間引腳的波形絕緣結(jié)構(gòu)使安裝使用更為便利。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0010]如圖1所示，一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件，包括壓敏電阻1、熱敏電阻2、導(dǎo)通銅膜3、第一引腳5、第二引腳6、第三引腳7、封裝層4和散熱顆粒9，所述第一引腳5、第二引腳6和第三引腳7均具有連接部和導(dǎo)電部，所述連接部和導(dǎo)電部電連接，所述壓敏電阻I的第二端通過導(dǎo)通銅膜3串聯(lián)于熱敏電阻2的第一端，所述第一引腳5的連接部與壓敏電阻I的第一端電連接，所述第二引腳6的連接部與導(dǎo)通銅膜3電連接，所述第三引腳7的連接部與熱敏電阻2的第二端電連接，所述壓敏電阻I與熱敏電阻2平鋪布置，所述壓敏電阻
1、熱敏電阻2、導(dǎo)通銅膜3、第一引腳5的連接部、第二引腳6的連接部和第三引腳7連接部均置于封裝層4內(nèi)，所述封裝層4呈現(xiàn)薄片狀，在封裝層4表面布滿散熱顆粒9，所述第二引腳6的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的底邊中部引出，所述第一引腳5的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的左側(cè)邊中部引出，所述第三引腳7的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的右側(cè)邊中部引出，所述封裝層4的底部連接有波形絕緣結(jié)構(gòu)8，所述第二引腳6的導(dǎo)電部包括支撐部和焊接部，所述焊接部電連接于支撐部，所述支撐部電連接于連接部，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)8覆蓋第二引腳6的支撐部，使焊接部裸露在外面，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)8與封裝層4均使用環(huán)氧樹脂進(jìn)行整體封裝，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)8連接于封裝層4的波形較大，遠(yuǎn)離于封裝層4的波形逐漸減小。
[0011]本發(fā)明使用時(shí)，由于壓敏電阻I與熱敏電阻2平鋪布置，使得整體結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)片狀，又有封裝層4外表面設(shè)有的散熱顆粒9協(xié)助散熱，使整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)更加有利于散熱，同時(shí)，封裝后的元器件降低了封裝結(jié)構(gòu)對熱敏電阻2工作性能的影響，使得電路的保護(hù)閥值誤差減小，數(shù)值更為精準(zhǔn)，所保護(hù)的電路可以承受更大的電流，而不提前啟動(dòng)保護(hù)；由于第一引腳5與第三引腳7在整體封裝結(jié)構(gòu)左右兩側(cè)中部，第二引腳6上使用波形絕緣結(jié)構(gòu)8，可以使得爬電距離進(jìn)一步增大，給封裝后的元器件提供了更高的安全性能，相同體積的封裝后的元器件可以應(yīng)用至額定電壓值更高、功率更大的場合；同時(shí)第二引腳6的波形絕緣結(jié)構(gòu)8還讓本發(fā)明的安裝使用更為便利，只需將本發(fā)明的引腳直接全部插進(jìn)電路板即可達(dá)到產(chǎn)品的最大使用性能。
[0012]除了上述的實(shí)施例外，其他未述的實(shí)施方式也應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文所述的具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。本文雖然透過特定的術(shù)語進(jìn)行說明，但不排除使用其他術(shù)語的可能性，使用這些術(shù)語僅僅是為了方便地描述和解釋本發(fā)明的本質(zhì)，把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本發(fā)明精神相違背的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件，其特征在于，包括壓敏電阻、熱敏電阻、導(dǎo)通銅膜、第一引腳、第二引腳、第三引腳、封裝層和散熱顆粒，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均具有連接部和導(dǎo)電部，所述連接部和導(dǎo)電部電連接，所述壓敏電阻的第二端通過導(dǎo)通銅膜串聯(lián)于熱敏電阻的第一端，所述第一引腳的連接部與壓敏電阻的第一端電連接，所述第二引腳的連接部與導(dǎo)通銅膜電連接，所述第三引腳的連接部與熱敏電阻的第二端電連接，所述壓敏電阻與熱敏電阻平鋪布置，所述壓敏電阻、熱敏電阻、導(dǎo)通銅膜、第一引腳連接部、第二引腳連接部和第三引腳連接部均置于封裝層內(nèi)，所述封裝層呈現(xiàn)薄片狀，在封裝層表面布滿散熱顆粒，所述第二引腳的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的底邊中部引出，所述第一引腳的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的左側(cè)邊中部引出，所述第三引腳的導(dǎo)電部從薄片狀封裝層的右側(cè)邊中部引出，所述封裝層的底部連接有波形絕緣結(jié)構(gòu)，所述第二引腳的導(dǎo)電部包括支撐部和焊接部，所述焊接部電連接于支撐部，所述支撐部電連接于連接部，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋第二引腳的支撐部，使焊接部裸露在外面，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)與封裝層均使用同一材料進(jìn)行整體封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件，其特征在于，所述波形絕緣結(jié)構(gòu)連接于封裝層的波形較大，遠(yuǎn)離于封裝層的波形逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件，其特征在于，所述封裝層和波形絕緣結(jié)構(gòu)均為環(huán)氧樹脂。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電路保護(hù)用平板式半導(dǎo)體元器件，包括壓敏電阻、熱敏電阻、導(dǎo)通銅膜、第一引腳、第二引腳、第三引腳、封裝層和散熱顆粒，本發(fā)明的技術(shù)方案可以更有利于內(nèi)部芯片的散熱，使保護(hù)閥值數(shù)值更為精準(zhǔn)，提供了更高的安全性能，相同體積的元器件可應(yīng)用至額定電壓值更高、功率更大的場合，安裝使用更為便利。
【IPC分類】H01C1-02, H01C13-02, H01C1-14, H01C1-084
【公開號】CN104779023
【申請?zhí)枴緾N201510177218
【發(fā)明人】盧濤, 張小平
【申請人】江蘇晟芯微電子有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年4月15日