陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換((AdvancedSuper Dimens1n Switch，即 ADSDS，簡(jiǎn)稱 ADS)技術(shù)是通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯不器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(pushMura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]如圖1所示，為理想的ADS陣列基板在數(shù)據(jù)線區(qū)域(數(shù)據(jù)線及其周邊區(qū)域)和邊框區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，在數(shù)據(jù)線區(qū)域，該陣列基板:包括基底1、形成在基底I上的柵絕緣層
3、同層形成在柵絕緣層3之上的數(shù)據(jù)線圖形4a和像素電極圖形5a、形成在有數(shù)據(jù)線圖形4a和像素電極圖形5a以及柵絕緣層3之上的鈍化層6以及形成在鈍化層6之上的公共電極圖形7。在邊框區(qū)域，該陣列基板包括形成在基底I上的公共電極片2，形成在公共電極片2之上的柵絕緣層3、形成在柵絕緣層3之上的公共電極連接線圖形4b，所述柵絕緣層3在對(duì)應(yīng)于公共電極片2的位置具有過(guò)孔，公共電極連接線圖形4b通過(guò)該過(guò)孔連接到公共電極片2 ;還包括形成在公共電極連接線圖形4b上方的鈍化層6，該鈍化層6在對(duì)應(yīng)于公共電極片2b的位置中也具有過(guò)孔，公共電極圖形7通過(guò)該過(guò)孔連接到公共電極連接線圖形4b。在顯示時(shí)，公共電極片2通過(guò)公共電極連接線圖形4b向公共電極圖形7供電。
[0004]在理想的ADS陣列基板中，為了實(shí)現(xiàn)顯示控制，如圖1所示，數(shù)據(jù)線圖形4a和像素電極圖形5a應(yīng)相互獨(dú)立，不應(yīng)連接在一起。但是現(xiàn)有的刻蝕工藝難以保證對(duì)數(shù)據(jù)線圖形的精確刻蝕，可能會(huì)導(dǎo)致刻蝕出的數(shù)據(jù)線圖形4a過(guò)寬，并與像素電極圖形5a連接在一起(參見(jiàn)圖2)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)顯示控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供避免數(shù)據(jù)線圖形和像素電極圖形連接在一起。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0007]在基底上形成柵絕緣層；
[0008]在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線圖形；
[0009]在形成數(shù)據(jù)線圖形的結(jié)構(gòu)之上形成像素電極圖形；
[0010]在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形和所述柵絕緣層之上形成鈍化層，所述鈍化層中形成有狹縫，所述狹縫位于期望的像素電極圖形與期望的數(shù)據(jù)線圖形之間；
[0011]對(duì)形成了鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉可能形成在所述狹縫下方的數(shù)據(jù)線圖形；
[0012]在鈍化層上形成公共電極圖形。
[0013]進(jìn)一步的，在形成鈍化層之前，所述方法還包括:在所述柵絕緣層上形成位于邊框區(qū)域的公共電極連接線圖形；
[0014]在所述公共電極連接線圖形之上形成刻蝕防護(hù)層圖形；
[0015]在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形和所述柵絕緣層之上形成的鈍化層在對(duì)應(yīng)于所述刻蝕防護(hù)層圖形的位置還形成有公共電極過(guò)孔；
[0016]在鈍化層上形成的公共電極圖形通過(guò)所述公共電極過(guò)孔連接到公共電極連接線圖形。
[0017]進(jìn)一步的，在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形和所述柵絕緣層之上形成鈍化層，包括:
[0018]在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形、所述柵絕緣層和公共電極連接線圖形之上沉積鈍化層材料；
[0019]對(duì)所述鈍化層材料進(jìn)行一次圖案化工藝形成公共電極過(guò)孔和狹縫。
[0020]進(jìn)一步的，在所述柵絕緣層上形成位于邊框區(qū)域的公共電極連接線圖形，具體包括:
[0021]在形成所述數(shù)據(jù)線圖形的同一工藝中形成公共電極連接線圖形。
[0022]進(jìn)一步的，所述在所述公共電極連接線圖形之上形成刻蝕防護(hù)層圖形，具體包括:
[0023]利用導(dǎo)體材料形成所述刻蝕防護(hù)層圖形。
[0024]進(jìn)一步的，所述在所述公共電極連接線圖形之上利用導(dǎo)體材料形成刻蝕防護(hù)層圖形，具體包括:
[0025]在形成所述像素電極圖形的同一工藝中形成刻蝕阻擋層圖形。
[0026]進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)線圖形的材料為金屬，所述刻蝕阻擋層圖形的材料為氧化銦錫；
[0027]所述對(duì)形成了鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉可能形成在所述狹縫下方的數(shù)據(jù)線圖形，包括:
[0028]使用金屬刻蝕液對(duì)形成了鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕。
[0029]進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)線圖形的材料為鉬。
[0030]進(jìn)一步的，在所述鈍化層上形成公共電極圖形具體包括:
[0031]在所述鈍化層上沉積公共電極材料層；
[0032]對(duì)所述公共電極材料層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極圖形；其中，對(duì)所述公共電極材料層進(jìn)行刻蝕包括對(duì)所述狹縫內(nèi)的公共電極材料的刻蝕。
[0033]第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，所述陣列基板利用上述任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法制作。
[0034]第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0035]本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法中，在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形和所述柵絕緣層之上形成鈍化層，所述鈍化層中形成有狹縫，所述狹縫位于期望的像素電極圖形與期望的數(shù)據(jù)線圖形之間；對(duì)形成了鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉可能形成在所述狹縫下方的數(shù)據(jù)線圖形。這樣能夠有效的刻蝕掉可能形成在期望的像素電極圖形與期望的數(shù)據(jù)線圖形之間的數(shù)據(jù)線圖形，使得數(shù)據(jù)線圖形不與像素電極圖形連接。
【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1為理想的ADS陣列基板在數(shù)據(jù)線區(qū)域和邊框區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2為利用顯示現(xiàn)有技術(shù)制作的ADS陣列基板在數(shù)據(jù)線區(qū)域和邊框區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0039]圖4-圖13為本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中所形成的結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他的實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0041]本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，可用于制作ADS陣列基板，如圖3所示，該方法包括:
[0042]步驟SI，在基底上形成柵絕緣層；
[0043]步驟S2，在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線圖形；
[0044]步驟S3，在形成數(shù)據(jù)線圖形的結(jié)構(gòu)之上形成像素電極圖形；
[0045]步驟S4，在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形和所述柵絕緣層之上形成鈍化層，所述鈍化層中形成有狹縫，所述狹縫位于期望的像素電極圖形與期望的數(shù)據(jù)線圖形之間；
[0046]步驟S5，對(duì)形成了鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉可能形成在所述狹縫下方的數(shù)據(jù)線圖形；
[0047]步驟S6，在鈍化層上形成公共電極圖形。
[0048]本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法中，在所述像素電極圖形、所述數(shù)據(jù)線圖形和所述柵絕緣層之上形成鈍化層，所述鈍化層中形成有狹縫，所述狹縫位于期望的像素電極圖形與期望的數(shù)據(jù)線圖形之間；對(duì)形成了鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉可能形成在所述狹縫下方的數(shù)據(jù)線圖形。這樣即使實(shí)際形成的數(shù)據(jù)線圖形的寬度過(guò)大超出了期望的寬度，并與像素電極圖形連接在一起，超出期望寬度的部分也會(huì)被刻蝕掉，從而使得數(shù)據(jù)線圖形不與像素電極圖形連接。
[0049]在具體實(shí)施時(shí)，這里的基底可以為透明玻璃等。這里的柵絕緣層與現(xiàn)有技術(shù)中的理解一致，均是指用于實(shí)現(xiàn)柵電極圖形與有源層圖形之間的絕緣的層結(jié)構(gòu)，具體可以由SiNx(X為正整數(shù))等材料制作。
[0050]在具體實(shí)施時(shí)，上述的方法中，在步驟SI之前，還可以包括在TFT區(qū)域制作柵電極圖形以及在邊框區(qū)域形成公共電極片的步驟，在步驟Si中，所制作的柵絕緣層具體形成在TFT區(qū)域的柵電極圖形、公共電極片以及數(shù)據(jù)線區(qū)域的基底之上。在步驟SI之后步驟S2之前，還應(yīng)包含在TFT區(qū)域的柵絕緣層之上制作有源層圖形的步驟，這里的數(shù)據(jù)線圖形形成在數(shù)據(jù)線區(qū)域的柵絕緣層之上。然而這些并不是本發(fā)明所關(guān)注的重點(diǎn)，在此亦不再進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0051]在具體實(shí)施時(shí)，在步驟SI之后，步驟S4之前，上述的方法還可以包括圖中未示出的:步驟S2’，在所述柵絕緣層上形成位于邊框區(qū)域的公共電極連接線圖形；
[0052]步驟S3’，在所述公共電極連接線圖形之上形成刻蝕防護(hù)層圖形；
[0053]此時(shí)，步驟S4中所形成的鈍化層在對(duì)應(yīng)于所述刻蝕防護(hù)層圖形的位置還形成有公共電極過(guò)孔；
[0054]步驟S6中所形成的公共電極圖形還通過(guò)所述公共電極過(guò)孔連接到公共電極連接線圖形。
[0055]這樣做的好處是，對(duì)形成有鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕時(shí)，由于公共電極過(guò)孔下方的公共電極連接線圖形的上方形成有刻蝕防護(hù)層圖形，能夠很好避免在步驟S5中對(duì)形成有鈍化層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕時(shí)刻蝕到公共電極連接線圖形，避免公共電極連接線圖形被刻蝕斷。
[0056]在具體實(shí)施時(shí)，上述的步驟S2’和步驟S2’可以通過(guò)同一工藝實(shí)現(xiàn)。即在形成所述數(shù)據(jù)線圖形的同一工藝中形成公共電極連接線圖形。這樣也能夠降低制作工藝的復(fù)雜度。具體來(lái)說(shuō)，可以在柵絕緣層之上形成導(dǎo)體材料，之后通過(guò)同一圖案化工藝形成公共電極連接線圖形和數(shù)據(jù)線圖形。
[0057]在具體實(shí)施時(shí)，這里的刻蝕防護(hù)層圖形可以采用導(dǎo)體材料制作，這樣在步驟S5的刻蝕工藝中，無(wú)需將刻蝕防護(hù)層圖形刻蝕掉或者無(wú)需將刻蝕防護(hù)