連接部分216的兩個相對的邊緣，該相對邊緣均平行于方向302。因此，如圖3的俯視圖所示，身體接觸型MOSFET設備500c的有源區(qū)202呈現(xiàn)“I”的形狀。在本實施例中，連接部分216的寬度Wl被設計為大致上沿方向300小于MOSFET 240的器件寬度W3。因此，在本發(fā)明實施例中，由MOSFET 240的源極摻雜區(qū)208和/或漏極摻雜區(qū)210與身體接觸型MOSFET設備500c的身體接觸摻雜區(qū)238所構(gòu)成的結(jié)電容能據(jù)此得到降低。
[0034]此外，于本發(fā)明的其他實施例中，有源區(qū)202的連接部分216的寬度Wl還可被設計為在小于柵極帶206大致上沿方向300的寬度W2，從而以進一步降低上述結(jié)電容。
[0035]本發(fā)明實施例提供一種身體接觸型MOSFET設備，該身體接觸型MOSFET設備包括位于MOSFET部分與身體接觸摻雜部分之間并均與兩者相連接的連接部分。在本發(fā)明實施例中，該連接部分被設計為不被任何硅化物面、柵極帶和/或多晶硅圖案所覆蓋，從而以避免產(chǎn)生任何的寄生電容(例如Cgb，Cgs或Cgd)。其次，該有源區(qū)的連接部分還可被設計為從身體接觸型MOSFET設備的俯視圖看具有一減小的區(qū)域，以降低結(jié)電容(該結(jié)電容由MOSFET的源極摻雜區(qū)和/或漏極摻雜區(qū)與身體接觸摻雜區(qū)所構(gòu)成)。在本發(fā)明實施例中，該連接部分的寬度被設計為大致上沿著溝道寬度方向等于或大于柵極帶的寬度。同時，該連接部分的寬度還被設計為沿著溝道寬度方向小于或等于源極摻雜區(qū)208和漏極摻雜區(qū)210之間的最大距離。本發(fā)明實施例的身體接觸型MOSFET設備具有一降低的寄生電容及降低的結(jié)電容，因此能夠改善導通狀態(tài)電阻及關閉狀態(tài)電容(Ron*Coff)的系數(shù)，從而該身體接觸型MOSFET設備能夠獲得低RF損耗和高線性的性能。
[0036]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領域任何技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視本發(fā)明的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種身體接觸型金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET設備，其特征在于，包含: 基板； 設置于該基板上的有源區(qū)； 柵極帶，設置于該有源區(qū)的第一部分并沿著第一方向予以延展； 源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)，分別設置于該有源區(qū)的第二部分和第三部分，分別與該柵極帶的兩個相對的側(cè)邊相鄰，其中該柵極帶的相對的側(cè)邊沿該第一方向予以延展；以及身體接觸摻雜區(qū)，設置于該有源區(qū)的第四部分，其中該身體接觸摻雜區(qū)與該柵極帶被該有源區(qū)的第五部分隔離開，該有源區(qū)的第五部分未被任何硅化物面所覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，該身體接觸摻雜區(qū)沿該第一方向與該柵極帶隔離。
3.如權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，該源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)具有第一導電類型，以及該身體接觸摻雜區(qū)具有第二導電類型，該第一導電類型與第二導電類型相反。
4.如權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，該身體接觸摻雜區(qū)與該柵極帶分別與該有源區(qū)的第五部分沿第二方向上的兩個相對的側(cè)邊相鄰，以及該有源區(qū)的第一部分與第四部分分別與該有源區(qū)的第五部分沿第二方向上的兩個相對的側(cè)邊相鄰， 該第二方向不同于該第一方向。
5.如權(quán)利要求4所述的設備，其特征在于，該有源區(qū)的第五部分在沿該第二方向上的寬度大于該柵極帶沿該第二方向上的寬度，并小于或等于該源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)之間沿該第二方向上相隔的最大距離。
6.如權(quán)利要求4所述的設備，其特征在于，該有源區(qū)的第五部分在沿該第二方向上的寬度等于或小于該柵極帶沿該第二方向上的寬度。
7.如權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，該有源區(qū)的第五部分未被該柵極帶所覆蓋。
8.如權(quán)利要求1所述的設備，其特征在于，該有源區(qū)的第四部分與該有源區(qū)的第二部分和第三部分相隔一段距離，以及該距離等于該有源區(qū)的第五部分沿該第一方向的長度。
9.一種身體接觸型MOSFET設備，其特征在于，包含: 基板；以及 設置于該基板上的有源區(qū)，該有源區(qū)包含: MOSFET部分，一 MOSFET形成于其上； 身體接觸摻雜區(qū)部分，一身體接觸摻雜區(qū)形成于其上，其中該MOSFET部分與該身體接觸摻雜區(qū)部分相隔離；以及 連接部分，位于該MOSFET部分與身體接觸摻雜區(qū)部分之間并均與該MOSFET部分與身體接觸摻雜區(qū)部分相連接，其中該連接部分未被任何硅化物面所覆蓋。
10.如權(quán)利要求9所述的設備，其特征在于，該MOSFET具有溝道寬度方向與溝道長度方向，該溝道寬度方向與溝道長度方向相垂直。
11.如權(quán)利要求10所述的設備，其特征在于，該MOSFET部分沿該溝道長度方向與該身體接觸摻雜區(qū)部分相隔離。
12.如權(quán)利要求10所述的設備，其特征在于，該MOSFET包含: 柵極帶，覆蓋于該MOSFET部分上；以及 源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)，位于該MOSFET部分上，分別與該柵極帶沿該溝道長度方向上的兩個相對的側(cè)邊相鄰，并沿該溝道寬度方向彼此相隔離。
13.如權(quán)利要求12所述的設備，其特征在于，該源極摻雜區(qū)與該漏極摻雜區(qū)具有第一導電類型，以及該身體接觸摻雜區(qū)具有第二導電類型，該第一導電類型與第二導電類型相反。
14.如權(quán)利要求12所述的設備，其特征在于，該身體接觸摻雜區(qū)與該柵極帶分別與該連接部分沿該溝道寬度方向上的兩個相對的側(cè)邊相鄰。
15.如權(quán)利要求12所述的設備，其特征在于，該連接部分在沿該溝道寬度方向上的寬度小于或等于該柵極帶沿該溝道寬度方向上的寬度。
16.如權(quán)利要求12所述的設備，其特征在于，該連接部分沿該溝道寬度方向的寬度大于該柵極帶沿該溝道寬度方向的寬度并小于該源極摻雜區(qū)與該漏極摻雜區(qū)之間沿該溝道寬度方向的最大距離。
17.如權(quán)利要求12所述的設備，其特征在于，該連接部分未被該柵極帶所覆蓋。
18.一種身體接觸型MOSFET設備，其特征在于，包含: 基板；以及 設置于該基板上的有源區(qū)，該有源區(qū)包含: MOSFET部分，一 MOSFET形成于其上； 身體接觸摻雜區(qū)部分，一身體接觸摻雜區(qū)形成于其上，其中該MOSFET部分與該身體接觸摻雜區(qū)部分僅通過一連接部分而連接，該連接部分并未被任何硅化物面所覆蓋。
19.如權(quán)利要求18所述的設備，其特征在于，該MOSFET具有溝道寬度方向與溝道長度方向，該溝道寬度方向與溝道長度方向相垂直。
20.如權(quán)利要求19所述的設備，其特征在于，該MOSFET部分沿該溝道長度方向與該身體接觸摻雜區(qū)部分相隔離。
21.如權(quán)利要求19所述的設備，其特征在于，該MOSFET包含: 柵極帶，覆蓋于該MOSFET部分上；以及 源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)，位于該MOSFET部分，分別與該柵極帶的兩個相對的側(cè)邊相鄰，并沿該溝道寬度方向彼此相隔離。
22.如權(quán)利要求21所述的設備，其特征在于，該源極摻雜區(qū)與該漏極摻雜區(qū)具有第一導電類型，以及該身體接觸摻雜區(qū)具有第二導電類型，該第一導電類型與第二導電類型相反。
23.如權(quán)利要求21所述的設備，其特征在于，該連接部分沿該溝道寬度方向上的寬度小于或等于該柵極帶沿該溝道寬度方向上的寬度。
24.如權(quán)利要求21所述的設備，其特征在于，該連接部分沿該溝道寬度方向的寬度大于該柵極帶沿該溝道寬度方向的寬度并小于或等于該源極摻雜區(qū)與該漏極摻雜區(qū)之間沿該溝道寬度方向的最大距離。
25.如權(quán)利要求21所述的設備，其特征在于，該連接部分未被該柵極帶所覆蓋。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種身體接觸型MOSFET設備，包含：基板；設置于該基板上的有源區(qū)；柵極帶，設置于該有源區(qū)的第一部分并沿著第一方向予以延展；源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)，分別設置于該有源區(qū)的第二部分和第三部分，分別與該柵極帶的兩個相對的側(cè)邊相鄰，其中該柵極帶的相對的側(cè)邊沿該第一方向予以延展；以及身體接觸摻雜區(qū)，設置于該有源區(qū)的第四部分，其中該身體接觸摻雜區(qū)與該柵極帶被該有源區(qū)的第五部分隔離開，該有源區(qū)的第五部分未被任何硅化物面所覆蓋。本發(fā)明實施例可避免產(chǎn)生任何的寄生電容，從而能夠?qū)崿F(xiàn)身體接觸型MOSFET設備的低RF損失以及高線性的性能。
【IPC分類】H01L29-10, H01L29-423, H01L29-78
【公開號】CN104795443
【申請?zhí)枴緾N201410613063
【發(fā)明人】洪建州, 李東興, 柏納得·馬克·坦博克, 陳榮堂
【申請人】聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2014年11月3日
【公告號】US20150123206